Question

制備納米薄膜裝置的工作電極可簡化為真空中間距為d的兩平行極板，如圖甲所示，加在極板A、B間的電壓U_AB作周期性變化，其正向電壓為U₀，反向電壓為-kU₀（k＞1），電壓變化的周期為2r，如圖乙所示．在t=0時(shí)，極板B附近的一個(gè)電子，質(zhì)量為m、電荷量為e，受電場作用由靜止開始運(yùn)動(dòng)．若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中，電子未碰到極板A，且不考慮重力作用．
（1）若k=

5

4

，電子在0-2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A，求d應(yīng)滿足的條件；
（2）若電子在0～200t時(shí)間內(nèi)未碰到極板B，求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度v隨時(shí)間t變化的關(guān)系；
（3）若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零，求k的值．

Answer 1

（1）電子在0～τ時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大�。�a1=

eU0

md

…①
位移：x1=

1

2

a1τ2…②
在τ～2τ時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng)，后反向做勻加速運(yùn)動(dòng)
加速度的大�。�a2=

5eU0

4md

…③
初速度的大�。簐₁=a₁τ…④
勻減速運(yùn)動(dòng)階段的位移：x2=

v12

2a2

…⑤
依據(jù)題意：d＞x₁+x₂
解得：d＞

9eU0τ2 10m

…⑥
（2）在2nτ～（2n+1）τ 時(shí)間內(nèi)，（n=0，1，2，3…99）
速度增量△v₁=a₁τ…⑦
在（2n+1）τ～2（n+1）τ（n=0，1，2，…99）時(shí)間內(nèi)
加速度大�。篴′₂=

ekU0

md

速度增量：△v₂=-a′₂τ…⑧
（a）當(dāng)0≤t-2nτ＜τ時(shí)
電子的運(yùn)動(dòng)速度：v=n△v₁+n△v₂+a₁（t-2nτ）…⑨
解得：v=【t-（k+1）nτ】

eU0

dm

，（n=0，1，2，3…99）…⑩
（b）當(dāng)0≤t-（2n+1）τ＜τ時(shí)
電子運(yùn)動(dòng)的速度：v=（n+1）△v₁+n△v₂-a′₂【t-（2n+1）τ】…（11）
解得：v=【（n+1）（k+1）τ-kτ】

eU0

dm

，（n=0，1，2，3…99）…（12）
（3）電子在2（N-1）τ～（2N-1）τ時(shí)間內(nèi)的位移：x2N-1=v2N-2τ+

1

2

a1τ2
電子在（2N-1）τ～2Nτ時(shí)間內(nèi)的位移：x2N=v2N-1τ+

1

2

a′2τ2
由⑩式可知：v2N-2=(N-1)(1-k)τ

eU0

dm

由（12）式可知：v2N-1=(N-Nk+k)τ

eU0

dm

依據(jù)題意：x_2N-1+x_2N=0
解得：k=

4N-1

4N-3

答：（1）d應(yīng)滿足的條件是d＞

9eU0τ2 10m

（2）（a）當(dāng)0≤t-2nτ＜τ時(shí)
v=【t-（k+1）nτ】

eU0

dm

，（n=0，1，2，3…99）
（b）當(dāng)0≤t-（2n+1）τ＜τ時(shí)，v=【（n+1）（k+1）τ-kτ】

eU0

dm

，（n=0，1，2，3…99）
（3）若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零，則 k=

4N-1

4N-3