精英家教網(wǎng)如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長(zhǎng),與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,寬度為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直斜面向下;一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動(dòng),線框向上滑動(dòng)離開磁場(chǎng)時(shí)的速度剛好是剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的1/4,離開磁場(chǎng)后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場(chǎng).已知正方形線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2
(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
分析:(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),受重力、支持力、安培力和摩擦力,根據(jù)平衡條件列式求解即可;
(2)先對(duì)離開磁場(chǎng)后的上滑過(guò)程和下滑過(guò)程分別運(yùn)用動(dòng)能定理列式求解離開磁場(chǎng)的速度,然后根據(jù)能量守恒定律列式求解線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.
解答:解:(1)線框在沿斜面下滑勻速進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬間,根據(jù)平衡條件,有:
mgsinθ=μmgcosθ+FA
其中:
FA=BIa
I=
E
R

E=Bav
故:mgsinθ=μmgcosθ+
B2a2v2
R

解得:v2=
(mgsinθ-μmgcosθ)R
B2a2

(2)由動(dòng)能定理,線框從離開磁場(chǎng)到滑動(dòng)到最高點(diǎn)的過(guò)程中,有:
-(mgsinθ+μmgcosθ)s=0-
1
2
m
v
2
1

線框從最高點(diǎn)滑下勻速進(jìn)入磁場(chǎng)的瞬間:
(mgsinθ-μmgcosθ)s=
1
2
m
v
2
2
-0

解得:v1=
mgsinθ+μmgcosθ
mgsinθ-μmgcosθ
v2

由能量守恒定律,有:
1
2
m
v
2
0
-
1
2
m
v
2
1
=Q+(mgsinθ+μmgcosθ)(a+L)

v0=4v1
解得:Q=
15m3g2R2
2B4a4
(sin2θ-μcos2θ)-mg(sinθ+μcosθ)(a+L)

答:(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2
(mgsinθ-μmgcosθ)R
B2a2
;
(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q為
15m3g2R2
2B4a4
(sin2θ-μcos2θ)-mg(sinθ+μcosθ)(a+L)
點(diǎn)評(píng):本題關(guān)鍵明確線框的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,然后選擇恰當(dāng)?shù)倪^(guò)程運(yùn)用動(dòng)能定理、能量守恒定律和平衡條件列式求解,不難.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長(zhǎng),與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,寬度為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直斜面向下;一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動(dòng),線框向上滑動(dòng)離開磁場(chǎng)時(shí)的速度剛好是剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的1/4,離開磁場(chǎng)后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場(chǎng).已知正方形線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.求:

(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2.

(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長(zhǎng),與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,寬度為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直斜面向下;一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動(dòng),線框向上滑動(dòng)離開磁場(chǎng)時(shí)的速度剛好是剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的1/4,離開磁場(chǎng)后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場(chǎng).已知正方形線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.求:

(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2.

(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2011屆黑龍江省哈爾濱六中高三上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:計(jì)算題

如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長(zhǎng),與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,寬度為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直斜面向下;一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動(dòng),線框向上滑動(dòng)離開磁場(chǎng)時(shí)的速度剛好是剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的1/4,離開磁場(chǎng)后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場(chǎng).已知正方形線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.求:
(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2.
(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年黑龍江省高三上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:計(jì)算題

如圖所示,一平直絕緣斜面足夠長(zhǎng),與水平面的夾角為θ;空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,寬度為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直斜面向下;一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為a的正方形金屬線框沿斜面向上滑動(dòng),線框向上滑動(dòng)離開磁場(chǎng)時(shí)的速度剛好是剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的1/4,離開磁場(chǎng)后線框能沿斜面繼續(xù)滑行一段距離,然后沿斜面滑下并勻速進(jìn)入磁場(chǎng).已知正方形線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.求:

(1)線框沿斜面下滑過(guò)程中勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v2.

(2)線框在沿斜面上滑階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案