(2)速度方向沿y軸正方向射入磁場(chǎng)的質(zhì)子到達(dá)x軸所需的時(shí)間。
(3)如上圖當(dāng)質(zhì)子速度方向與y軸成30°角且與x軸正方向成120°角射入磁場(chǎng)時(shí),質(zhì)子到達(dá)x軸的位置坐標(biāo)以及質(zhì)子從射入磁場(chǎng)到到達(dá)x軸所需的時(shí)間。
(1)由Bev=得v=。
(2)若質(zhì)子沿y軸正方向射入磁場(chǎng),則以O(shè)1為圓心轉(zhuǎn)過(guò)圓弧后從A點(diǎn)垂直電場(chǎng)方向進(jìn)入電場(chǎng)。
由T=得從O到A的時(shí)間:
tB=
進(jìn)入電場(chǎng)后質(zhì)子做類平拋運(yùn)動(dòng),則位移:
y=r=
可知tE=
所以質(zhì)子到達(dá)x軸所需的時(shí)間:t=tB+tE=
(3)質(zhì)子射入磁場(chǎng)后,在磁場(chǎng)中以N為圓心做勻速圓周運(yùn)動(dòng),從P點(diǎn)射出磁場(chǎng)如圖OMPN為邊長(zhǎng)為r的菱形,PN//y軸則質(zhì)子射出磁場(chǎng)后速度方向與x軸平行。由圖可知:P點(diǎn)坐標(biāo)(rsin60°,r+rcos60°)
質(zhì)子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間y′=
r+rcos60°==,則t′E=
電場(chǎng)中質(zhì)子的水平位移s=vt′E==
所以質(zhì)子到達(dá)x軸的Q點(diǎn)坐標(biāo)為(r+,0)
由T=得從O到P的時(shí)間t′B==
又tpp′=
所以,所需的時(shí)間tOQ=tB′+tE′+tPP′=。
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