可以用型號(hào)為741S14的非門集成電路、發(fā)光二極管和限流電阻來組成一個(gè)邏輯電平檢測器，電路如圖所示，使用時(shí)，將檢測器的輸入端A接到被測點(diǎn)．下列說法正確的是

A. 當(dāng)被測點(diǎn)為高電平時(shí)，LED會(huì)發(fā)光， 低電平時(shí)不會(huì)發(fā)光

B. 當(dāng)被測點(diǎn)A高電平時(shí)，LED不會(huì)發(fā)光， 低電平時(shí)會(huì)發(fā)光

C. A端的電平高，Y端為低電平，LED兩端必有較大電壓，故發(fā)光

D. A端的電平高，LED兩端沒有較大電壓，故不發(fā)光

 

AC

【解析】

試題分析：只有二極管通以正向電流時(shí)LED燈才會(huì)發(fā)光，所以要使得LED發(fā)光，電流必須從右向左通過，即Y端的電勢(shì)是比5V還低的低電平，則根據(jù)非門特點(diǎn)，可得A端必須是高電平，LED兩端有電勢(shì)差，才會(huì)發(fā)光，AC正確；

考點(diǎn)： 考查了邏輯電路

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年陜西省及其國際合作學(xué)校高三下四月月考理綜物理試卷（解析版） 題型：計(jì)算題

（14分）有可視為質(zhì)點(diǎn)的木塊由A點(diǎn)以一定的初速度為4m/s水平向右運(yùn)動(dòng)，AB的長度為2m,物體和AB間動(dòng)摩擦因素為μ1=0.1，BC無限長，物體和BC間動(dòng)摩擦因素為μ2=， 求：

（1）物體第一次到達(dá)B點(diǎn)的速度

（2）通過計(jì)算說明最后停在水平面上的位置

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年重慶市高三下學(xué)期考前模擬（二診）理綜物理試卷（解析版） 題型：選擇題

據(jù)報(bào)道，2014年3月4日英國蘭開夏郡的一名13歲學(xué)生杰米·愛德華茲在學(xué)校實(shí)驗(yàn)室里成功完成了一項(xiàng)核實(shí)驗(yàn)，成為世界上實(shí)現(xiàn)聚變的最年輕的人，引起人們對(duì)氫元素、氫的同位素、核反應(yīng)的熱議．下列說法錯(cuò)誤的是

A．氫原子光譜是線狀譜

B．氘()可以發(fā)生衰變

C．是核聚變

D．核裂變是可控的

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年遼寧省瓦房店市高三考前模擬理科綜合試卷（解析版） 題型：選擇題

（5分）以下關(guān)于天然放射現(xiàn)象，敘述正確的是（填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得2分，選對(duì)2個(gè)得4分，選對(duì)3個(gè)得5分；每選錯(cuò)1個(gè)扣3分，最低得分為0分）

A．若使放射性物質(zhì)的溫度升高，其半衰期將減少

B．β衰變所釋放的電子是原子核外的電子電離形成的

C．在α，β，γ這三種射線中，γ射線的穿透能力最強(qiáng)，α射線的電離能力最強(qiáng)

D．鈾核 衰變?yōu)殂U核 的b過程中，要經(jīng)過8次α衰變和6次β衰變

E．α衰變的實(shí)質(zhì)是原子核內(nèi)個(gè)質(zhì)子和兩個(gè)中子結(jié)合成一個(gè)α粒子的

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年遼寧省瓦房店市高三考前模擬理科綜合試卷（解析版） 題型：實(shí)驗(yàn)題

現(xiàn)有一電池，電動(dòng)勢(shì)E約為9V，內(nèi)阻r在35~55Ω范圍內(nèi)，允許通過的最大電流為50mA。為測定該電池的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻，某同學(xué)利用如圖（a）所示的電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。圖中R為電阻箱，阻值范圍為0~9999Ω；R0為保護(hù)電阻。

（1）（單選）可備選用的定值電阻R0有以下幾種規(guī)格，本實(shí)驗(yàn)應(yīng)選用（ ）

（A）20Ω，2.5W （B）50Ω，1.0W

（C）150Ω，1.0W （D）1500Ω，5.0W

（2）按照?qǐng)D（a）所示的電路圖，將圖（b）所示的實(shí)物連接成實(shí)驗(yàn)電路。

（3）接好電路，閉合電鍵后，調(diào)整電阻箱的阻值，記錄阻值R和相應(yīng)的電壓表示數(shù)U，取得多組數(shù)據(jù)，然后通過做出有關(guān)物理量的線性關(guān)系圖像，求得電源的電動(dòng)勢(shì)E和內(nèi)阻r。

①請(qǐng)寫出所作線性圖像對(duì)應(yīng)的函數(shù)表達(dá)式____________________；

②圖（c）是作線性圖像的坐標(biāo)系，若縱軸表示的物理量是，請(qǐng)?jiān)谧鴺?biāo)系中定性地畫出線性圖像。

 

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年綿陽市第三次診斷性考試?yán)砜凭C合物理試卷（解析版） 題型：計(jì)算題

如圖甲，直角坐標(biāo)系xOy在豎直平面內(nèi)，x軸上方（含x軸）區(qū)域有垂直坐標(biāo)系xOy向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B0=T；在x軸下方區(qū)域有正交的勻強(qiáng)電場和磁場，場強(qiáng)E隨時(shí)間t的變化關(guān)系如圖乙，豎直向上為電場強(qiáng)度正方向，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t的變化關(guān)系如圖丙，垂直xOy平面為磁場的正方向。光滑的絕緣斜面在第二象限，底端與坐標(biāo)原點(diǎn)O重合，與負(fù)x軸方向夾角θ=30°。

一質(zhì)量m=1×10-5kg、電荷量q=1×10-4C的帶正電的粒子從斜面上A點(diǎn)由靜止釋放，運(yùn)動(dòng)到坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)恰好對(duì)斜面壓力為零，以此時(shí)為計(jì)時(shí)起點(diǎn)。求：

（1）釋放點(diǎn)A到坐標(biāo)原點(diǎn)的距離L；

（2）帶電粒子在t=2.0s時(shí)的位置坐標(biāo)；

（3）在垂直于x軸的方向上放置一俘獲屏，要使帶電粒子垂直打在屏上被俘獲，屏所在位置的橫坐標(biāo)應(yīng)滿足什么條件？

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年綿陽市第三次診斷性考試?yán)砜凭C合物理試卷（解析版） 題型：選擇題

一列簡諧橫波沿x軸正方向傳播，已知x軸上相距d=3.6m的兩個(gè)質(zhì)點(diǎn)M、N的振動(dòng)圖像分別如圖甲和乙所示，已知質(zhì)點(diǎn)M比N質(zhì)點(diǎn)先起振，則該波

A. 波長可能為4.8m B. 頻率可能為0.2Hz

C. 傳播速度可能為3.6m/s D.質(zhì)點(diǎn)M在波谷時(shí)，質(zhì)點(diǎn)N在波峰

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年福建省高考考前模擬理科綜合物理試卷（解析版） 題型：選擇題

一自耦調(diào)壓變壓器(可看做理想變壓器)的電路如圖甲所示，移動(dòng)滑動(dòng)觸頭P可改變副線圈匝數(shù)．已知變壓器線圈總匝數(shù)為1 900匝，原線圈匝數(shù)為1 100匝，接在如圖乙所示的交流電源上，電壓表為理想電表，則 (　　)

A．交流電源電壓瞬時(shí)值的表達(dá)式為u＝220sin 100πt V；

B．P向上移動(dòng)時(shí)，電壓表的示數(shù)變大，最大顯示示數(shù)為380 V；

C．P向下移動(dòng)時(shí)，原、副線圈的電流之比減小；

D．P向下移動(dòng)時(shí)，變壓器的輸入功率變大。

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年福建省漳州市高三高考模擬物理試卷（解析版） 題型：選擇題

某同學(xué)自制變壓器，原線圈為n1匝，在做副線圈時(shí)，將導(dǎo)線ab對(duì)折后并在一起，在鐵芯上繞n2圈，從導(dǎo)線對(duì)折處引出一個(gè)接頭c，連成如圖所示電路。S為單刀雙擲開關(guān)，線圈電阻不計(jì)，原線圈接u1=Umsinωt的交流電源。下列說法正確的是（　 ）

A.S接b時(shí)，電壓表示數(shù)為

B.S接c時(shí)，電壓表示數(shù)為

C.S接c時(shí)，滑動(dòng)觸頭P向下移動(dòng)，變壓器輸入功率變大

D.S接c時(shí)，滑動(dòng)觸頭P向上移動(dòng)，變壓器輸入電流變大

 

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