A.P、Q購(gòu)車的電容器的電容增大 |
B.P上電荷量保持不變 |
C.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低 |
D.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源:2015屆浙江省溫州市十校聯(lián)合體高二上期中聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
某電容式話筒的原理示意圖如圖所示,E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬極板。對(duì)著話筒說(shuō)話時(shí),P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中,下列說(shuō)法正確的是( 。
A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小
B.P上電荷量保持不變
C.P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小
D.流過(guò)電阻R上電流方向?yàn)镸到N
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科目:高中物理 來(lái)源:新人教版高三物理選修3-1電場(chǎng)能的性質(zhì)的描述專項(xiàng)練習(xí)(解析版) 題型:選擇題
(2010·重慶·17)某電容式話筒的原理示意圖如題18圖所示,E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬基板。對(duì)著話筒說(shuō)話時(shí),P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中,( )
A.P、Q購(gòu)車的電容器的電容增大
B.P上電荷量保持不變
C.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低
D.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高
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