如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力)。
1.在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置。
2.在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置。
3.若將左側(cè)電場II整體水平向右移動(dòng)(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動(dòng)),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。
1.(-2L,L)
2.xy = ,即在電場I區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置
3.xy =L2( + )
解析:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,電子在電場I中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域I時(shí)的為υ0,此后電場II做類平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,有
eEL =mυ
– y = at2 =( )2
解得 y = L,所以原假設(shè)成立,即電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,L)
(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場I中電子被加速到υ1,然后進(jìn)入電場II做類平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開,有
eEx =mυ12
y =at2 =( )2
解得 xy = ,即在電場I區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置。
(3)設(shè)電子從(x,y)點(diǎn)釋放,在電場I中加速到υ2,進(jìn)入電場II后做類平拋運(yùn)動(dòng),在高度為y′處離開電場II時(shí)的情景與(2)中類似,然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過D點(diǎn),則有
eEx =mυ22 y– y′ = at2 =( )2
υy = at = ,y′ = υy
解得 xy = L2( + ),即在電場I區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置
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L | n |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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