穿過單匝閉合線圈的磁通量在0.03 s內(nèi)由0.2 Wb均勻增加到0.8 Wb，則在此過程中穿過該線圈的磁通量的變化量為________Wb，該線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢為________V．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

 (16分) 在光滑水平面上，一個(gè)質(zhì)量m=0.2kg、電阻R=1Ω的均勻的單匝閉合正方形線圈abcd，在水平向右的外力F作用下，從靜止開始向右做勻加速運(yùn)動，穿過磁感強(qiáng)度為B=1T的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域。線圈的邊長小于磁場區(qū)域的寬度，bc邊始終與磁場的邊界平行。測得線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢E和運(yùn)動時(shí)間的關(guān)系如圖所示。已知線圈bc邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線圈速度v1= 1m/s，bc兩點(diǎn)間電壓0.75V，= 0.5s，

（1）求線圈的邊長l；

（2）求時(shí)刻t（t1＜t＜t2）外力F與t的函數(shù)表達(dá)式；

（3）若在 時(shí)間內(nèi)，外力F所做的功J，求在 時(shí)間內(nèi)，線圈中產(chǎn)生的焦耳熱。

 


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科目：高中物理 來源： 題型：

  (16分) 在光滑水平面上，一個(gè)質(zhì)量m=0.2kg、電阻R=1Ω的均勻的單匝閉合正方形線圈abcd，在水平向右的外力F作用下，從靜止開始向右做勻加速運(yùn)動，穿過磁感強(qiáng)度為B=1T的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域。線圈的邊長小于磁場區(qū)域的寬度，bc邊始終與磁場的邊界平行。測得線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢E和運(yùn)動時(shí)間的關(guān)系如圖所示。

 

 

 

 

 


已知線圈bc邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線圈速度v1= 1m/s，bc兩點(diǎn)間電壓0.75V，=0.5s，

（1）求線圈的邊長l；

（2）求時(shí)刻t（t1＜t＜t2）外力F與t的函數(shù)表達(dá)式；

（3）若在 時(shí)間內(nèi)，外力F所做的功J，求在時(shí)間內(nèi)，線圈中產(chǎn)生的焦耳熱。

 

 

 

 

 

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科目：高中物理 來源：重慶市重慶一中2010屆高三4月月考 題型：計(jì)算題

  (16分) 在光滑水平面上，一個(gè)質(zhì)量m=0.2kg、電阻R=1Ω的均勻的單匝閉合正方形線圈abcd，在水平向右的外力F作用下，從靜止開始向右做勻加速運(yùn)動，穿過磁感強(qiáng)度為B=1T的有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域。線圈的邊長小于磁場區(qū)域的寬度，bc邊始終與磁場的邊界平行。測得線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢E和運(yùn)動時(shí)間的關(guān)系如圖所示。

 

 

 

 

 


已知線圈bc邊剛進(jìn)入磁場時(shí)線圈速度v1= 1m/s，bc兩點(diǎn)間電壓0.75V，= 0.5s，

（1）求線圈的邊長l；

（2）求時(shí)刻t（t1＜t＜t2）外力F與t的函數(shù)表達(dá)式；

（3）若在 時(shí)間內(nèi)，外力F所做的功J，求在 時(shí)間內(nèi)，線圈中產(chǎn)生的焦耳熱。

 

 

 

 

 

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科目：高中物理 來源：專項(xiàng)題 題型：不定項(xiàng)選擇

關(guān)于電磁感應(yīng)，下列說法中正確的是

[     ]

A．若穿過閉合電路的磁通量發(fā)生改變，則閉合電路中一定有感應(yīng)電流產(chǎn)生
B．閉合回路的磁通量變化越大，產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢越大
C．若矩形導(dǎo)線框在磁場中沿垂直于磁感線方向運(yùn)動，則線框中一定沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生
D．穿過一個(gè)單匝線圈的磁通量始終保持每秒均勻地減少2 Wb，則線圈中感應(yīng)電動勢每秒鐘增加2 V

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科目：高中物理 來源： 題型：

磁場垂直穿過一個(gè)線圈面積為1m2、電阻為1Ω的單匝閉合線圈，其磁感強(qiáng)度B每秒鐘均勻地減少2T，即=2（T／S)，則 

A．線圈中的感應(yīng)電動勢每秒減少2V　　　　B．線圈中的感應(yīng)電動勢是2V

C．線圈中的感應(yīng)電流每秒鐘減少2A　　　　D．線圈中的感應(yīng)電流是2A

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