如圖所示，一塊長為b，寬為a，厚為h=0.1mm的銅片，放在B=1.5T的勻強磁場中，磁場方向與銅片表面垂直．若銅片中通有自左向右的I=2A的電流時，銅片前后兩側(cè)面會形成一個電勢差．金屬導線中電流I與自由電子定向移動速度v、導線橫截面積S間存在關(guān)系I=neSv，式中n為單位體積內(nèi)的自由電子個數(shù)，若每個金屬導體中每個原子僅提供一個自由電子(即自由電子數(shù)與金屬內(nèi)所含原子數(shù)相同)，試求：

(1)銅片前后側(cè)面哪一面電勢高?電勢差為多少?
(2)在磁場和電流不變的條件下，如何改變金屬片尺寸，可以增大該電勢差?
(銅的密度近似為9.0×，銅的原子量近似為60，阿伏伽德羅常數(shù)為6.0×，電子電量為1.6×C)
（1）        （2）減小h可增大U

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖所示，一對平行放置的金屬板M、N的中心各有一小孔P、Q、PQ連線垂直金屬板；N板右側(cè)的圓A內(nèi)分布有方向垂直于紙面向外的勻強磁場，磁感應強度大小為B，圓半徑為r，且圓心O在PQ的延長線上�，F(xiàn)使置于P處的粒子源連續(xù)不斷地沿PQ方向放出質(zhì)量為m、電量為+q的帶電粒子（帶電粒子的重力和初速度忽略不計，粒子間的相互作用力忽略不計），從某一時刻開始，在板M、N間加上如圖乙所示的交變電壓，周期為T，電壓大小為U。如果只有在每一個周期的0—T/4時間內(nèi)放出的帶電粒子才能從小孔Q中射出，求：
（1）在每一個周期內(nèi)哪段時間放出的帶電粒子到達Q孔的速度最大？
（2）該圓形磁場的哪些地方有帶電粒子射出，在圖中標出有帶電粒子射出的區(qū)域。
 

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖2—3所示的矩形線框abcd放置在水平面內(nèi)，磁場方向與水平面成θ角，已知sinθ= 4/5，回路面積為S，磁感應強度為B，則通過線框的磁通量為
A．BS
B．4BS/5
C．3BS/5
D．3BS/4

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

一個圓柱形玻璃管里面剛好裝了半管水銀，水銀質(zhì)量為m，玻璃管水平固定在豎直向下的勻強磁場中，磁感應強度為B，如圖11-28所示為玻璃管的截面圖.如有電流I通過水銀向紙內(nèi)方向流過，當水銀面再次平衡時，測得水銀面上表面與豎直方向的夾角為α.求此時水銀受到的安培力及玻璃管對水銀的支持力.

圖11-28

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，半圓形光滑槽固定在地面上，勻強磁場與槽面垂直，將質(zhì)量為m的帶電小球自槽口A處由靜止釋放，小球到達槽最低點C處時，恰好對槽無壓力.則小球在以后的運動過程中對C的最大壓力為(   )
A．0B．2mgC．4mgD．6mg

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：實驗題

（4分）如圖所示，x軸上、下方各存在一個勻強磁場B1和B2的方向垂直紙面向外，B2的方向垂直紙面向里，且B1>B2，有一質(zhì)子（質(zhì)量為m、電量為e）以垂直于x軸和磁場方向的速度v從原點O射向磁場B1區(qū)域內(nèi)，先后經(jīng)過磁場B1和B2各偏轉(zhuǎn)一次，則質(zhì)子由B2區(qū)域進入B1區(qū)域時穿過x軸的坐標是___________。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

如圖所示是利用“霍爾元件”測量磁場的磁感應強度的示意圖．“霍爾元件”是由半導體材料制成的矩形薄片，它的四邊各有一條引線．把它放入勻強磁場中，使薄片平面與磁場方向垂直，A．B兩引線與直流電源相連，C．D兩引線與電壓表相連．已知該半導體材料中單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù)為n、每個自由電荷的電量為q，元件的A．B兩邊距離為A．C．D兩邊距離為B．厚度為d，通過電流表讀出元件中通過的電流為I、從電壓表讀出電壓為U．

(1)已知磁場方向向下，C．D兩引線哪邊的電勢較高？
(2)求磁感應強度B的大小．
 

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

一根通有電流的長直導線豎直放置，另有一矩形導線框的電流平面放在豎直平面內(nèi)，通有如圖所示得電流。到平面得距離為，邊長，，且和兩邊所在處的磁感應強度大小均為（由產(chǎn)生）。求和所受安培力的大小，并說明方向。

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

在勻強磁場中有一個靜止的氡原子核（），由于衰變它放射出一個粒子，此粒子的徑跡與反沖核的徑跡是兩個相外切的圓，大圓與小圓的直徑之比為42∶1,如右圖所示.那么氡核的衰變方程應是下列方程的（   ）
A．→+
B．→+
C．→+
D．→+21H

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