(16分)如圖甲所示,熱電子由陰極飛出時(shí)的初速度忽略不計(jì),電子發(fā)射裝置的加速電壓為U0,偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)板間距離L=8cm,極板長(zhǎng)為2L,下極板接地,偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板右端到熒光屏的距離也是2L,在兩極板間接有一交變電壓,電壓變化周期T=4s,上極板的電勢(shì)隨時(shí)間變化的圖象如圖乙所示,大量電子從偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中央持續(xù)射入,穿過平行板的時(shí)間都極短,可以認(rèn)為電子穿過平行板的過程中電壓是不變的。

⑴求電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的速度v0(用電子比荷、加速電壓U0表示);
⑵在電勢(shì)變化的每個(gè)周期內(nèi)熒光屏?xí)霈F(xiàn)“黑屏”現(xiàn)象,即無電子擊中屏幕,求每個(gè)周期內(nèi)的“黑屏”時(shí)間有多長(zhǎng);
⑶求熒光屏上有電子打到的區(qū)間的長(zhǎng)度。
⑴v0⑵t=1s;

試題分析:⑴根據(jù)題意可知,電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的速度即為電子出加速電場(chǎng)時(shí)的速度,根據(jù)動(dòng)能定理有:eU0-0
解得電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的速度為:v0
⑵電子射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后做勻速直線運(yùn)動(dòng)至熒光屏,由圖甲可知,只要電子能射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),即可打到熒光屏上,因此當(dāng)電子在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中側(cè)移量大于L/2時(shí),電子將打在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的極板上,致使出現(xiàn)“黑屏”現(xiàn)象,設(shè)電子剛好能射出電場(chǎng)時(shí)的偏轉(zhuǎn)電壓為Um,則有:
解得:Um=0.5U0
結(jié)合圖乙可知,在偏轉(zhuǎn)電壓u=0.8U0~0.5U0之間變化時(shí),進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的電子無法射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)打到光屏上,因此每個(gè)周期時(shí)間內(nèi)熒光屏出現(xiàn)“黑屏”的時(shí)間為:t==1s
⑶設(shè)電子射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)的側(cè)移量為y,打在熒光屏上的位置到O的距離為Y,如下圖所示,由圖中幾何關(guān)系有:=3

當(dāng)電子向上偏轉(zhuǎn)時(shí),在屏上出現(xiàn)的最大距離為:Y1=3×=12cm
當(dāng)電子向下偏轉(zhuǎn)時(shí),在屏上出現(xiàn)的最大距離為:Y2=3××=9.6cm
所以熒光屏上有電子打到的區(qū)間的長(zhǎng)度為:l=Y(jié)1+Y2=21.6cm
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求:(1)在時(shí)刻釋放該帶電粒子,釋放瞬間粒子加速度的大。
(2)若A板電勢(shì)變化周期T=1.0X10-5s,在時(shí)將帶電粒子從緊臨B板處無初速釋放,粒子到達(dá)A板時(shí)速度的大。
(3)A板電勢(shì)變化頻率多大時(shí),在t=T/4到t=T/2時(shí)間內(nèi)從緊臨B板處無初速釋放該帶電粒子,粒子不能到達(dá)A板。

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,則:

(1)求從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)(B點(diǎn)的縱坐標(biāo)為L(zhǎng))處由靜止釋放電子,到達(dá)區(qū)域Ⅱ的M點(diǎn)時(shí)的速度;
(2) 求(1)中的電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(3)證明在電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線上任何一點(diǎn)處,由靜止釋放電子恰能從MNPQ區(qū)域左下角P點(diǎn)離開;

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如圖所示,M、N為兩個(gè)固定的等量同種正電荷,在其連線的中垂線上的P點(diǎn)(離O點(diǎn)很近)由靜止開始釋放一電荷量為-q的點(diǎn)電荷,不計(jì)重力,下列說法中正確的是
A.點(diǎn)電荷在從P到O的過程中,加速度越來越大,速度也越來越大
B.點(diǎn)電荷在從P到O的過程中,加速度越來越小,速度也越來越小
C.點(diǎn)電荷運(yùn)動(dòng)到O點(diǎn)時(shí)加速度為零,速度達(dá)最大值
D.點(diǎn)電荷越過O點(diǎn)后,速度越來越小,加速度越來越大,直到粒子速度為零

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A.M在P點(diǎn)的電勢(shì)能一定小于它在Q點(diǎn)的電勢(shì)能
B.P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)一定小于Q點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)
C.P點(diǎn)的電勢(shì)一定高于Q點(diǎn)的電勢(shì)
D.M在P點(diǎn)的動(dòng)能一定大于它在Q點(diǎn)的動(dòng)能

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B.可能做勻速直線運(yùn)動(dòng)
C.電場(chǎng)力一定會(huì)做功
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(1)勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大;
(2)粒子從電場(chǎng)射出時(shí)速度ν的大。
(3)粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R。

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