如圖所示，荷質(zhì)比q/m=1.25×103C/kg的粒子形成的粒子束以速度v0=4×103m/s從正中間水平射入偏轉(zhuǎn)電場，射出后到達(dá)右側(cè)屏幕上能形成亮斑。形成偏轉(zhuǎn)電場的兩極板間距d=0.1m，長 l=0.4m。屏幕離極板s=0.2m。
初始時(shí)，兩極板間電壓為零，屏幕上亮斑位置記為O點(diǎn)。當(dāng)兩板間的電壓緩慢增大時(shí)，亮斑會(huì)漸漸移動(dòng)，新位置記為O＇。
（1）當(dāng)電壓達(dá)到400V時(shí)，O O＇距離多大？
（2）O O＇距離最大時(shí)，兩極板間電壓多大？

解：1）電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間2分 射出電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)量=0.025m2分偏轉(zhuǎn)角θ滿足=0.125（或=0.125）2分聯(lián)立以上各式得 0.05m2分2）OO′最大時(shí)，偏轉(zhuǎn)量4分得U′=800V2分
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖，整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中，離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q（q＞0）的離子．離子的初速度很小，可忽略不計(jì)．離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后，從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中，沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處，測(cè)得P到S3的距離為x．求：
（1）離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v；
（2）離子的荷質(zhì)比 （q/m）

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目：高中物理 來源：浙江省高二上學(xué)期期末考試物理卷 題型：計(jì)算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目：高中物理 來源：2013屆度山東省高二3月月考物理卷 題型：計(jì)算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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