如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，其有一對平行金屬板，兩板相距為d，電壓為U；兩板之間有勻強磁場，磁感應強度大小為B0，方向與金屬板面平行并垂直于紙面朝里，圖中右邊有一半徑為R、圓心為O的圓形區(qū)域，區(qū)域內(nèi)也存在勻強磁場，磁感應強度大小為B，方向垂直于紙面朝里。一電荷量為q的正離子沿平行于金屬板面、垂直于磁場的方向射入平行金屬板之間，然后沿直線射出平行金屬板之間的區(qū)域，并沿直徑EF方向射入磁場區(qū)域，最后從圓形區(qū)域邊界上的G點射出，已知弧所對應的圓心角為。不計重力，求：

（1）離子速度的大�。�

（2）離子的質(zhì)量。

（1）   （2分）

                   （2分）

（2）       （3分）

           （1分）

  解得   （2分）


解析:

略

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2010?福建）如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強的偏轉電場．一束同位素離子流從狹縫S1射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S2射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進入場強大小為E的偏轉電場，最后打在照相底片D上．已知同位素離子的電荷量為q（q＞0），速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強大小為E0的勻強電場和磁感應強度大小為B0的勻強磁場，照相底片D與狹縫S1、S2的連線平行且距離為L，忽略重力的影響．
（1）求從狹縫S2射出的離子速度v0的大�。�
（2）若打在照相底片上的離子在偏轉電場中沿速度v0方向飛行的距離為x，求出x與離子質(zhì)量m之間的關系式（用E0、B0、E、q、m、L示）．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強的偏轉電場。一束同位素離子流從狹縫S1射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S2射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進入場強大小為的偏轉電場，最后打在照相底片上。已知同位素離子的電荷量為(＞0)，速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強大小為的勻強電場和磁感應強度大小為的勻強磁場，照相底片與狹縫S1、S2的連線平行且距離為，忽略重力的影響。

(1)求從狹縫S2射出的離子速度的大�。�

(2)若打在照相底片上的離子在偏轉電場中沿速度方向飛行的距離為，求出與離子質(zhì)量之間的關系式(用、、、、、L表示)。

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科目：高中物理 來源：2014屆江蘇省高二上學期中考試選修物理試卷（解析版） 題型：計算題

（15分）如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強的偏轉電場．一束同位素離子流從狹縫S1射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S2射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進入場強大小為E的偏轉電場，最后打在照相底片D上．已知同位素離子的電荷量為q(q>0)，速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強大小為E0的勻強電場和磁感應強度大小為B0的勻強磁場，照相底片D與狹縫S1、S2的連線平行且距離為L，忽略重力的影響．

(1)求從狹縫S2射出的離子速度v0的大��；

(2)若打在照相底片上的離子在偏轉電場中沿速度v0方向飛行的距離為x，求出x與離子質(zhì)量m之間的關系式(用E0、B0、E、q、m、L表示)．

 

 

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科目：高中物理 來源：2010年高考物理試題分類匯編--研究方法與物理學史 題型：計算題

(15分)

如圖所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強的偏轉電場。一束同位素離子流從狹縫S1射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S2射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進入場強大小為的偏轉電場，最后打在照相底片上。已知同位素離子的電荷量為(＞0)，速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強大小為的勻強電場和磁感應強度大小為的勻強磁場，照相底片與狹縫S1、S2的連線平行且距離為，忽略重力的影響。

(1)求從狹縫S2射出的離子速度的大��；

(2)若打在照相底片上的離子在偏轉電場中沿速度方向飛行的距離為，求出與離子質(zhì)量之間的關系式(用、、、、、L表示)。

 

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