如圖所示,一平放在光滑水平面上的矩形導體框位于勻強磁場區(qū)域內,磁場和磁感應強度大小為B,方向沿豎直方向,現以恒定速度v將線框拉出有界的磁場區(qū)域.設磁場的邊界與線框的一邊平行,且線框的總電阻為R,周長為2l,而其長、寬則可以變化,則外力將線框拉出磁場區(qū)域的過程中,線框發(fā)熱量的最大值為
A.
B.
C.
D.以上答案都不對
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如圖所示,一質量為m、電荷量為q、重力不計的微粒,從傾斜放置的平行電容器I的A板處由靜止釋放,A、B間電壓為U1。微粒經加速后,從D板左邊緣進入一水平放置的平行板電容器II,由C板右邊緣且平行于極板方向射出,已知電容器II的板長為板間距離的2倍。電容器右側豎直面MN與PQ之間的足夠大空間中存在著水平向右的勻強磁場(圖中未畫出),MN與PQ之間的距離為L,磁感應強度大小為B。在微粒的運動路徑上有一厚度不計的窄塑料板(垂直紙面方向的寬度很。,斜放在MN與PQ之間,=45°。求:
1.微粒從電容器I加速后的速度大;
2.電容器IICD間的電壓;
3.假設粒子與塑料板碰撞后,電量和速度大小不變、方向變化遵循光的反射定律,碰撞時間極短忽略不計,微粒在MN與PQ之間運動的時間和路程。
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2013·天津寶坻高三模擬,12題)(20分)如圖所示,一質量為m、電荷量為q、重力不計的微粒,從傾斜放置的平行電容器I的A板處由靜止釋放,A、B間電壓為U1。微粒經加速后,從D板左邊緣進入一水平放置的平行板電容器II,由C板右邊緣且平行于極板方向射出,已知電容器II的板長為板間距離的2倍。電容器右側豎直面MN與PQ之間的足夠大空間中存在著水平向右的勻強磁場(圖中未畫出),MN與PQ之間的距離為L,磁感應強度大小為B,在微粒的運動路徑上有一厚度不計的窄塑料板(垂直紙面方向的寬度很。狈旁贛N與PQ之間,=45°。求:
(1)微粒從電容器I加速后的速度大;
(2)電容器IICD間的電壓;
(3)假設粒子與塑料板碰撞后,電量和速度大小不變、方向變化遵循光的反射定律,碰撞時間極短忽略不計,微粒在MN與PQ之間運動的時間和路程。
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科目:高中物理 來源:2011-2012學年度高三模塊考試物理卷 題型:計算題
如圖所示,一質量為m、電荷量為q、重力不計的微粒,從傾斜放置的平行電容器I的A板處由靜止釋放,A、B間電壓為U1。微粒經加速后,從D板左邊緣進入一水平放置的平行板電容器II,由C板右邊緣且平行于極板方向射出,已知電容器II的板長為板間距離的2倍。電容器右側豎直面MN與PQ之間的足夠大空間中存在著水平向右的勻強磁場(圖中未畫出),MN與PQ之間的距離為L,磁感應強度大小為B。在微粒的運動路徑上有一厚度不計的窄塑料板(垂直紙面方向的寬度很。狈旁贛N與PQ之間,=45°。求:
【小題1】微粒從電容器I加速后的速度大;
【小題2】電容器IICD間的電壓;
【小題3】假設粒子與塑料板碰撞后,電量和速度大小不變、方向變化遵循光的反射定律,碰撞時間極短忽略不計,微粒在MN與PQ之間運動的時間和路程。
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科目:高中物理 來源:2012屆度高三模塊考試物理卷 題型:計算題
如圖所示,一質量為m、電荷量為q、重力不計的微粒,從傾斜放置的平行電容器I的A板處由靜止釋放,A、B間電壓為U1。微粒經加速后,從D板左邊緣進入一水平放置的平行板電容器II,由C板右邊緣且平行于極板方向射出,已知電容器II的板長為板間距離的2倍。電容器右側豎直面MN與PQ之間的足夠大空間中存在著水平向右的勻強磁場(圖中未畫出),MN與PQ之間的距離為L,磁感應強度大小為B。在微粒的運動路徑上有一厚度不計的窄塑料板(垂直紙面方向的寬度很。,斜放在MN與PQ之間,=45°。求:
1.微粒從電容器I加速后的速度大;
2.電容器IICD間的電壓;
3.假設粒子與塑料板碰撞后,電量和速度大小不變、方向變化遵循光的反射定律,碰撞時間極短忽略不計,微粒在MN與PQ之間運動的時間和路程。
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