分析 根據(jù)單晶體的體積和密度可求得質(zhì)量,再根據(jù)摩爾質(zhì)量可求得物質(zhì)的量,從而求出分子數(shù);
根據(jù)摩爾質(zhì)量可求得摩爾體積,從而求出單個(gè)分子體積,再根據(jù)球體的體積公式即可求得分子直徑.
解答 解:該單晶體的質(zhì)量m=ρV,則分子數(shù)為:n=$\frac{ρV}{M}{N}_{A}$;
單個(gè)分子體積v=$\frac{M}{ρ}$=$\frac{π{D}^{3}}{6}$
解得:D=$\root{3}{\frac{6M}{πρ}}$
故答案為:$\root{3}{\frac{6M}{πρ}}$;$\root{3}{\frac{6M}{πρ}}$
點(diǎn)評 本題考查阿伏加德羅常數(shù)的應(yīng)用,要注意明確摩爾質(zhì)量、摩爾體積以及分子質(zhì)量和分子體積間的關(guān)系,能正確根據(jù)阿伏加德羅常數(shù)進(jìn)行分析計(jì)算.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若增大紫外線的照射強(qiáng)度,單位時(shí)間從M板逸出的電子增多 | |
B. | 若減小紫外線的照射強(qiáng)度,電子從M板逸出的最大初動(dòng)能減小 | |
C. | 從M板逸出電子的最大初動(dòng)能為$\frac{{e}^{2}{{B}_{0}}^{2}t75lmga^{2}}{2m}$ | |
D. | 該金屬的逸出功為hv-$\frac{{e}^{2}{{B}_{0}}^{2}gzxvnwu^{2}}{8m}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場強(qiáng)度大的地方電勢高,電場強(qiáng)度小的地方電勢低 | |
B. | 電場中任意兩點(diǎn)之間的電勢差只與這兩點(diǎn)的場強(qiáng)有關(guān) | |
C. | 在正電荷或負(fù)電荷產(chǎn)生的靜電場中,場強(qiáng)方向都指向電勢降低最快的方向 | |
D. | 將正點(diǎn)電荷從場強(qiáng)為零的一點(diǎn)移動(dòng)到場強(qiáng)為零的另一點(diǎn),電場力做功為零 | |
E. | 負(fù)電荷沿電場線方向移動(dòng)時(shí),電勢能一定增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 彈簧振子做簡諧運(yùn)動(dòng)時(shí),其勢能變化的周期等于速度變化的周期 | |
B. | 無線互聯(lián)網(wǎng)(Wi-Fi)利用紅外線傳輸信息 | |
C. | 在單縫衍射實(shí)驗(yàn)中,減小縫的寬度,中央條紋變寬變暗 | |
D. | 沿桿方向相對桿運(yùn)動(dòng)的人觀察到桿長總小于與桿相對靜止的人觀察到的桿長 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
產(chǎn)品型號 ELB552 額定電壓 220V 頻 率 50Hz 額定功率 1100W 容 量 1.5L |
A. | 0.2A | B. | 2.5$\sqrt{2}$A | C. | 5A | D. | 5$\sqrt{2}$A |
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