如圖所示，在雙曲線
x2
16
-
y2
9
=1的兩個(gè)焦點(diǎn)F1和F2上放置兩個(gè)頻率相同的波源，它們激起的波的波長為4cm．就圖中A、B、C、D四個(gè)質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)，下面說法中正確的是（　�。�
分析：波的干涉中，到兩個(gè)波源的路程差等于波長整數(shù)倍的點(diǎn)是振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn)，到兩個(gè)波源的路程差為半波長奇數(shù)倍的點(diǎn)為振動(dòng)減弱點(diǎn)．
解答：解：雙曲線
x2
16
-
y2
9
=1中，半實(shí)軸長a=4cm，半虛軸長b=3cm，故半焦距長c=
a2+b2
=5cm；
點(diǎn)A和點(diǎn)B到兩個(gè)波源的路程差等于實(shí)軸長，即為8cm，波的波長為4cm，故點(diǎn)A和點(diǎn)B到兩個(gè)波源的路程差等于波長的2倍，是振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn)；
點(diǎn)C和點(diǎn)D到兩個(gè)波源的路程差為零，也是振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn)；
故ABD錯(cuò)誤，C正確；
故選C．
點(diǎn)評：本題關(guān)鍵明確波的干涉中振動(dòng)加強(qiáng)和振動(dòng)減弱的條件，同時(shí)要有一定的數(shù)學(xué)處理能力，較難．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在xOy平面的第一象限，存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅰ；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅱ．兩個(gè)電場大小均為E，不計(jì)電子所受重力，電子的電荷量為e，求：
（1）從電場區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo)；
（2）試證明在電場Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開的
（3）由電場區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在Oxy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的勻強(qiáng)電場II．兩個(gè)電場大小均為E，不計(jì)電子所受重力．求
（1）從電場I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開MNPQ時(shí)的位置；
（2）由電場I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能；
（3）若將左側(cè)電場II整體水平向左移動(dòng)
L
n
（n≥1），要使電子從x=-2L，y=0處離開電場區(qū)域II，在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，在oxy平面的第一象限內(nèi)，存在以x軸（0≤x≤L）、y軸（0≤y≤L）及雙曲線y=
L
2
 
4x
的一段為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域I，在第二象限內(nèi)的-2L≤x≤一L、0≤y≤L所包圍的區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅱ．兩個(gè)區(qū)域的場強(qiáng)大小均為E，電子質(zhì)量為m、電荷量為e，不計(jì)電子所受重力．求：
（1）從電場區(qū)域I邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的位置
（2）由電場區(qū)域I邊界AB曲線上由靜止釋放電子，電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能
（3）若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向左移動(dòng)
L
n
（n≥1），要使電子從x=-2L、y=0處離開電場區(qū)域Ⅱ，在電場區(qū)域I內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來源：專項(xiàng)題 題型：計(jì)算題

如圖所示，在Oxy平面的第一象限內(nèi)，存在以x軸、y軸及雙曲線（0≤x≤L，0≤y≤L）的一段為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域I，在第二象限內(nèi)的、所包圍的區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)電場區(qū)域II。兩個(gè)區(qū)域的場強(qiáng)大小均為E，不計(jì)電子所受重力。求：
（1）從電場區(qū)域I邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的位置；
（2）由電場區(qū)域I邊界AB曲線上由靜止釋放電子，電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能；
（3）若將左側(cè)電場II整體水平向左移動(dòng)（n≥1），要使電子從x=－2L、y=0處離開電場區(qū)域II，在電場區(qū)域I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在Oxy平面的第一象限內(nèi)，存在以x軸、y軸及雙曲線（0≤x≤L，0≤y≤L）的一段為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域I，在第二象限內(nèi)的、所包圍的區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)電場區(qū)域II。兩個(gè)區(qū)域的場強(qiáng)大小均為E，不計(jì)電子所受重力。求：

（1）從電場區(qū)域I邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的位置；

（2）由電場區(qū)域I邊界AB曲線上由靜止釋放電子，W#W$W%.K**S*&5^U電子離開區(qū)域MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能；

（3）若將左側(cè)電場II整體水平向左移動(dòng)（n≥1），要使電子從x=－2L、y=0處離開電場區(qū)域II，在電場區(qū)域I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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