20．在下列敘述中，正確的是（　　）
A．各種原子的發(fā)射光譜都是連續(xù)譜
B．大量處在n=5能級(jí)的氫原子自發(fā)躍遷時(shí)將產(chǎn)生10中不同頻率的光
C．已知碳11的半衰期ξ=20min，則經(jīng)過(guò)1h后剩余的碳11的質(zhì)量為原來(lái)的$\frac{1}{6}$
D．利用γ射線照射食品可以殺死使食物腐敗的細(xì)菌，抑制蔬菜發(fā)芽，延長(zhǎng)保存期
E．戴維孫和湯姆孫分別利用晶體做了電子束衍射的實(shí)驗(yàn)，從而證實(shí)了電子的波動(dòng)性

分析 依據(jù)特征譜線與連續(xù)譜線的區(qū)別，根據(jù)數(shù)學(xué)組合公式，及半衰期定義，與粒子波動(dòng)性的內(nèi)容，即可一一求解．

解答 解：A、玻爾理論指出氫原子能級(jí)是分立的，所以各種原子的發(fā)射光譜都是特征譜線，不是連續(xù)譜，故A錯(cuò)誤；
B、根據(jù)數(shù)學(xué)組合公式C${\;}_{5}^{2}$=10，大量處在n=5能級(jí)的氫原子自發(fā)躍遷時(shí)將產(chǎn)生10中不同頻率的光，故B正確；
C、因碳11的半衰期ξ=20min，則經(jīng)過(guò)1h后，發(fā)生三次衰變，剩余的碳11的質(zhì)量為原來(lái)的$\frac{1}{8}$，故C錯(cuò)誤；
D、用γ射線照射食品，可以殺死使食物腐敗的細(xì)菌，延長(zhǎng)保存期．故D正確；
E、戴維孫和湯姆孫分別利用晶體做了電子束衍射的實(shí)驗(yàn)，得到了的衍射圖樣，從而證實(shí)電子具有波動(dòng)性，故E正確；
故選：BDE．

點(diǎn)評(píng) 考查原子譜線是特征譜線，掌握半衰變的概念，理解實(shí)物粒子的波動(dòng)性，注意掌握躍遷放出的光子種數(shù)中，大量與一個(gè)原子的區(qū)別．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

10．某環(huán)保設(shè)備裝置可用于氣體中有害離子的檢測(cè)和分離．離子檢測(cè)的簡(jiǎn)化原理如圖1所示，Ⅰ為電場(chǎng)加速區(qū)，Ⅱ?yàn)闊o(wú)場(chǎng)漂移區(qū)，III為電場(chǎng)檢測(cè)區(qū)．己知I區(qū)中AB與CD兩極的電勢(shì)差為U，距離為L(zhǎng)，Ⅱ區(qū)中CE與DE兩板的間距為d，板長(zhǎng)為4L，Ⅲ區(qū)中EF與GH間距足夠大，其內(nèi)部勻強(qiáng)電場(chǎng)大小為$\frac{U}{2L}$，方向水平向左．假設(shè)大量相同的正離子在AB極均勻分布，由初速度為零開(kāi)始加速，不考慮離子間的相互作用和重力．則：
（l）AB和CD哪一極電勢(shì)高？若正離子比荷為k，求該離子到達(dá)CD極時(shí)的速度大��；
（2）該裝置可以測(cè)出離子從AB極出發(fā)，經(jīng)Ⅰ區(qū)、Ⅱ區(qū)和Ⅲ區(qū)，最后返回EF端的總時(shí)間t．由此可以確定離子的比荷k與t的函數(shù)關(guān)系式．
（3）若將Ⅲ區(qū)的勻強(qiáng)電場(chǎng)換成如圖2所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，則電場(chǎng)檢測(cè)區(qū)變成了磁場(chǎng)分離區(qū)，為收集分離出的離子，需在EF邊上放置收集板EP．收集板下端留有狹縫PF，離子只能通過(guò)狹縫進(jìn)入磁場(chǎng)進(jìn)行分離．假設(shè)在AB極上有兩種正離子，質(zhì)量分別為m1、m2，且m1＞m2，電荷量均為q，現(xiàn)要將兩種離子在收集板上的完全分離，同時(shí)為收集到更多離子，狹縫盡可能大，試討論狹縫PF寬度的最大值．（磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)，不考慮出Ⅲ區(qū)后再次返回的離子）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

11．下列圖象中同一坐標(biāo)系的兩條圖線分別表示某質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的速度v和加速度a隨時(shí)間t變化的關(guān)系，選擇同一正方向，則其中可能正確的是（　　）
A．B．C．D．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：實(shí)驗(yàn)題

8．現(xiàn)有一滿偏電流為500μA，內(nèi)阻為1.2×103Ω的靈敏電流計(jì)，某同學(xué)想把它改裝成中值電阻為600Ω的歐姆表，實(shí)驗(yàn)室提供如下器材：
A、一節(jié)干電池（電動(dòng)勢(shì)為1.5V）   
B、電阻箱R1（最大阻值99.99Ω）
C、電阻箱R2（最大阻值999.9Ω）  
D、滑動(dòng)變阻器R3（0-100Ω）
E、滑動(dòng)變阻器R4（0-1kΩ）     
F、導(dǎo)線若干及兩個(gè)接線柱
（1）請(qǐng)?jiān)诜娇騼?nèi)把改裝后的電路圖補(bǔ)畫(huà)完整，并標(biāo)注所選電阻箱和滑動(dòng)變阻器的符號(hào)（B～E）．
（2）電路中的電阻箱，阻值應(yīng)調(diào)為300Ω．
（3）用改裝后的歐姆表測(cè)一待測(cè)電阻，讀出電流計(jì)的示數(shù)為200μA，則待測(cè)電阻阻值為900Ω．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

15．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．極限頻率越大的金屬材料逸出功越大
B．β射線是從原子核內(nèi)部射出的高速電子流
C．光電子的最大初動(dòng)能與入射光的頻率成正比
D．通過(guò)化學(xué)反應(yīng)不能改變物質(zhì)的放射性

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

5．計(jì)算機(jī)鍵盤(pán)上的每一個(gè)按鍵下面都有一個(gè)電容傳感器，電容的計(jì)算公式是C=9.0×10-12$\frac{S}g887xgp$（F），S表示兩金屬片的正對(duì)面積，d表示兩金屬片間的距離．當(dāng)某一鍵按下時(shí)，d發(fā)生改變，引起電容器的電容發(fā)生改變，從而給電子線路發(fā)出相應(yīng)的信號(hào)．已知兩金屬片的正對(duì)面積為50mm2，鍵未被按下時(shí)，兩金屬片的間距為0.6mm．只要電容變化達(dá)0.25pF，電子線路就能發(fā)出相應(yīng)的信號(hào)．那么為了使按鍵得到反應(yīng)，至少應(yīng)把鍵盤(pán)按下的距離為（　　）
A．0.45 mmB．0.30 mmC．0.20 mmD．0.15 mm

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

12．下列力學(xué)單位中，屬于導(dǎo)出單位的是（　�。�
A．米B．秒C．千克D．焦耳

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：填空題

9．如圖所示，一半圓形玻璃磚半徑R═18cm，可繞其圓心O在紙面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)為一根光標(biāo)尺，開(kāi)始時(shí)玻璃磚的直徑PQ與光標(biāo)尺平行．一束激光從玻璃磚左側(cè)垂直于PQ射到O點(diǎn)，在M上留下一光點(diǎn)O1，現(xiàn)保持入射光方向不變，使玻璃磚繞O點(diǎn)逆時(shí)針緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，光點(diǎn)在標(biāo)尺上移動(dòng)，最終在距離O1點(diǎn)h=32cm處消失．已知0、01間的距離L=24cm，光在真空中傳播速度c=3×108m/s，則玻璃磚的折射率為1.67；光點(diǎn)剛消失時(shí)，光從射入玻璃磚到射出玻璃磚的過(guò)程經(jīng)歷的時(shí)間為1×10-9s．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：填空題

11．質(zhì)量為2kg的物體在光滑水平面上受到與水平方向成30°角的拉力F=3N的作用，經(jīng)過(guò)10s時(shí)間力F的沖量大小為30N•s，重力的沖量大小為200N•s，彈力的沖量大小為185   N•s（g取10m/s2）

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