在以速度v＝2 m/s勻速下降的電梯上，天花板上脫落一物體，若天花板與地板之間的距離是2.5 m，

(1)對于電梯內(nèi)的人感覺物體下落到地板的時(shí)間是多少？

(2)對于地面上的人感覺物體下落到地板的時(shí)間是多少？

答案：
解析：

　　解析：電梯內(nèi)的人把物體看成自由落體運(yùn)動(dòng)，而地面上的人把物體看成初速度為2 m/s的勻加速運(yùn)動(dòng)．

　　(1)電梯內(nèi)的人以電梯為參考系，物體下落的高度是h＝2.5 m，他認(rèn)為物體做自由落體運(yùn)動(dòng)，h＝gt2,

　　t＝s≈0.70 s．

　　(2)地面上的人以地面為參考系認(rèn)為物體在做初速度為v0＝2 m/s、加速度為g＝10 m/s2的勻加速運(yùn)動(dòng)，物體下落的高度為h＋v0t＝v0t＋gt2

　　所以t＝s≈0.70 s

　　方法歸納：本題兩種解法選取的都是慣性系，研究力學(xué)問題時(shí)，可以選擇任何慣性系．


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如右圖所示，在某空間實(shí)驗(yàn)室中，有兩個(gè)靠在一起的等大的圓柱形區(qū)域，分別存在著等大反向的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝0．10 T，磁場區(qū)域半徑r＝ m，左側(cè)區(qū)圓心為O1，磁場向里，右側(cè)區(qū)圓心為O2，磁場向外．兩區(qū)域切點(diǎn)為      C．今有質(zhì)量m＝3．2×10－26 kg．帶電荷量q＝1．6×10－19 C的某種離子，從左側(cè)區(qū)邊緣的A點(diǎn)以速度v＝106 m/s正對O1的方向垂直磁場射入，它將穿越C點(diǎn)后再從右側(cè)區(qū)穿出．求：

      （1）該離子通過兩磁場區(qū)域所用的時(shí)間．

      （2）離子離開右側(cè)區(qū)域的出射點(diǎn)偏離最初入射方向的側(cè)移距離為多大？（側(cè)移距離指垂直初速度方向上移動(dòng)的距離）

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科目：高中物理 來源：新人教版高三物理選修3-1磁場對運(yùn)動(dòng)電荷的作用專項(xiàng)練習(xí)（帶解析） 題型：計(jì)算題

如右圖所示，在某空間實(shí)驗(yàn)室中，有兩個(gè)靠在一起的等大的圓柱形區(qū)域，分別存在著等大反向的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B＝0.10 T，磁場區(qū)域半徑r＝ m，左側(cè)區(qū)圓心為O1，磁場向里，右側(cè)區(qū)圓心為O2，磁場向外．兩區(qū)域切點(diǎn)為C.今有質(zhì)量m＝3.2×10－26 kg.帶電荷量q＝1.6×10－19 C的某種離子，從左側(cè)區(qū)邊緣的A點(diǎn)以速度v＝106 m/s正對O1的方向垂直磁場射入，它將穿越C點(diǎn)后再從右側(cè)區(qū)穿出．求：
(1)該離子通過兩磁場區(qū)域所用的時(shí)間．
(2)離子離開右側(cè)區(qū)域的出射點(diǎn)偏離最初入射方向的側(cè)移距離為多大？(側(cè)移距離指垂直初速度方向上移動(dòng)的距離)

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科目：高中物理 來源：2015屆重慶市高二上學(xué)期期中考試物理試卷（解析版） 題型：計(jì)算題

如圖所示，左側(cè)為兩間距d＝10 cm的平行金屬板，加上電壓；中間用虛線框表示的正三角形內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場B1，三角形底點(diǎn)A與下金屬板平齊，AB邊的中點(diǎn)P恰好在上金屬板的右端點(diǎn)；三角形區(qū)域AC右側(cè)也存在垂直紙面向里，范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場B2.現(xiàn)從左端沿中心軸線方向以v0射入一個(gè)重力不計(jì)的帶電微粒，微粒質(zhì)量m＝1.0×10－10 kg，帶電荷量q＝1.0×10－4 C；帶電粒子恰好從P點(diǎn)垂直AB邊以速度v＝2×105 m/s進(jìn)入磁場，則

(1)求帶電微粒的初速度v0；

(2)若帶電微粒第一次垂直穿過AC，則求磁感應(yīng)強(qiáng)度B1及第一次在B1中飛行時(shí)間；

(3)帶電微粒再次經(jīng)AC邊回到磁場B1后，求的取值在什么范圍可以使帶電微粒只能從BC邊穿出？

 

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年浙江省寧波市五校高三5月適應(yīng)性考試物理卷（解析版） 題型：計(jì)算題

如圖甲所示，光滑絕緣水平桌面上直立一個(gè)單匝正方形導(dǎo)線框ABCD，線框的邊長為L＝4 m、總電阻為R＝1Ω.在直角坐標(biāo)系xOy中，有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域的下邊界與x軸重合，上邊界滿足曲線方程y＝2sinx(m)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B＝2 T．線框在沿x軸正方向的拉力F作用下，以速度v＝1 m/s水平向右做勻速直線運(yùn)動(dòng)，直到拉出磁場．

(1) 求線框中AD兩端的最大電壓；

(2) 在圖乙中畫出運(yùn)動(dòng)過程中線框i-t圖象，并估算磁場區(qū)域的面積（估算結(jié)果保留2位有效數(shù)字）；

(3) 求線框在穿越整個(gè)磁場的過程中，拉力F所做的功．

 

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