分析 (1)根據(jù)2s時(shí)刻的電流通過閉合電路歐姆定律求出感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),從而根據(jù)E=BLv求出桿ab的速度大。
(2)根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律求出平均感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),從而得出平均電流,根據(jù)q=It求出2秒內(nèi)通過金屬桿ab橫截面的電量q.也可以通過I-t圖線與時(shí)間軸所圍成的面積表示電量進(jìn)行求解.
(3)通過閉合電路歐姆定律,結(jié)合切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小公式,推導(dǎo)出速度與時(shí)間的關(guān)系,看是否成正比關(guān)系,從而判斷金屬桿是否做勻加速直線運(yùn)動(dòng).通過v=at得出加速度的大。
解答 解:(1)設(shè)2s時(shí)刻的速度為v2,桿ab切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:E=BLv2
根據(jù)閉合電路歐姆定律有:E=i( R+r )
由以上兩式解得:v2=$\frac{i(R+r)}{BL}=\frac{0.5(0.4+0.2)}{0.5×0.3}m/s=2m/s$
(2)方法一:$q=\bar I△t=\frac{\bar E}{R+r}△t=\frac{BS}{△t(R+r)}△t=\frac{BS}{R+r}=\frac{{BL\frac{1}{2}a{t^2}}}{R+r}=0.5C$
方法二:由i-t圖象可知:$q=\bar I△t=\frac{1}{2}×2.0×0.5C=0.5C$
(3)ab桿速度的表達(dá)式 v=$\frac{i(R+r)}{BL}=\frac{R+r}{BL}kt$;
因v與t是一次函數(shù),故金屬桿做勻加速直線運(yùn)動(dòng),
其加速度大小a=$\frac{R+r}{BL}k=\frac{0.4+0.2}{0.5×0.3}×\frac{1}{4}m/{s^2}=1m/{s^2}$
答:
(1)2s時(shí)刻桿ab的速度υ大小為2m/s.
(2)從靜止開始在2秒內(nèi)通過金屬桿ab橫截面的電量q為0.5C.
(3)加速度a的大小為1m/s2.
點(diǎn)評(píng) 本題綜合考查了法拉第電磁感應(yīng)定律、閉合電路歐姆定律、牛頓第二定律等,得到v的表達(dá)式來分析桿的運(yùn)動(dòng)情況是關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 布朗運(yùn)動(dòng)是液體分子的運(yùn)動(dòng) | |
B. | 布朗運(yùn)動(dòng)是懸浮微粒分子的運(yùn)動(dòng) | |
C. | 溫度越高,布朗運(yùn)動(dòng)越顯著 | |
D. | 布朗微粒做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)的原因是由于它受到水分子有時(shí)吸引、有時(shí)排斥的結(jié)果 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 線框中的感應(yīng)電流方向是A→B→C→D→A | |
B. | 線框中的感應(yīng)電流方向是A→D→C→B→A | |
C. | 導(dǎo)體AB受到向右的磁場(chǎng)力 | |
D. | 導(dǎo)體AB不受磁場(chǎng)力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 布朗運(yùn)動(dòng)證明分子在永不停息地做無規(guī)則熱運(yùn)動(dòng) | |
B. | 熱現(xiàn)象的微觀理論認(rèn)為,單個(gè)分子的運(yùn)動(dòng)是無規(guī)則的,但是大量分子的運(yùn)動(dòng)仍然有一定規(guī)律 | |
C. | 已知水的摩爾質(zhì)量和水分子的質(zhì)量,就可以算出阿伏伽德羅常數(shù) | |
D. | 兩個(gè)分子間由很遠(yuǎn)(r>10-9m)距離 減小到很難再靠近的過程中,分子間的作用力先減小后增大,分子勢(shì)能不斷增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體的重力與地球?qū)ξ矬w的萬有引力是兩種不同性質(zhì)的力 | |
B. | 人造地球衛(wèi)星繞地球的向心力由地球?qū)λ娜f有引力提供 | |
C. | 人造地球衛(wèi)星離地球越遠(yuǎn),受到地球的萬有引力越大 | |
D. | 宇宙飛船內(nèi)的宇航員處于失重狀態(tài)是由于沒有受到萬有引力的作用 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度反映了電場(chǎng)的力的性質(zhì),因此電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)與檢驗(yàn)電荷在該點(diǎn)所受的電場(chǎng)力成正比 | |
B. | 電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)等于$\frac{F}{q}$,但與檢驗(yàn)電荷的受力大小及帶電量無關(guān) | |
C. | 電場(chǎng)中某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向即正試探電荷在該點(diǎn)的受力方向 | |
D. | 公式E=$\frac{F}{q}$和E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$對(duì)于任何靜電場(chǎng)都是適用的 |
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