如圖所示,兩平行的光滑金屬導(dǎo)軌安裝在一傾角為α的光滑絕緣斜面上,導(dǎo)軌間距為L(zhǎng),電阻忽略不計(jì)且足夠長(zhǎng),一寬度為d的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于斜面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.另有一長(zhǎng)為2d的絕緣桿將一導(dǎo)體棒和一邊長(zhǎng)為d(d<L)的正方形線框連在一起組成的固定裝置,總質(zhì)量為m,導(dǎo)體棒中通有大小恒為I的電流.將整個(gè)裝置置于導(dǎo)軌上,開(kāi)始時(shí)導(dǎo)體棒恰好位于磁場(chǎng)的下邊界處.由靜止釋放后裝置沿斜面向上運(yùn)動(dòng),當(dāng)線框的下邊運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)的上邊界MN處時(shí)裝置的速度恰好為零.重力加速度為g.
(1)求剛釋放時(shí)裝置加速度的大;
(2)求這一過(guò)程中線框中產(chǎn)生的熱量;
(3)在圖(b)中定性地畫(huà)出整個(gè)裝置向上運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的速度-時(shí)間(v-t)圖象;
(4)之后裝置將向下運(yùn)動(dòng),然后再向上運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)若干次往返后,最終整個(gè)裝置將在斜面上作穩(wěn)定的往復(fù)運(yùn)動(dòng).求穩(wěn)定后裝置運(yùn)動(dòng)的最高位置與最低位置之間的距離.
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分析:(1)裝置受重力、支持力和安培力作用,向上加速運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律求解加速度
(2)從釋放裝置到線框的下邊運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)的上邊界MN過(guò)程中,用動(dòng)能定理可求線框所受安培力對(duì)線框做功的大小為W,此功的數(shù)值等于線框中產(chǎn)生的熱量
(3)第一段,初速度為零的勻加速運(yùn)動(dòng);第二段,加速度比第一段小的勻減速運(yùn)動(dòng);第三段,加速度減小的減速運(yùn)動(dòng),最終速度為零)
(4)裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)的最高位置:線框的上邊位于磁場(chǎng)的下邊界,此時(shí)金屬棒距磁場(chǎng)上邊界d;往復(fù)運(yùn)動(dòng)到最低位置時(shí),金屬棒在磁場(chǎng)內(nèi),設(shè)距離上邊界x,根據(jù)棒所受安培力做功等于裝置的重力做功建立聯(lián)系,列方程求解
解答:解:(1)裝置受重力、支持力和安培力作用,沿導(dǎo)軌向上加速運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律得:ma=BIL-mgsinθ,
可得:a=
BIL
m
-gsinθ
(2)設(shè)裝置由靜止釋放到線框的下邊運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)的上邊界MN的過(guò)程中,線框所受安培力對(duì)線框做功的大小為W,根據(jù)動(dòng)能定理有:
0-0=BIL?d-mgsinθ?4d-W
解得:W=BILd-4mgdsinθ
線框中產(chǎn)生的熱量:Q=W=BILd-4mgdsinθ 
(3)答案見(jiàn)圖(三段運(yùn)動(dòng)圖象各(1分):第一段,初速度為零的勻加速運(yùn)動(dòng);第二段,加速度比第一段小的勻減速運(yùn)動(dòng);第三段,加速度減小的減速運(yùn)動(dòng),最終速度為零)
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(4)裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)的最高位置:線框的上邊位于磁場(chǎng)的下邊界,此時(shí)金屬棒距磁場(chǎng)上邊界d;往復(fù)運(yùn)動(dòng)到最低位置時(shí),金屬棒在磁場(chǎng)內(nèi),設(shè)距離上邊界x,
mgsinθ?(x+d)=BIL?x
可解出x=
mgdsinθ
BIL-mgsinθ

精英家教網(wǎng)最高位置與最低位置之間的距離為x+d=
BILd
BIL-mgsinθ

答:(1)求剛釋放時(shí)裝置加速度的大小為可得
BIL
m
-gsinθ
(2)求這一過(guò)程中線框中產(chǎn)生的熱量為BILd-4mgdsinθ
(3)整個(gè)裝置向上運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的速度-時(shí)間(v-t)圖象為;
(4)穩(wěn)定后裝置運(yùn)動(dòng)的最高位置與最低位置之間的距離為
BILd
BIL-mgsinθ
點(diǎn)評(píng):注意當(dāng)線框在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí),安培力做功從而產(chǎn)生熱量.該題考查了動(dòng)能定理以及微元法在磁場(chǎng)中的運(yùn)用,微元法思想的滲透對(duì)加深學(xué)生對(duì)物理概念、物理規(guī)律的理解,提高解決物理問(wèn)題的能力有很大的幫助.該題難度很大,涉及的知識(shí)點(diǎn)比較多,對(duì)同學(xué)們的能力要求很高,屬于難題
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如圖所示,兩平行金屬板間有一勻強(qiáng)電場(chǎng),板長(zhǎng)為l,板間距離為d,在板右端l處有一豎直放置的光屏M.一帶電荷量為q、質(zhì)量為m的質(zhì)點(diǎn)從兩板中央射入板間,最后垂直打在M屏上,則下列結(jié)論正確的是(  )

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3
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