如圖所示,半圓形玻璃磚置于光屏PQ的左下方。一束白光沿半徑方向從A點(diǎn)射入玻璃磚,在O點(diǎn)發(fā)生反射和折射,折射光在光屏上呈現(xiàn)七色光帶。若入射點(diǎn)由A向B緩慢移動,并保持白光沿半徑方向入射到O點(diǎn),觀察到各色光在光屏上陸續(xù)消失。在光帶未完全消失之前,反射光的強(qiáng)度變化以及光屏上最先消失的光分別是
A. 減弱,紫光 B. 減弱,紅光 C. 增強(qiáng),紫光 D. 增強(qiáng),紅光
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖3所示,有四個等量異種電荷,放在正方形的四個頂點(diǎn)處。A、B、C、D為正方形四個邊的中點(diǎn),O為正方形的中心,下列說法中正確的是( )
圖3
A.A、B、C、D四個點(diǎn)的電場強(qiáng)度相同
B.O點(diǎn)電場強(qiáng)度等于零
C.將一帶正電的試探電荷勻速從B點(diǎn)沿直線移動到D點(diǎn),電場力做功為零
D.將一帶正電的試探電荷勻速從A點(diǎn)沿直線移動到C點(diǎn),試探電荷具有的電勢能增大
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科目:高中物理 來源: 題型:
約里奧•居里夫婦由于在1934年發(fā)現(xiàn)了放射性同位素而獲得了1935年諾貝爾獎金,約里奧•居里夫婦發(fā)現(xiàn)放射性同位素和正電子的核反應(yīng)方程是Al+He→P+n,P→Si+e,則以下判斷中正確的是( )
| A. | P是由Si和e組成的 |
| B. | e是P內(nèi)的質(zhì)子轉(zhuǎn)化為中子時產(chǎn)生的 |
| C. | e是P內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子時產(chǎn)生的 |
| D. | P原子核的質(zhì)量為mP、Si原子核的質(zhì)量為mS,e的質(zhì)量為m0,則P衰變成Si的過程中釋放的核能為(mP﹣mSi﹣m0)c2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
水平拋出的一個石子,經(jīng)過0.4s落到地面,落地時的速度方向跟水平方向的夾角是53°(sin53°=0.8;cos53°=0.6,g取10m/s2 ).不計(jì)阻力,試求:
(1)石子的拋出點(diǎn)距地面的高度;
(2)石子拋出的水平初速度.
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,一理想變壓器原線圈匝數(shù)n1=1000匝,副線圈匝數(shù)n2=200匝,原線圈所接交流電源的電動勢瞬時值表達(dá)式e=311sin100πtV,副線圈所接電阻R=88Ω,電流表、電壓表對電路影響可忽略不計(jì)。則
A. A1的示數(shù)約為0.10A
B. V1的示數(shù)約為311 V
C. V2的示數(shù)約為62.2V
D. A2的示數(shù)約為0.75A
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科目:高中物理 來源: 題型:
已知能使某金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)的極限頻率為v0,則
A. 當(dāng)用頻率為2v0的單色光照射該金屬時,一定能產(chǎn)生光電子
B. 當(dāng)用頻率為2v0的單色光照射該金屬時,所產(chǎn)生的光電子的最大初動能為hv0
C. 當(dāng)照射光的頻率v大于v0時,若v增大,則逸出功增大
D. 當(dāng)照射光的頻率v大于v0時,若v增大一倍,則光電子的最大初動能也增大一倍
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,在x軸上方有一豎直向下的勻強(qiáng)電場區(qū)域,電場強(qiáng)度為E=500V/m。x軸下方分布有很多磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=1T的條形勻強(qiáng)磁場區(qū)域,其寬度均為d1=3cm,相鄰兩磁場區(qū)域的間距為d2=4cm。現(xiàn)將一質(zhì)量為m=5×10-13kg、電荷量為g=1×10-8C的帶正電的粒子(不計(jì)重力)從y軸上的某處靜止釋放,則:
(1)若粒子從坐標(biāo)(0,h1)點(diǎn)由靜止釋放,要使它經(jīng)過x軸下方時,不會進(jìn)入第二磁場區(qū),h1應(yīng)滿足什么條件?
(2)若粒子從坐標(biāo)(0,5cm)點(diǎn)由靜止釋放,求自釋放到第二次過x軸的時間(π取3.14)。
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科目:高中物理 來源: 題型:
某同學(xué)用如圖裝置做“驗(yàn)證機(jī)械能守恒定律”的實(shí)驗(yàn).
① 該同學(xué)為了能完成實(shí)驗(yàn),除圖甲器材外,還必須準(zhǔn)備哪些實(shí)驗(yàn)器材________
A. 交流電源
B. 秒表
C. 天平
D. 刻度尺
② 圖乙是某次實(shí)驗(yàn)獲得的紙帶,圖中 O 點(diǎn)是打出的第 1 個點(diǎn),各計(jì)數(shù)點(diǎn)與
O 點(diǎn)之間的距離已測出.已知打點(diǎn)計(jì)時器的打點(diǎn)周期為 T=0.02 s,則打
點(diǎn)計(jì)時器打下 C 點(diǎn)時物體的速度 vC=______m/s(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字).
3
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③ 若選取 O 點(diǎn)和 C 點(diǎn)為研究點(diǎn),則要驗(yàn)證重物下落過程機(jī)械能守恒的計(jì)算式為
(設(shè) OC 的距離為 hOC,C 點(diǎn)時物體的速度 vC,重力加速度為 g);
④為減少實(shí)驗(yàn)誤差,下落物體應(yīng)選用________(填“50g 鉤碼”或“200g 重物”).
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖6所示,直線A、B分別為電源a、b的路端電壓與電流的關(guān)系圖線,設(shè)兩個電源的內(nèi)阻分別為ra和rb,若將一定值電阻R0分別接到a、b兩電源上,通過R0的電流分別為Ia和Ib,則( )
圖6
A.ra>rb
B.Ia>Ib
C.R0接到a電源上,電源的輸出功率較大,但電源的效率較低
D.R0接到b電源上,電源的輸出功率較小,電源的效率較低
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