利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域.

如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內(nèi)單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.
a.若在時間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達式.
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程.除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想.
【答案】分析:(1)、由左手定則可判斷出電子的運動方向,從而判斷f和c兩側(cè)的電荷聚集情況,聚集正電荷的一側(cè)電勢高.
(2)、根據(jù)題中所給的霍爾電勢差和霍爾系數(shù)的關系,結(jié)合電場力與洛倫茲力的平衡,可求出霍爾系數(shù)的表達式.
(3)、由轉(zhuǎn)速時間以及圓盤的周邊永久磁體的個數(shù),可表示出霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目,從而表示出圓盤轉(zhuǎn)速.
解答:解:
(1)、由場強與電勢差關系知UH=EHl.導體或半導體中的電子定向移動形成電流,電流方向向右,實際是電子向左運動.由左手定則判斷,電子會偏向f端面,使其電勢低,同時相對的c端電勢高.
(2)、由題意得:…①
解得:…②
當電場力與洛倫茲力平衡時,有eEh=evB
得:EH=vB…③
又有電流的微觀表達式:I=nevS…④
將③、④帶入②得:

(3)、a.由于在時間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,則有:
 P=mNt
圓盤轉(zhuǎn)速為  N=
b.提出的實例或設想合理即可.
答:(1)、c端電勢高.
(2)、霍爾系數(shù)的表達式為
(3)、圓盤轉(zhuǎn)速的表達式為
點評:2010年的北京卷
所謂霍爾效應,是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時,產(chǎn)生橫向電位差的物理現(xiàn)象.霍爾效應在新課標教材中作為課題研究材料,解答此題所需的知識都是考生應該掌握的.對于開放性物理試題,要有較強的閱讀能力和獲取信息能力.
本題能力考查層次是推理能力+應用能力(將較復雜的問題分解為幾個較簡單的問題,并找出它們之間的聯(lián)系.)+應用能力(對問題進行合理的簡化,找出物理量之間的關系,利用恰當?shù)臄?shù)學表達方式進行分析、求解,得出物理結(jié)論).
本題延續(xù)了近年來此類聯(lián)系實際試題的特點,要求考生在對試題進行理論研究的同時,通過開放式的設問,讓學生嘗試著應用與題目相關的知識內(nèi)容解決實際問題,或提出自己的設想,或?qū)τ嬎愕慕Y(jié)果進行評價.應該說這樣的設問的設計,既能充分體現(xiàn)課改的基本理念,又能對中學物理教學起到良好的導向作用,同時試題也具體很好的區(qū)分度.
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?江蘇模擬)利用霍爾效應制作的霍爾元件,廣泛應用于測量和自動控制等領域.如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,磁感應強度B垂直于霍爾元件的工作面向下,通入圖示方向的電流I,C、D兩側(cè)面會形成電勢差UCD,下列說法中正確的是( 。

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利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域.
精英家教網(wǎng)
如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH
IBd
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內(nèi)單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.
a.若在時間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請導出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達式.
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程.除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)利用霍爾效應制作的霍爾元件,廣泛應用于測量和自動控制等領域.如圖所示是霍爾元件的工作原理示意圖,磁感應強度B垂直于霍爾元件的工作面向下,通入圖示方向的電流I,C、D兩側(cè)面會形成電勢差.下列說法中正確的是(  )

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科目:高中物理 來源:北京 題型:問答題

利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域.

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如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側(cè)面a、b間通以電流I時,另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產(chǎn)生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH
IB
d
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內(nèi)單位體積中導電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數(shù)RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉(zhuǎn)動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.
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b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程.除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想.

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