如圖所示，帶電粒子進入磁場中，圖中的磁場方向B、速度v方向、洛侖茲力f方向標(biāo)示正確的是（　　）
A．B．C．D．
A、帶負電的粒子向右運動，掌心向外，四指所指的方向向左，大拇指所指的方向是向下，選項A錯誤．
B、帶負電粒子的運動方向與磁感應(yīng)線平行，此時不受洛倫茲力的作用．選項B錯誤．
C、帶正電的粒子向右運動掌心向外，四指所指的方向向右，大拇指所指的方向是向上，選項C正確．
D、帶負電的粒子向上運動，掌心向里，四指應(yīng)向上，大拇指的方向向左，選項D錯誤．
故選：C．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

初速度為零的離子經(jīng)過電勢差為U的電場加速后，從離子槍T中水平射出，與離子槍相距d處有兩平行金屬板MN和PQ，整個空間存在一磁感強度為B的勻強磁場如圖10－28所示。不考慮重力的作用，荷質(zhì)比q／m（q，m分別為離子的帶電量與質(zhì)量），應(yīng)在什么范圍內(nèi)，離子才能打到金屬板上？

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

一帶電粒子在勻強磁場中沿著磁感線方向運動，現(xiàn)將該磁場的磁感強度增大一倍，則帶電粒子受到的洛侖茲力（　�。�
A．增大兩倍B．增大一倍C．減小一半D．依然為零

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

關(guān)于安培力和洛倫茲力，下列說法中正確的是（　�。�
A．帶點粒子在磁場中運動時，有可能不受洛倫茲力的作用
B．洛倫茲力對運動電荷一定不做功
C．放置在磁場中的通電直導(dǎo)線，一定受到安培力作用
D．放置在磁場中的通電直導(dǎo)線，有可能不受安培力作用

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖是荷質(zhì)比相同的a、b兩粒子從O點垂直勻強磁場進入正方形區(qū)域的運動軌跡，則（　�。�
A．a(chǎn)的質(zhì)量比b的質(zhì)量大
B．a(chǎn)帶正電荷、b帶負電荷
C．a(chǎn)在磁場中的運動速率比b的大
D．a(chǎn)在磁場中的運動時間比b的長

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如右圖所示，水平直導(dǎo)線中通有穩(wěn)恒電流I，導(dǎo)線的正上方處有一電子初速度v0，其方向與電流方向相同，以后電子將（　　）
A．沿路徑a運動，曲率半徑變小
B．沿路徑a運動，曲率半徑變大
C．沿路徑b運動，曲率半徑變小
D．沿路徑b運動，曲率半徑變大

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

關(guān)于安培力和洛侖茲力，下列說法正確的是（　�。�
A．安培力是洛侖茲力的宏觀表現(xiàn)
B．安培力和洛侖茲力是性質(zhì)不同的兩種力
C．洛侖茲力是安培力的宏觀表現(xiàn)
D．安培力和洛侖茲力，兩者是同一個力的兩個名稱

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)，有勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B，方向垂直于圓平面（未畫出）．一群比荷為的負離子以相同速率v0（較大），由P點在紙平面內(nèi)向不同方向射入磁場中發(fā)生偏轉(zhuǎn)后，又飛出磁場，最終打在磁場區(qū)域右側(cè)的熒光屏（足夠大）上，則下列說法正確的是（不計重力）（　�。�
A．離子在磁場中運動時間一定相等
B．離子在磁場中的運動半徑一定相等
C．由Q點飛出的離子在磁場中運動的時間最長
D．沿PQ方向射入的離子飛出時偏轉(zhuǎn)角最大

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：計算題

(4分)如圖所示，矩形區(qū)域?qū)挾葹閘，其內(nèi)有磁感應(yīng)強度為B、垂直紙面向外的勻強磁場．一帶電粒子以初速度v0垂直左邊界射入，飛出磁場時偏離原方向300．若撤去原來的磁場，在此區(qū)域內(nèi)加一個電場強度為E、方向豎直向下的勻強電場(圖中未畫出)，帶電粒子仍以原來的初速度入射．不計粒子的重力，求：

(1)帶電粒子在磁場中的運動半徑；
(2)帶電粒子在磁場中運動的時間；
(3)帶電粒子飛出電場后的偏轉(zhuǎn)角．

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同步練習(xí)冊答案