在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)顆金屬顆粒，每一顆粒充當(dāng)電容器的一極，外表面絕緣，手指貼在其上構(gòu)成電容器的另一極，這就組成了指紋傳感器．當(dāng)手指的指紋一面與絕緣表面接觸時(shí)，由于指紋深淺不同，對(duì)應(yīng)的峪和嵴與顆粒間形成一個(gè)個(gè)電容大小不同的電容器，則                      (　　)．

A．指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近，電容小

B．指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn)，電容小

C．對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓，在手指靠近時(shí)，各金屬電極所帶電荷量減小

D．對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓，在手指遠(yuǎn)離時(shí)，各金屬電極均處于充電狀態(tài)

解析　對(duì)應(yīng)的峪和嵴與顆粒間形成的電容器近似看成是平行板電容器，由C＝知，d變小，C變大，d變大，C變小，則A錯(cuò)B對(duì)；當(dāng)電容器兩極電壓一定時(shí)，由Q＝CU＝，d變小，Q變大(充電)，d變大，Q變小(放電)，則C、D均錯(cuò)．

答案　B

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

半導(dǎo)體指紋傳感器：在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒，傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極，充當(dāng)電容器的一極，其外面是絕緣的表面．手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極，由于手指指紋深淺不同，嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同，其工作過(guò)程是通過(guò)對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓，然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量，設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總，也就完成了指紋的采集，則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒，每一顆粒充當(dāng)電容器的一極，外表面絕緣，手指貼在其上構(gòu)成電容器的另一極，這就組成了指紋傳感器．當(dāng)手指的指紋一面與絕緣表面接觸時(shí)，由于指紋深淺不同，對(duì)應(yīng)的峪和嵴與顆粒間形成一個(gè)個(gè)電容值大小不同的電容器，則（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源：2010-2011學(xué)年江蘇省南京市高三第四次模擬考試（理綜）物理部分 題型：選擇題

半導(dǎo)體指紋傳感器：在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒，傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極，充當(dāng)電容器的一極，其外面是絕緣的表面．手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極，由于手指指紋深淺不同，嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同，其工作過(guò)程是通過(guò)對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓，然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量，設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總，也就完成了指紋的采集，則(　　)

A. 指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近，電容小

B. 指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn)，電容小

C. 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí)，在手指靠近時(shí)，各金屬電極電量減小

D. 對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí)，在手指遠(yuǎn)離時(shí)，各金屬電極均處于充電狀態(tài)

 

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

半導(dǎo)體指紋傳感器：在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬(wàn)金屬顆粒，傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極，充當(dāng)電容器的一極，其外面是絕緣的表面．手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極，由于手指指紋深淺不同，嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同，其工作過(guò)程是通過(guò)對(duì)電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓，然后對(duì)每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測(cè)量，設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總，也就完成了指紋的采集，則（　�。�
A．指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離近，電容小
B．指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對(duì)應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn)，電容小
C．對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí)，在手指靠近時(shí)，各金屬電極電量減小
D．對(duì)每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí)，在手指遠(yuǎn)離時(shí)，各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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