20.在“用油膜法估測(cè)分子大小”的實(shí)驗(yàn)中,油酸酒精溶液的濃度為每1000mL油酸酒精溶液中有油酸0.5mL,現(xiàn)用滴管向量筒內(nèi)滴加50滴上述溶液,量筒中的溶液體積增加了1mL,若把一滴這樣的油酸酒精溶液滴入足夠大盛水的淺盤中,由于酒精溶于水,油酸在水面展開,穩(wěn)定后形成的油膜形狀如圖所示,若每一小方格的邊長為25mm,回答下列問題:
(1)這種估測(cè)方法是將每個(gè)油酸分子視為球形模型,讓油酸盡可能地在水面上散開形成油膜,這層油膜的厚度可視為油酸分子直徑,由題中相關(guān)信息可估測(cè)出油酸分子的直徑是2×10-10m(結(jié)果保留一位有效數(shù)字).
(2)實(shí)驗(yàn)中,某同學(xué)有下列操作,其中正確的是C.
A.在距水面約10cm的位置滴入油酸酒精溶液
B.為便于油酸擴(kuò)散形成油膜,可多滴幾滴油酸酒精溶液
C.實(shí)驗(yàn)前將盛水盤用洗滌劑清洗并用清水沖洗干凈
D.順著盤壁滴入油酸酒精溶液,以免對(duì)痱子粉膜造成沖擊.

分析 (1)掌握該實(shí)驗(yàn)的原理是解決問題的關(guān)鍵,該實(shí)驗(yàn)中以油酸分子呈球型分布在水面上,且一個(gè)挨一個(gè),從而可以由體積與面積相除求出油膜的厚度,從而求出分子直徑,不滿足半格,則去除,超過半格,當(dāng)作一格來處理,從而求得面積.
(2)明確用“油膜法”估測(cè)分子大小的實(shí)驗(yàn)原理:認(rèn)為油酸分子是緊密排列的,而且形成的油膜為單分子油膜,然后用每滴油酸酒精溶液所含油酸體積除以油膜面積得出的油膜面積厚度即為油酸分子直徑.

解答 解:(1)這種估測(cè)方法是將每個(gè)分子視為球體模型,讓油酸盡可能地在水面上散開,則形成的油膜可視為單分子油膜,這層油膜的厚度可視為油分子的直徑.
油膜的面積可從方格紙上得到,所圍成的方格中,面積超過一半按一半算,小于一半的舍去,圖中共有68個(gè)方格,
故油膜面積為:S=68×25mm×25mm=42500mm2=4.3×10-2m2
每一滴油酸酒精溶液中含有純油酸體積是:V=$\frac{1}{50}$×10-6×$\frac{0.5}{1000}$m3=1.0×10-11m3
油酸分子的直徑:d=$\frac{V}{S}$=$\frac{1.0×1{0}^{-11}}{4.3×1{0}^{-2}}$≈2.33×10-10m
題要求保留1個(gè)有效數(shù)字,所以油酸分子的直徑為:2×10-10m.
(2)A、距離水面高度太高,故A錯(cuò)誤;
B、多滴幾滴油酸酒精溶液,不便于擴(kuò)散,故B錯(cuò)誤;
C、用洗滌劑清洗并用清水沖洗干凈,防止油酸不真實(shí),故C正確;
D、實(shí)驗(yàn)中滴入時(shí),在中央滴入油酸酒精溶液,故D錯(cuò)誤.
故答案為:(1)油酸分子直徑;2×10-10;(2)C.

點(diǎn)評(píng) 在油膜法估測(cè)分子大小的實(shí)驗(yàn)中,讓一定體積的純油酸滴在水面上形成單分子油膜,估算出油膜面積,從而求出分子直徑,關(guān)鍵掌握估算油膜面積的方法和求純油酸體積的方法,注意保留有效數(shù)字.解答本題關(guān)鍵要建立這樣的模型:油酸分子呈球型分布在水面上,且一個(gè)挨一個(gè),再分析誤差的大小.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:解答題

10.如圖所示為實(shí)驗(yàn)室中驗(yàn)證動(dòng)量守恒的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖.(1)若入射小球質(zhì)量為m1,半徑為r1;被碰小球質(zhì)量為m2,半徑為r2,則C.
A.m1>m2,r1>r2 B.m1>m2,r1<r2
C.m1>m2,r1=r2 D.m1<m2,r1=r2
(2)為完成此實(shí)驗(yàn),以下所提供的測(cè)量工具中必需的是AC.(填下列對(duì)應(yīng)的字母)
A.直尺  B.游標(biāo)卡尺   C.天平   D.彈簧秤   E.秒表.
(3)設(shè)入射小球的質(zhì)量為m1,被碰小球的質(zhì)量為m2,P為碰前入射小球落點(diǎn)的平均位置,則關(guān)系式(用m1、m2及圖中字母表示)m1$\overline{OP}$=m1$\overline{OM}$+m2$\overline{ON}$成立,即表示碰撞中動(dòng)量守恒.
(4)氡222是一種天然放射性氣體,被吸入人后,會(huì)對(duì)人的呼吸系統(tǒng)造成輻射損傷.它是世界衛(wèi)生組織公布的主要環(huán)境致癌物質(zhì)之一,其衰變方程是${\;}_{86}^{222}$Rn→${\;}_{84}^{218}$Po+(或α),.已知${\;}_{86}^{222}$Rn的半衰期約為3.8天,則約經(jīng)過15.2天,16g的${\;}_{86}^{222}$Rn衰變后還剩1g.

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11.質(zhì)量為m的小物塊,從離桌面高H處由靜止下落,桌面離地面高為h,如圖所示.如果以桌面為參考平面,那么小物塊落地時(shí)的重力勢(shì)能及整個(gè)過程中重力勢(shì)能的變化情況分別是( 。
A.mgh,減少mg(H-h)B.mgH,增加mg(H+h)C.-mgh,減少mg(H+h)D.-mgH,減少mg(H+h)

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8.如圖,F(xiàn)-r圖象中兩條曲線表示兩分子間引力、斥力的大小隨分子間距離的變化關(guān)系,其中縱坐標(biāo)F表示兩分子間引力、斥力的大小,橫坐標(biāo)r表示兩個(gè)分子間的距離,e為兩曲線的交點(diǎn),則(  )
A.ab為斥力曲線,cd為引力曲線
B.當(dāng)r>re時(shí),分子間作用力的合力表現(xiàn)為斥力
C.當(dāng)r=re時(shí),分子勢(shì)能為0
D.當(dāng)r<re時(shí),若減小分子間的距離,分子勢(shì)能將增大

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15.下列關(guān)于光電效應(yīng)的說法正確的是(  )
A.同一頻率的光照射不同的金屬,如果都能發(fā)生光電效應(yīng),則逸出功大的金屬產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能也越大
B.某種金屬的逸出功為W,則該金屬發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),所產(chǎn)生的所有光電子克服金屬束縛做的功均為W
C.當(dāng)某單色光照射金屬表面時(shí)發(fā)生了光電效應(yīng),則單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的光電子數(shù)隨入射光的強(qiáng)度增大而增多
D.光某單色光照射金屬表面時(shí)發(fā)生了光電效應(yīng),則產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能與入射光的頻率成正比

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5.一個(gè)靜止的母核發(fā)生α衰變,產(chǎn)生的α粒子和子核的動(dòng)能之和稱為這個(gè)母核的α衰變能.
(1)若在一次α衰變中靜止的母核放出的α粒子動(dòng)能為E,又知α粒子質(zhì)量為m,子核Y的質(zhì)量為M,求母核的α衰變能.
(2)若母核釋放的核能全部轉(zhuǎn)化為α粒子和子核的動(dòng)能,試分別判斷${\;}_{28}^{44}$Cu和${\;}_{94}^{212}$Po能否發(fā)生α衰變?若能,求出其α衰變能(lu相當(dāng)于931.5MeV,結(jié)果保留三位有效數(shù)字)
附:一些原子核的靜止質(zhì)量
原子核原子質(zhì)量(u)
${\;}_{2}^{4}$He4.0026
${\;}_{27}^{60}$Co59.9338
${\;}_{28}^{64}$Cu63.9298
${\;}_{92}^{208}$Pb207.9766
${\;}_{84}^{212}$Po211.9889

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12.2006年美國和俄羅斯的科學(xué)家利用回旋加速器,通過(鈣48)轟擊(锎39)發(fā)生核反應(yīng),成功合成了第118號(hào)元素.實(shí)驗(yàn)表明,該元素的原子核先放出3個(gè)相同的粒子x,再連續(xù)經(jīng)過3次α衰變后.變成質(zhì)試數(shù)為282的第112號(hào)元素的原子核.則上述過程中的粒子x是( 。
A.質(zhì)子B.中子C.電子D.α粒子

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9.下列單位中屬于國際單位制的基本單位的是( 。
A.庫侖B.千克C.D.牛頓

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10.如圖甲所示,一對(duì)足夠長平行、粗糙、電阻不計(jì)的導(dǎo)軌固定在水平面上,導(dǎo)軌間距l(xiāng)=1m,左端之間用R=3Ω的電阻連接.一根質(zhì)量m=0.5kg、電阻r=1Ω、長度也為1m的導(dǎo)體桿垂直導(dǎo)軌靜置在兩導(dǎo)軌上,整個(gè)裝置處于豎直向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.現(xiàn)用水平向右的拉力F拉導(dǎo)體桿、拉力F與時(shí)間t的關(guān)系如圖乙所示,導(dǎo)體桿恰好做勻加速直線運(yùn)動(dòng),在0~2s內(nèi)拉力F所做的功為W=$\frac{68}{3}$J,重力加速度g取10m/s2.求:

(1)導(dǎo)體桿與導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ;
(2)在0~2s內(nèi)通過電阻R的電量q;
(3)在0~2s內(nèi)電阻R上產(chǎn)生的熱量Q.

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