一定質(zhì)量的理想氣體（ ）
A．先等壓膨脹，再等容降溫，其溫度必低于初始溫度
B．先等溫膨脹，再等壓壓縮，其體積必小于初始體積
C．先等容升溫，再等壓壓縮，其溫度有可能等于初始溫度
D．先等容加熱，再等壓壓縮，其壓強(qiáng)必大于初始?jí)簭?qiáng)
【答案】分析：根據(jù)氣體狀態(tài)方程=C和已知的變化量去判斷其它的物理量．
解答：解：A、先等壓膨脹，根據(jù)氣體狀態(tài)方程=C，所以溫度一定升高．再等容降溫，最后的溫度不一定低于起始溫度，故A錯(cuò)誤．
B、先等溫膨脹，體積增大，再等壓壓縮，體積減小．最后的體積不一定小于初始體積．故B錯(cuò)誤．
C、先等容升溫，溫度一定升高，再等壓壓縮，體積減小，根據(jù)氣體狀態(tài)方程=C，所以溫度降低．所以最后的溫度可能等于起始溫度．故C正確．
D、從熱力學(xué)第一定律知等容加熱氣體，是氣體只吸收熱量，內(nèi)能增加，再絕熱壓縮，是只對(duì)氣體做功，內(nèi)能一定增加，所以內(nèi)能必大于起始內(nèi)能，故D正確．
故選CD．
點(diǎn)評(píng)：在應(yīng)用氣體狀態(tài)方程=C時(shí)，先找出不變量，在根據(jù)變化量判斷未知量．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

一定質(zhì)量的理想氣體，從初始狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B、C、D再回到狀態(tài)A，其體積V與溫度T的關(guān)系如圖所示．圖中TA、VA和TD為已知量．
①?gòu)臓顟B(tài)A到B，氣體經(jīng)歷的是
等容
等容
過程（填“等溫”“等容”或“等壓”）；
②從B到C的過程中，氣體的內(nèi)能
不變
不變
（填“增大”“減小”或“不變”）；
③從C到D的過程中，氣體對(duì)外
做負(fù)功
做負(fù)功
（填“做正功”“做負(fù)功”或“不做功”），同時(shí)
放熱
放熱
（填“吸熱”或“放熱”）；
④氣體在狀態(tài)D時(shí)的體積VD=
TD
TA
VA
TD
TA
VA
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【物理--選修3-3】
（1）對(duì)一定質(zhì)量的理想氣體，下列說法正確的是
BCE
BCE
．
A．氣體的體積是所有氣體分子的體積之和
B．氣體溫度越高，氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)就越劇烈
C．氣體對(duì)容器的壓強(qiáng)是由大量氣體分子對(duì)容器不斷碰撞而產(chǎn)生的
D．當(dāng)氣體膨脹時(shí)，氣體的內(nèi)能一定減少
E．在壓強(qiáng)不變而體積增大時(shí)，單位時(shí)間碰撞容器壁單位面積的分子數(shù)一定減少
（2）一定質(zhì)量理想氣體的p-V圖象如圖所示，其中a→b為等容過程，b→c為等壓過程，c→a為等溫過程，已知?dú)怏w在狀態(tài)a時(shí)的溫度Ta=300K，在狀態(tài)b時(shí)的體積Vb=22.4L求：
①氣體在狀態(tài)c時(shí)的體積Vc；
②試比較氣體由狀態(tài)b到狀態(tài)c過程從外界吸收的熱量Q與對(duì)外做功W的大小關(guān)系，并簡(jiǎn)要說明理由．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（選修3-3模塊）一定質(zhì)量的理想氣體初始狀態(tài)為（P0，V0），分別經(jīng)過三個(gè)不同的過程變到末狀態(tài)（P0，2V0）．
①等溫膨脹變?yōu)?V0，再等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量為Q1；
②等壓膨脹到（P0，2V0），吸收的熱量為Q2；
③先等容降壓到0.5P0，再等壓膨脹到2V0，最后等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量Q3；
則Q1、Q2、Q3的大小關(guān)系是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模）一定質(zhì)量的理想氣體在等容變化過程中測(cè)得，氣體在0℃時(shí)的壓強(qiáng)為p0，10℃時(shí)的壓強(qiáng)為p10，氣體在15℃時(shí)的壓強(qiáng)為p，則在下列各表達(dá)式正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

下列說法中不正確的是（　�。�
A、布朗運(yùn)動(dòng)是由液體分子從各個(gè)方向?qū)腋×Ｗ幼矒糇饔玫牟黄胶庖鸬?/span>B、對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體，若單位體積內(nèi)分子個(gè)數(shù)不變，當(dāng)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇時(shí)，壓強(qiáng)一定變大C、當(dāng)兩個(gè)分子間的距離為r0（平衡位置）時(shí)，分子勢(shì)能最小且一定為零D、單晶體和多晶體均存在固定的熔點(diǎn)

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