如圖甲所示，空間有一寬為0.2m的勻強磁場區(qū)域，磁感應強2T，方向垂直紙面向外，abcd是由均勻電阻絲做成的邊長0.1m的正方形線框，總電阻為1Ω，線框以垂直磁場邊界的速度10m/s勻速通過磁場區(qū)域，在運動過程中，線框ab 、cd兩邊始終與磁場邊界平行，設線框剛進入磁場的位置t=0求：

（1）線框穿過磁場的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；

（2）畫出線框穿過磁場過程中，cd兩端電勢差Ucd隨時間t變化的圖象（不需要分析說明）

解：（1）感應電動勢E1=BLv=2V…………(1分)

進入磁場的過程中，所用時間為

  ………………………… （1分）

線框中產(chǎn)生的焦耳熱：………………（2分）

全過程線框中產(chǎn)生的焦耳熱：Q總=2Q=0.08J                (1分)

（2）如圖所示……………（3分）

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示．空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域，磁感應強度為B，方向垂直紙面外，abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框，總電阻為R．線框以垂直磁場邊界的速度υ勻速通過磁場區(qū)域．在運動過程中，線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行．設線框剛進入磁場的位置x=0，x軸沿水平方向向右．求：
（1）從cd邊進入磁場到ab邊進入磁場的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；
（2）在下面的圖乙中，畫出cd兩端電勢差Ucd隨距離x變化的圖象．其中U0=
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BLυ．（不需要分析說明）

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示．空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域，磁感應強度為B，方向垂直紙面向外．a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框，總電阻值為R．線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域．在運動過程中，線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行．設線框剛進入磁場的位置x=0，x軸沿水平方向向右．求：
（1）cd邊剛進入磁場時，ab兩端的電勢差，并指明哪端電勢高；
（2）線框穿過磁場的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；
（3）在下面的乙圖中，畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象．其中U0=BLv．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域，磁感應強度為B，方向垂直紙面向外．a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框，總電阻為R．線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域．在運動過程中，線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行．設線框剛進入磁場的位置x=0，x軸沿水平方向向右．則ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象正確的是（其中U0=BLv）（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，空間有一寬為2L的勻強磁場區(qū)域，磁感應強度為B，方向垂直紙面向外．a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框，總電阻值為R．線框以垂直磁場邊界的速度v勻速通過磁場區(qū)域．在運動過程中，線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行．設線框剛進入磁場的位置x＝0，x軸沿水平方向向右．求：

（1）cd邊剛進入磁場時，ab兩端的電勢差，并指明哪端電勢高；

（2）線框穿過磁場的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；

（3）在乙圖中，畫出ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象，其中U0＝BLv．

　　　　　　　   　　

甲

乙

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科目：高中物理 來源：2013屆山東省煙臺市萊州一中高三第三次質(zhì)量檢測物理試卷（帶解析） 題型：計算題

如圖甲所示，空間有一寬為0.2m的勻強磁場區(qū)域，磁感應強2T，方向垂直紙面向外，abcd是由均勻電阻絲做成的邊長0.1m的正方形線框，總電阻為1Ω，線框以垂直磁場邊界的速度10m/s勻速通過磁場區(qū)域，在運動過程中，線框ab 、cd兩邊始終與磁場邊界平行，設線框剛進入磁場的位置t=0求：

（1）線框穿過磁場的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱；
（2）畫出線框穿過磁場過程中，cd兩端電勢差Ucd隨時間t變化的圖象（不需要分析說明）

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