【題目】如圖所示電路中,L 是一直流電阻可忽略不計的電感線圈,a、b L 的左、右兩端點,A、BC 為完全相同的三個燈泡,某時刻將開關 K 閉合,穩(wěn)定后三個燈泡均正常發(fā)光,之后又將開關 K斷開。則下列說法正確的是(

A. 開關閉合瞬間,A、B、C 燈同時變亮

B. 開關斷開瞬間,a 點電勢高于 b 點,B、C 燈閃亮后緩慢熄滅

C. 開關斷開瞬間,b 點電勢高于 a 點,B、C 燈閃亮后緩慢熄滅

D. 開關斷開瞬間,b 點電勢高于 a 點,BC 燈緩慢熄滅

【答案】C

【解析】

A.開關閉合瞬間,由于電感線圈會阻礙電流的增大,A燈泡支路電流逐漸變大,A燈泡緩慢變亮,A錯誤

BCD.開關斷開瞬間,電感線圈要阻礙原電流的減小,產(chǎn)生與原電流方向相同的感應電流,即線圈內(nèi)部從a流向b,所以b端電勢高;由于線圈直流電阻可忽略不計,所以感應電流會大于原電流,導致流過B、C燈泡的電流比正常發(fā)光的電流大,所以BC 燈閃亮后緩慢熄滅,BD錯誤C正確

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖甲所示的演示實驗中,A、B兩球同時落地,說明__________,某同學設計了如圖乙所示的實驗:將兩個斜滑道固定在同一豎直面內(nèi),最下端水平,把兩個質(zhì)量相等的小鋼球,從斜面的同一高度由靜止同時釋放,滑道2與光滑水平板吻接,則他將觀察到的現(xiàn)象是__________,這說明____________。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,在用DIS驗證“玻意耳定律”的實驗中,用一個帶刻度的注射器及計算機輔助系統(tǒng)來探究氣體的壓強和體積關系.

(1)實驗中應保持不變的狀態(tài)參量是________;

(2)實驗過程中,下列說法正確的________

A.推拉活塞時,動作要快,以免氣體進入或漏出

B.推拉活塞時,手不可以握住整個注射器

C.必須測量所封閉氣體的質(zhì)量

D在活塞上涂上潤滑油,保持良好的密封性

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示的U﹣I圖象中,直線I為某電源的路端電壓與電流的關系,直線為某一電阻R的伏安特性曲線,用該電源直接與電阻R連接成閉合電路,由圖象可知( )

A. 電源的內(nèi)阻為0.5Ω

B. 電源的總功率為1.5W

C. 電源的輸出功率為1.5W

D. 電源內(nèi)部消耗功率為1.5W

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】在測定金屬的電阻率的實驗中,某種待測材料金屬絲接入電路部分的長度約為50cm,所用測量儀器均已校準。

1)用螺旋測微器測量金屬絲的直徑,其中某一次測量結(jié)果如圖所示,其讀數(shù)應為______mm(該值接近多次測量的平均值)。

2)某實驗小組用伏安法測金屬絲的電阻Rx,記錄實驗數(shù)據(jù)如下表:

次數(shù)

1

2

3

4

5

6

7

UV

010

030

070

100

150

170

230

IA

002

006

016

022

034

046

052

由以上實驗數(shù)據(jù)可知:

本實驗的電流表選用的是____、電壓表選用的是___、滑動變阻器選用的是____(填寫以下器材前的字母)。

A.電流表A10100 mA,內(nèi)阻約為10 Ω

B.電流表A2006 A,內(nèi)阻約為01 Ω

C.電壓表V103 V,內(nèi)阻約為3 kΩ

D.電壓表V2015 V,內(nèi)阻約為15 kΩ

E.滑動變阻器R101000 Ω,02 A

F.滑動變阻器R2020 Ω,2 A

測量Rx是采用下圖中的____(填”“”“)電路圖。

可以估算出金屬絲電阻率約為____(填選項前的字母)。

A1×102Ω·m

B1×103Ω·m

C1×106Ω·m

D1×108Ω·m

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,輕質(zhì)彈簧的一端固定在墻上,另一端與質(zhì)量為m的物體A相連,A放在光滑水平面上,有一質(zhì)量與A相同的物體B,從高h處由靜止開始沿光滑曲面滑下,與A相碰后一起將彈簧壓縮,彈簧復原過程中某時刻BA分開且沿原曲面上升.下列說法正確的是( )

A. 彈簧被壓縮時所具有的最大彈性勢能為mgh

B. 彈簧被壓縮時所具有的最大彈性勢能為

C. B能達到的最大高度為

D. B能達到的最大高度為

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】在中美貿(mào)易戰(zhàn)中,中興的遭遇告訴我們,要重視芯片的自主研發(fā)工作,而芯片的基礎工作在于半導體的工藝。如圖所示,在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進入方向垂直紙面向里、寬度為D的勻強磁場區(qū)域,其中離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ30°后從磁場右邊界射出。已知P+P3+的質(zhì)量均為m,而電量分別為e3ee表示元電荷)。

1)求勻強磁場的磁感應強度B的大小;

2)求P3+在磁場中轉(zhuǎn)過的角度φ。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一列簡諧橫波沿直線由AB傳播,A、B相距.45m,右圖是A處質(zhì)點的震動圖像。當A處質(zhì)點運動到波峰位置時,B處質(zhì)點剛好到達平衡位置且向y軸正方向運動,這列波的波速可能是

A4.5m/s B3.0m/s C1.5m/s D0.7m/s

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】具有放射性,它能放出一個新的粒子而變?yōu)殓h,同時伴隨有γ射線產(chǎn)生,其方程為,釷的半衰期為24天.則下列說法中正確的是( )

A. x為質(zhì)子

B. x是釷核中的一個中子轉(zhuǎn)化成一個質(zhì)子時產(chǎn)生的

C. γ射線是鏷原子核外電子躍遷放出的

D. 1g經(jīng)過120天后還剩0.2g

查看答案和解析>>

同步練習冊答案