在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[
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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?
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(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[
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科目:高中物理 來源:福建省寧德三縣市2010屆高三第二次聯(lián)考(理綜)物理部分 題型:計(jì)算題
(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[
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