如下圖所示，水平地面上放有質(zhì)量均為m=1kg的物塊A和B，兩者之間的距離為l=0.75m。A、B與地面間的動摩擦因數(shù)分別為μ1=0.4、μ2=0.1�，F(xiàn)使A獲得初速度v0向B運動，同時對B施加一個方向水平向右的力F=3N，使B由靜止開始運動。經(jīng)過一段時間，A恰好追上B。g取10m/s2。求：

1.B運動的加速度大小aB；

2.A的初速度的大小v0。

 

 

1.2m/s2

2.3m/s

解析:（1）對B，由牛頓第二定律得：（2分）求得：（1分）

（2）設(shè)A經(jīng)過t時間追上B，對A，由牛頓第二定律得：（1分） （1分）

（1分） 恰好追上的條件為：（1分）

（1分） 代入數(shù)據(jù)解得：，（1分）

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如下圖所示，水平地面上方的H高區(qū)域內(nèi)有勻強磁場，水平界面PP′是磁場的上邊界，磁感應(yīng)強度為B，方向是水平的，垂直于紙面向里.在磁場的正上方，有一個位于豎直平面內(nèi)的閉合的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長為l1,bc長為l2,H＞l2,線框的質(zhì)量為m、電阻為R.現(xiàn)使線框abcd從高處自由落下，ab邊下落的過程中始終保持水平，已知線框進入磁場的過程中的運動情況是：cd邊進入磁場以后，線框先做加速運動，然后做勻速運動，直到ab邊到達邊界PP′為止.從線框開始下落到cd邊剛好到達水平地面的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q.求：

（1）線框abcd在進入磁場的過程中，通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少？

（2）線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的？

（3）線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

如下圖所示，水平地面上方的H高區(qū)域內(nèi)有勻強磁場，水平界面PP′是磁場的上邊界，磁感應(yīng)強度為B，方向是水平的，垂直于紙面向里.在磁場的正上方，有一個位于豎直平面內(nèi)的閉合的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長為l1,bc長為l2,H>l2,線框的質(zhì)量為m、電阻為R.現(xiàn)使線框abcd從高處自由落下，ab邊下落的過程中始終保持水平，已知線框進入磁場的過程中的運動情況是：cd邊進入磁場以后，線框先做加速運動，然后做勻速運動，直到ab邊到達邊界PP′為止.從線框開始下落到cd邊剛好到達水平地面的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q.求：

（1）線框abcd在進入磁場的過程中，通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少？

（2）線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的？

（3）線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

如下圖所示，水平地面上方的H高區(qū)域內(nèi)有勻強磁場，水平界面PP′是磁場的上邊界，磁感應(yīng)強度為B，方向是水平的，垂直于紙面向里.在磁場的正上方，有一個位于豎直平面內(nèi)的閉合的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長為l1,bc長為l2,H>l2,線框的質(zhì)量為m、電阻為R.現(xiàn)使線框abcd從高處自由落下，ab邊下落的過程中始終保持水平，已知線框進入磁場的過程中的運動情況是：cd邊進入磁場以后，線框先做加速運動，然后做勻速運動，直到ab邊到達邊界PP′為止.從線框開始下落到cd邊剛好到達水平地面的過程中，線框中產(chǎn)生的焦耳熱為Q.求：

（1）線框abcd在進入磁場的過程中，通過導(dǎo)線的某一橫截面的電荷量是多少？

（2）線框是從cd邊距邊界PP′多高處開始下落的？

（3）線框的cd邊到達地面時線框的速度大小是多少？

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科目：高中物理 來源：人教版高三物理二輪復(fù)習(xí)專題訓(xùn)練3 題型：計算題

如下圖所示，水平地面上放有質(zhì)量均為m=1kg的物塊A和B，兩者之間的距離為l=0.75m。A、B與地面間的動摩擦因數(shù)分別為μ1=0.4、μ2=0.1�，F(xiàn)使A獲得初速度v0向B運動，同時對B施加一個方向水平向右的力F=3N，使B由靜止開始運動。經(jīng)過一段時間，A恰好追上B。g取10m/s2。求：
【小題1】B運動的加速度大小aB；
【小題2】A的初速度的大小v0。

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