如圖所示，把一個(gè)平行板電容器與一個(gè)靜電計(jì)相連接后，給電容器帶上一定電量，靜電計(jì)指針的偏轉(zhuǎn)指示出電容器兩板間的電勢(shì)差，現(xiàn)保持極板M不動(dòng)，而要使靜電計(jì)指針的偏角增大，可采取的辦法是（　�。�
分析：兩極板上的電量不變；要使張角張大，則應(yīng)增大兩板間的電勢(shì)差；根據(jù)電容的定義式及平行板電容器的決定式可以分析各選項(xiàng)能否使張角增大．
解答：解：電容器的電容決定式C=?
s
4πkd
，定義式C=
Q
U
；
A、當(dāng)N板右移時(shí)，d減小，則C增大，由定義式可知，U減小，故A錯(cuò)誤；
B、N板左移時(shí)，d增大，則C減小，故U增大，故B正確；
C、N極板上移時(shí)，正對(duì)面積減小，則C減小，故U增大，故C正確；
D、插入電介質(zhì)時(shí)，C增大，則U減小，故D錯(cuò)誤；
故選：BC．
點(diǎn)評(píng)：于電容器的動(dòng)態(tài)分析，首先要明確不變量，然后再由定義式和決定式確定電勢(shì)差的變化．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，把一個(gè)面積為4.0×10-2m2的單匝線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為2.0×10-2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過線圈平面的磁通為
0
0
Wb；當(dāng)線圈繞OO軸轉(zhuǎn)動(dòng)至與磁場(chǎng)方向垂直時(shí)，穿過線平面的磁通量為
8
8
×10-4Wb；在此轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，穿過線圈平面的磁通量變
大
大
．（填“大”或“小”）

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，把一個(gè)面積為S的單匝矩形線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過線圈平面的磁通量為
0
0
；當(dāng)線圈以ab邊為軸轉(zhuǎn)過90°時(shí)，穿過線圈平面的磁通量為
BS
BS
；在此轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中，穿過線圈平面的磁通量變
大
大
．（填“大”或“小”）

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2005?昌平區(qū)模擬）如圖所示，把一個(gè)面積為4.0×10-2m2的單匝矩形線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為2.0×10-2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，當(dāng)線圈平面與磁場(chǎng)方向平行時(shí)，穿過線圈平面的磁通量為
0
0
Wb；當(dāng)線圈繞OO’軸轉(zhuǎn)動(dòng)至與磁場(chǎng)方向垂直位置時(shí)，穿過線圈平面的磁通量為
8×10-4
8×10-4
Wb．

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科目：高中物理 來源：河北省期中題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖所示，把一個(gè)平行玻璃板壓在另一個(gè)平行玻璃板上，一端用薄片墊起，構(gòu)成空氣劈尖。讓單色光從上方射入，這時(shí)可以看到亮暗相間的條紋。下面關(guān)于條紋的說法中正確的是
[     ]
A．干涉條紋的產(chǎn)生是由于光在空氣劈尖膜的前后兩表面反射形成的兩列光波疊加的結(jié)果
B．干涉條紋中的暗紋是由于上述兩列反射光的波谷與波谷疊加的結(jié)果
C．將上玻璃板平行上移，條紋向著劈尖移動(dòng)
D．觀察薄膜干涉條紋時(shí)，應(yīng)在入射光的另一側(cè)

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科目：高中物理 來源：期末題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖所示，把一個(gè)平行玻璃板壓在另一個(gè)平行玻璃板上，一端用薄片墊起，構(gòu)成空氣劈尖。讓單色光從上方射入，這時(shí)可以看到亮暗相間的條紋。下面關(guān)于條紋的說法中正確的是
[     ]
A．干涉條紋的產(chǎn)生是由于光在空氣劈尖膜的前后兩表面反射形成的兩列光波疊加的結(jié)果
B．干涉條紋中的暗紋是由于上述兩列反射光的波谷與波谷疊加的結(jié)果
C．將上玻璃板平行上移，條紋向著劈尖移動(dòng)
D．觀察薄膜干涉條紋時(shí)，應(yīng)在入射光的另一側(cè)

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