A、A點(diǎn)電勢(shì)高于O點(diǎn)電勢(shì) | B、A點(diǎn)電勢(shì)高于B點(diǎn)電勢(shì) | C、電荷q移動(dòng)過程中,電勢(shì)能一直減少 | D、電荷q移動(dòng)過程中,電場(chǎng)力先做正功后做負(fù)功 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、受迫振動(dòng)的周期取決于驅(qū)動(dòng)力的周期 | ||
B、未見其人先聞其聲,是因?yàn)槁暡úㄩL(zhǎng)較長(zhǎng),容易發(fā)生衍射現(xiàn)象 | ||
C、聲波頻率的大小取決于在某種介質(zhì)中傳播的速度和波長(zhǎng)的大小 | ||
D、偏振現(xiàn)象說明光是橫波 | ||
E、當(dāng)光線以入射角θ1從玻璃射入水中時(shí)的折射角為θ2,則玻璃相對(duì)水的折射率n=
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)為零,Ua<Ub,εa>εb | B、a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)不為零Ua<Ub,εa>εb | C、a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)不為零Ua=Ub,εa=εb | D、a點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)為零Ua<Ub,εa<εb |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、A點(diǎn)電荷一定帶正電 | B、EM小于EN | C、ΦM大于ΦN | D、此試探電荷在M處的電勢(shì)能小于N處的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、a點(diǎn)的電勢(shì)高于c點(diǎn)的電勢(shì) | B、e、f兩點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均相同 | C、a、b、c、d四個(gè)點(diǎn)中b點(diǎn)的電勢(shì)最低 | D、將一試探電荷+q由f點(diǎn)移至d點(diǎn),其電勢(shì)能減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、O點(diǎn)電勢(shì)等于N點(diǎn)電勢(shì) | B、O點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)一定大于M點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | C、將一個(gè)負(fù)點(diǎn)電荷從M點(diǎn)移到N點(diǎn),電場(chǎng)力對(duì)其做負(fù)功 | D、若將一個(gè)正點(diǎn)電荷分別放在M、N和O三點(diǎn),則該點(diǎn)電荷在O點(diǎn)時(shí)電勢(shì)能最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、如果實(shí)線是電場(chǎng)線,則a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高 | B、如果實(shí)線是等勢(shì)面,則a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)低 | C、如果實(shí)線是電場(chǎng)線,則電子在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的電勢(shì)能大 | D、如果實(shí)線是等勢(shì)面,則電子在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的電勢(shì)能大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、導(dǎo)體Q仍不帶電 | B、a點(diǎn)的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì) | C、檢驗(yàn)電荷在a點(diǎn)所受電場(chǎng)力等于b點(diǎn)所受電場(chǎng)力 | D、帶正電的檢驗(yàn)電荷在c點(diǎn)的電勢(shì)能大于d點(diǎn)的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、x=x1和x=-x1兩處,電場(chǎng)強(qiáng)度相同 | B、x=x1和x=-x1兩處,電場(chǎng)強(qiáng)度最大 | C、x=0處電勢(shì)最低 | D、從x=x1運(yùn)動(dòng)到x=+∞過程中,電荷的電勢(shì)能逐漸增大 |
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