分析 自由落體運(yùn)動(dòng)做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)位移時(shí)間公式求出物體下落位移,根據(jù)平均速度公式求出物體下落過程的平局速度.根據(jù)位移速度公式求的速度
解答 解:下落的高度為:
h=$\frac{1}{2}g{t}^{2}=\frac{1}{2}×10×{3}^{2}m=45m$
平均速度為:
v=$\frac{h}{t}=\frac{45}{3}m/s=15m/s$
由v2=2gh得:
$v=\sqrt{2g•\frac{h}{2}}=\sqrt{2×10×\frac{45}{2}}m/s=15\sqrt{2}m/s$
答:出發(fā)點(diǎn)距離地面的高度為45m,在此過程中物體運(yùn)動(dòng)的平均速度為15m/s,物體下落一半高度時(shí)的瞬時(shí)速度為$15\sqrt{2}m/s$
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道自由落體運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,結(jié)合運(yùn)動(dòng)學(xué)公式靈活求解,基礎(chǔ)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 2m/s 4 m/s2 | B. | 10m/s 2 m/s2 | C. | 2.5m/s 5m/s2 | D. | 5 m/s 2 m/s2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為$\frac{F}{{Q}_{1}}$ | |
B. | P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小等于$\frac{F}{q}$也等于$\frac{k{Q}_{1}}{{r}^{2}}$ | |
C. | 試探電荷的電荷量變?yōu)?q時(shí),2q受到的電場(chǎng)力將變?yōu)?F,而P處的場(chǎng)強(qiáng)為$\frac{F}{q}$ | |
D. | 若在P點(diǎn)不放試探電荷,則該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向?qū)l(fā)生變化 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為4×105 V/m | |
B. | 膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為2×105 V/m | |
C. | 每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為6.4×10-20 J | |
D. | 每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為1.6×10-19 J |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 第2 s末的瞬時(shí)速度是$\frac{\sqrt{2}}{2}$ m/s | B. | 前2s內(nèi)的平均速度為$\frac{\sqrt{2}}{2}$m/s | ||
C. | 前4s內(nèi)的平均速率為0.5 m/s | D. | 前2s內(nèi)的平均速度為2 m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在C→O的過程中,做勻加速運(yùn)動(dòng) | B. | 在C→O的過程中,做變加速運(yùn)動(dòng) | ||
C. | 在O點(diǎn)速度最大,加速度為零 | D. | 電子在cd間做往復(fù)運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 通過兩段導(dǎo)體的電流相等 | |
B. | B導(dǎo)體的電阻是A導(dǎo)體電阻的兩倍 | |
C. | A導(dǎo)體兩端的電壓UA大于B導(dǎo)體兩端的電壓UB | |
D. | A導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度小于B導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度 |
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