某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示。導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為ρ、制成內(nèi)、外半徑分別為a和b的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌入導(dǎo)電介質(zhì)的球心為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外一個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為R。下面給出R的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解R,但是你可以通過一定的物理分析,對(duì)下列表達(dá)式的合理性做出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為
A.R= B.R=
C.R= D.R=
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年湖南省高三第六次月考理綜物理部分 題型:選擇題
某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示,導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為…制成內(nèi)、外半徑分別為a和6的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌人導(dǎo)電介質(zhì)的球心成為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外—個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為及。下面給出及的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解但是你可以通過一定的物理分析,對(duì)下列表達(dá)式的合理性作出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為 ( )
A. B
C. D.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省高三上學(xué)期第四次月考物理試卷 題型:選擇題
某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示。導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為ρ、制成內(nèi)、外半徑分別為a和b的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌入導(dǎo)電介質(zhì)的球心為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外一個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為R。下面給出R的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解R,但是你可以通過一定的物理分析,對(duì)下列表達(dá)式的合理性做出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為
A. R= B.R=
C.R= D.R=
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省高三高考沖刺熱身考試(二)(理綜)物理部分 題型:選擇題
某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示。導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為ρ、制成內(nèi)、外半徑分別為a和b的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌入導(dǎo)電介質(zhì)的球心為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外一個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為R。下面給出R的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解R,但是你可以通過一定的物理分析,對(duì)下列表達(dá)式的合理性做出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為
A. B.
C. D.
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科目:高中物理 來源:北京市東城區(qū)2010年高三一模(理科綜合)物理部分 題型:單選題
某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示。導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為ρ、制成內(nèi)、外半徑分別為a和b的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌入導(dǎo)電介質(zhì)的球心為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外一個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為R。下面給出R的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解R,但是你可以通過一定的物理分析,對(duì)下列表達(dá)式的合理性做出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為
A.R= B.R=
C.R= D.R=
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