如圖(a)所示,一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置,橫截面積為S=2×10-3 m2、質(zhì)量為m=4 kg厚度不計的活塞與氣缸底部之間封閉了一部分氣體,此時活塞與氣缸底部之間的距離為24 cm,在活塞的右側(cè)12 cm處有一對與氣缸固定連接的卡環(huán),氣體的溫度為300 K,大氣壓強P0=1.0×105 Pa.現(xiàn)將氣缸豎直放置,如圖(b)所示,取g=10 m/s2.求:
(1)活塞與氣缸底部之間的距離;
(2)加熱到675 K時封閉氣體的壓強.
科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
金屬 | 銫 | 鈣 | 鎂 | 鈦 |
逸出功W/eV | 1.9 | 2.7 | 3.7 | 4.1 |
2 1 |
3 1 |
4 2 |
2 1 |
3 1 |
4 2 |
1 0 |
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科目:高中物理 來源:2011-2012年安徽省六校教育研究會高二素質(zhì)測試物理卷 題型:選擇題
當電流垂直于外磁場通過導(dǎo)體時,在導(dǎo)體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現(xiàn)電勢差,這一現(xiàn)象便是霍爾效應(yīng),這個電勢差也被叫做霍爾電壓?茖W技術(shù)中常常利用霍爾效應(yīng)測定磁場的磁感應(yīng)強度。如圖11所示為一金屬導(dǎo)體,規(guī)格已在圖中標出,若已知通過導(dǎo)體的電流為I,電壓表示數(shù)為U,電子的電荷量為e,則被測勻強磁場(磁場方向垂直于前后表面)的磁感應(yīng)強度大小為(已知電流的微觀表達式為I=nsvq,其中n為導(dǎo)單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù),s為導(dǎo)體的截面積,v為電荷定向移動的速率,q為電荷的帶電量)( )
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題
金屬 | 銫 | 鈣 | 鎂 | 鈦 |
逸出功W/eV | 1.9 | 2.7 | 3.7 | 4.1 |
21 |
31 |
42 |
21 |
31 |
42 |
10 |
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科目:高中物理 來源:2011年江蘇省無錫一中高考物理二輪復(fù)習卷(一)(解析版) 題型:解答題
金屬 | 銫 | 鈣 | 鎂 | 鈦 |
逸出功W/eV | 1.9 | 2.7 | 3.7 | 4.1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
當電流垂直于外磁場通過導(dǎo)體時,在導(dǎo)體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現(xiàn)電勢差,這一現(xiàn)象便是霍爾效應(yīng),這個電勢差也被叫做霍爾電壓。科學技術(shù)中常常利用霍爾效應(yīng)測定磁場的磁感應(yīng)強度。如圖11所示為一金屬導(dǎo)體,規(guī)格已在圖中標出,若已知通過導(dǎo)體的電流為I,電壓表示數(shù)為U,電子的電荷量為e,則被測勻強磁場(磁場方向垂直于前后表面)的磁感應(yīng)強度大小為(已知電流的微觀表達式為I=nsvq,其中n為導(dǎo)單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù),s為導(dǎo)體的截面積,v為電荷定向移動的速率,q為電荷的帶電量)( )
A. B. C. D.
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