集成電路應(yīng)用廣泛、集成度越來越高,現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個元件,目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個元件的目標(biāo)邁進(jìn),集成度越高,各種電子元件越微型化,如圖一是我國自行研制成功的中央處理器(CPU)芯片“龍芯”1號,如圖二中,R1和R2是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體,但R2的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R1的尺寸,通過兩導(dǎo)體的電流方向如圖2,則這兩個導(dǎo)體的電阻R1、R2的關(guān)系說法正確的是( )
A.R1>R2 B.R1<R2 C.R1=R2 D.無法確定
科目:高中物理 來源:2014-2015學(xué)年廣東湛江師范學(xué)院附屬中學(xué)等高二上期期中聯(lián)考物理卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法中正確的是( ).
A.電場線密集處場強(qiáng)大,電勢高
B.沿電場線方向場強(qiáng)減小,電勢降低
C.在電勢高處電荷具有的電勢能也大
D.場強(qiáng)為零處,電勢不一定為零
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科目:高中物理 來源:2014-2015學(xué)年福建長泰縣第一中學(xué)高二上期期中考試物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,一個絕緣光滑半圓軌道放在豎直向下的勻強(qiáng)電場中,場強(qiáng)為E,在其上端與圓心等高處有一個質(zhì)量為m,帶電荷量為+q的小球由靜止開始下滑,則
A.小球運動過程中機(jī)械能守恒
B.小球經(jīng)過最低點時動能與電勢能之和最小
C.小球在最低點時機(jī)械能最大
D.小球在最低點對環(huán)的壓力大小為(mg+qE)
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第六章6.4練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
(2014?眉山模擬)下列說法中正確的是( )
A.愛因斯坦提出:對不同的慣性系,物理規(guī)律是不一樣的
B.在電磁波發(fā)射技術(shù)中,把傳遞信號“加”到載波上的過程叫調(diào)諧
C.熱敏電阻對溫度變化很敏感,常用于測量溫度或過熱保護(hù)
D.紅外線具有顯著的熱效應(yīng),溫度較低的物體不能輻射紅外線
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第六章6.3練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
人類社會已經(jīng)進(jìn)入了信息化時代,下列選項中不屬于現(xiàn)代信息技術(shù)的三大基礎(chǔ)的是( )
A.信息的拾取 B.信息的推廣 C.信息的處理 D.信息的傳輸
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第六章6.1練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
(2012?楊浦區(qū)一模)美國科學(xué)家Willard S.Boyle與George E.Snith因電荷耦合器件(CCD)的重要發(fā)明榮獲2009年度諾貝爾物理學(xué)獎.CCD是將光學(xué)量轉(zhuǎn)變成電學(xué)量的傳感器,下列器件可作為傳感器的有( )
A.發(fā)光二極管 B.熱敏電阻 C.小燈泡 D.干電池
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第一章1.5練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
(2014?岳陽模擬)如圖所示,兩極板水平放置的平行板電容器與電動勢為E的直流電源連接,下極板接地.靜電計外殼接地.閉合電鍵S時,帶負(fù)電的油滴恰好靜止于電容器中的P點.下列說法正確的是( )
A.若將A極板向下平移一小段距離,平行板電容器的電容將變小
B.若將A極板向上平移一小段距離,靜電計指針張角變小
C.若將A極板向下平移一小段距離,P點電勢將升高
D.若斷開電鍵S,再將A極板向下平移一小段距離,則帶電油滴將向下運動
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第一章1.4練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
(2015?北京)在如圖所示的電路中,已知電源的電動勢E=3.0V,內(nèi)電阻r=1.0Ω,電阻R=5.0Ω.閉合開關(guān)S后,電阻R兩端的電壓等于( )
A.0.5V B.0.6V C.2.5V D.3.0V
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科目:高中物理 來源:[同步]2015年人教版高中物理選修2-1第四章4.2練習(xí)卷(解析版) 題型:?????
(2015?貴州一模)如圖甲所示電路,理想變壓器原線圈輸入電壓如圖乙所示,副線圈電路中R0為定值電阻,R是滑動變阻器,C為耐壓值為22v的電容器,所有電表均為理想電表.下列說法正確的是( )
A.副線圈兩端電壓的變化頻率為0.5Hz
B.電流表的示數(shù)表示的是電流的瞬時值
C.滑動片P向下移時,電流表A1和A2示數(shù)均增大
D.為保證電容器C不被擊穿,原副線圈匝數(shù)比應(yīng)小于10:1
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