如圖（a）所示，為某同學(xué)設(shè)想的粒子速度選擇裝置，由水平轉(zhuǎn)軸及兩個(gè)薄盤N1、N2構(gòu)成，兩盤面平行且與轉(zhuǎn)軸垂直，相距為L，盤上各開一狹縫，兩狹縫夾角θ可調(diào)（如圖（b））；右為水平放置的長為d的感光板，板的正上方有一勻強(qiáng)磁場，方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B一小束速度不同、帶正電的粒子沿水平方向射人N1，能通過N2的粒子經(jīng)O點(diǎn)垂直進(jìn)入磁場O到感光板的距離為d/2，粒子電荷量為q，質(zhì)量為m，不計(jì)重力
（1）若兩狹縫平行且盤靜止（如圖（c）），某一粒子進(jìn)入磁場后，豎直向下打在感光板中心點(diǎn)M上，求該粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t；
（2）若兩狹縫夾角為θ0，盤勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)動(dòng)方向如圖（b）要使穿過N1、N2的粒子均打到感光板P1P2連線上，試分析盤轉(zhuǎn)動(dòng)角速度ω的取值范圍（設(shè)通過N1的所有粒子在盤旋轉(zhuǎn)一圈的時(shí)間內(nèi)都能到達(dá)N2）。
解：（1）粒子運(yùn)動(dòng)半徑為①
由牛頓第二定律②
勻速圓周運(yùn)動(dòng)周期③
粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間④
（2）如圖所示，設(shè)粒子運(yùn)動(dòng)臨界半徑分別為R1和R2
設(shè)粒子臨界速度分別為v1和v2，

⑤

⑥
由②⑤⑥式，得
⑦
⑧
若粒子通過兩轉(zhuǎn)盤，由題設(shè)可知
⑨
聯(lián)立⑦⑧⑨，得
對應(yīng)轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)速分別為
 ⑩

粒子要打在感光板上，需滿足條件
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖（a）所示，為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強(qiáng)度特性曲線，測試時(shí)，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同．
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（1）試結(jié)合圖（a）簡要回答，磁感應(yīng)強(qiáng)度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點(diǎn)
 

（2）某同學(xué)想利用磁敏電阻圖（a）所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場，設(shè)計(jì)電路如圖（b）所示，磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接，長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流，請指出本實(shí)驗(yàn)裝置的錯(cuò)誤之處
 
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若裝置調(diào)整正確后再進(jìn)行測量，電路中所用干電池的電動(dòng)勢為1.5V，不計(jì)電池、電流表的內(nèi)阻，試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B從0.4T至1.2T的變化過程中，通過磁敏電阻的電流強(qiáng)度IA隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的關(guān)系式：
 
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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年上海市虹口區(qū)高考一模物理試卷（帶解析） 題型：實(shí)驗(yàn)題

（6分）如圖（a）所示，為某磁敏電阻在室溫下的電阻－磁感應(yīng)強(qiáng)度特性曲線，測試時(shí)，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同。

（1）試結(jié)合圖（a）簡要回答，磁感應(yīng)強(qiáng)度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點(diǎn)：_______________________________________________________________
________________________________________________________________________。
（2）某同學(xué)想利用磁敏電阻圖（a）所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場，設(shè)計(jì)電路如圖（b）所示，磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接，長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流，請指出本實(shí)驗(yàn)裝置的錯(cuò)誤之處_______________________________________。
若裝置調(diào)整正確后再進(jìn)行測量，電路中所用干電池的電動(dòng)勢為1.5V，不計(jì)電池、電流表的內(nèi)阻，試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B從0.4T至1.2T的變化過程中，通過磁敏電阻的電流強(qiáng)度IA隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的關(guān)系式：______________________。

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年上海市虹口區(qū)高考一模物理試卷（解析版） 題型：實(shí)驗(yàn)題

（6分）如圖（a）所示，為某磁敏電阻在室溫下的電阻－磁感應(yīng)強(qiáng)度特性曲線，測試時(shí)，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同。

（1）試結(jié)合圖（a）簡要回答，磁感應(yīng)強(qiáng)度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點(diǎn)：_______________________________________________________________

________________________________________________________________________。

（2）某同學(xué)想利用磁敏電阻圖（a）所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場，設(shè)計(jì)電路如圖（b）所示，磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接，長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流，請指出本實(shí)驗(yàn)裝置的錯(cuò)誤之處_______________________________________。

若裝置調(diào)整正確后再進(jìn)行測量，電路中所用干電池的電動(dòng)勢為1.5V，不計(jì)電池、電流表的內(nèi)阻，試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B從0.4T至1.2T的變化過程中，通過磁敏電阻的電流強(qiáng)度IA隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的關(guān)系式：______________________。

 

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科目：高中物理 來源：2013年上海市虹口區(qū)高考物理一模試卷（解析版） 題型：填空題

如圖（a）所示，為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強(qiáng)度特性曲線，測試時(shí)，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同．

（1）試結(jié)合圖（a）簡要回答，磁感應(yīng)強(qiáng)度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點(diǎn)   
（2）某同學(xué)想利用磁敏電阻圖（a）所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場，設(shè)計(jì)電路如圖（b）所示，磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接，長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流，請指出本實(shí)驗(yàn)裝置的錯(cuò)誤之處    ．
若裝置調(diào)整正確后再進(jìn)行測量，電路中所用干電池的電動(dòng)勢為1.5V，不計(jì)電池、電流表的內(nèi)阻，試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B從0.4T至1.2T的變化過程中，通過磁敏電阻的電流強(qiáng)度IA隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的關(guān)系式：    ．

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