某同學(xué)將一直流電源的總功率PE、輸出功率PR和電源內(nèi)部的發(fā)熱功率Pr隨電流I變化的圖線畫在同一坐標(biāo)系內(nèi)，如圖所示，根據(jù)圖線可知（ ）

A．反映Pr變化的圖線是c

B．電源電動勢為8 V

C．電源內(nèi)阻為1 Ω

D．當(dāng)電流為0．5 A時，外電路的電阻為6 Ω

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2016-2017河北定州中學(xué)高二上學(xué)期1125周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題

在核反應(yīng)堆外修建很厚的水泥層，是為了（ ）

A．核爆炸 B．放射線外泄 C．快中子外泄 D．慢中子外泄

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科目：高中物理 來源：2016屆北京市順義區(qū)高三3月第一次統(tǒng)練（一模）物理試卷（解析版） 題型：選擇題

關(guān)于α、β、γ三種射線，下列說法正確的是

A．α射線是原子核自發(fā)放射出的氦核，它的穿透能力最強(qiáng)

B．β射線是原子核外電子電離形成的電子流，它的穿透能力強(qiáng)

C．γ射線一般伴隨著α或β射線產(chǎn)生，它的穿透能力最強(qiáng)

D．γ射線是電磁波，它的穿透能力最弱

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科目：高中物理 來源：2016-2017浙江寧波效實(shí)中學(xué)高一創(chuàng)新班上期中考物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖，某雜技演員在做手指玩盤子的表演。設(shè)該盤的質(zhì)量為m=0．2kg，手指與盤之間的滑動摩擦因數(shù)μ=0．5，最大靜摩擦等于滑動摩擦，盤底處于水平狀態(tài),且不考慮盤的自轉(zhuǎn)。下列說法正確的是

A. 若手指支撐著盤，使盤保持靜止?fàn)顟B(tài)，則手對盤的摩擦力大小為1N

B. 若盤隨手指一起水平向右做勻速運(yùn)動，則手對盤的摩擦力大小為1N

C. 若盤隨手指一起水平向右做勻加速運(yùn)動，則手對盤的作用力大小為2N

D. 若盤隨手指一起水平向右做勻加速運(yùn)動，則手對盤的作用力大小不可超過2．24N

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年山西太原五中高二理12月階段測物理卷（解析版） 題型：計(jì)算題

如圖所示，在場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中，一絕緣輕質(zhì)細(xì)桿L可繞點(diǎn)O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)自由轉(zhuǎn)動，A端有一個帶正電的小球，電荷量為q，質(zhì)量為m．將細(xì)桿從水平位置自由釋放，則：

（1）求出小球在最低點(diǎn)時的動能；

（2）求在最低點(diǎn)時絕緣桿對小球的作用力．

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年山西太原五中高二理12月階段測物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，虛線AB和CD分別為橢圓的長軸和短軸，相交于O點(diǎn)，兩個等量異種點(diǎn)電荷分別處于橢圓的兩個焦點(diǎn)M、N上，下列說法中正確的是（ ）

A. C、D兩處電勢、場強(qiáng)均相同

B. A、B兩處電勢、場強(qiáng)均相同

C. 在虛線AB上O點(diǎn)的場強(qiáng)最大

D. 帶正電的試探電荷在O處的電勢能小于在B處的電勢能

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科目：高中物理 來源：2016-2017學(xué)年山西太原五中高二文12月階段測物理卷（解析版） 題型：簡答題

在傾角為α的光滑斜面上，置一通有電流為I，長為L，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒，如圖所示，試求：欲使棒靜止在斜面上且對斜面無壓力，應(yīng)加勻強(qiáng)磁場B的大小和方向．

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科目：高中物理 來源：2015-2016學(xué)年內(nèi)蒙古高二下月考一物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，電動勢為E、內(nèi)阻不計(jì)的電源與三個燈泡和三個電阻相接．只合上開關(guān)S1，三個燈泡都能正常工作，如果再合上S2，則下列表述正確的是：（ ）

A．電源輸出功率減小

B．L1消耗的功率減小

C．通過R1上的電流增大

D．通過R3上的電流增大

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科目：高中物理 來源：2017屆寧夏高三上學(xué)期適應(yīng)性訓(xùn)練三物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，真空有一個下表面鍍反射膜的平行玻璃磚，其折射率，一束單色光與界面成=45°角斜射到玻璃磚表面上，最后在玻璃磚的右側(cè)豎直平面光屏上出現(xiàn)兩個光點(diǎn)A和B，A和B相距h=4．0cm，已知光在真空中的傳播速度

①畫出光路圖；

②求玻璃磚的厚度。

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