如圖所示,由相同絕緣材料組成的斜面AB和水平面BC,質(zhì)量為m的小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v1 (v1≠0),最大水平位移為S1;現(xiàn)給小滑塊帶上正電荷,并在空間施加豎直向下的勻強(qiáng)電場,仍讓小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v2,最大水平位移為S2,忽略在B點(diǎn)因碰撞而損失的能量,水平面足夠長,以下判斷正確的是( 。
A.v1<v2B.v1≥v2C.S1≠S2D.S1=S2
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設(shè)物體的電量為q,電場強(qiáng)度大小為E,斜面的傾角為θ,動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.根據(jù)動(dòng)能定理得
A、不加電場時(shí):mgSABsinθ-μmgSABcosθ-μmgSBC=
1
2
mv12
     
加電場時(shí):(mg+qE)SABsinθ-μ(mg+qE)SABcosθ-μ(mg+qE)S2=
1
2
mv22
  
將兩式對比得到,v1<v2,故A正確,B錯(cuò)誤;
C、不加電場時(shí):mgSABsinθ-μmgSABcosθ-μmgS1=0     
加電場時(shí):(mg+qE)SABsinθ-μ(mg+qE)SABcosθ-μ(mg+qE)S2=0  
將兩式對比得到,S1=S2,故C錯(cuò)誤,D正確;
故選AD
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,由相同絕緣材料組成的斜面AB和水平面BC,質(zhì)量為m的小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v1 (v1≠0),最大水平位移為S1;現(xiàn)給小滑塊帶上正電荷,并在空間施加豎直向下的勻強(qiáng)電場,仍讓小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v2,最大水平位移為S2,忽略在B點(diǎn)因碰撞而損失的能量,水平面足夠長,以下判斷正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2010?鎮(zhèn)江一模)如圖所示,在光滑絕緣水平面上的a、b兩點(diǎn)上固定兩個(gè)帶同種電荷的相同金屬小球P、Q(均可視為點(diǎn)電荷),P球所帶的電荷量大于Q球所帶的電荷量.在ab連線上的c點(diǎn)釋放一帶電小滑塊M,滑塊由靜止開始向右運(yùn)動(dòng).在滑塊向右運(yùn)動(dòng)的過程中,下列說法正確的是( 。

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科目:高中物理 來源:2007-2008學(xué)年上海市靜安區(qū)高三(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,由相同絕緣材料組成的斜面AB和水平面BC,質(zhì)量為m的小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v1 (v1≠0),最大水平位移為S1;現(xiàn)給小滑塊帶上正電荷,并在空間施加豎直向下的勻強(qiáng)電場,仍讓小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v2,最大水平位移為S2,忽略在B點(diǎn)因碰撞而損失的能量,水平面足夠長,以下判斷正確的是( )

A.v1<v2
B.v1≥v2
C.S1≠S2
D.S1=S2

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,由相同絕緣材料組成的斜面AB和水平面BC,質(zhì)量為m的小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v1v1≠0),最大水平位移為S1;現(xiàn)給小滑塊帶上正電荷,并在空間施加豎直向下的勻強(qiáng)電場,仍讓小滑塊由A靜止開始釋放,它運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)時(shí)的速度為v2,最大水平位移為S2,忽略在B點(diǎn)因碰撞而損失的能量,水平面足夠長,以下判斷正確的是     (  ) 

A、v1<v2,                  B、v1v2,

C、S1S2,                  D、S1=S2。

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