如圖所示,邊長為2的正方形虛線框內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。一個(gè)由某種材料做成的邊長為、粗細(xì)均勻的正方形導(dǎo)線框abcd所在平面與磁場方向垂直;導(dǎo)線框、虛線框的對角線重合,導(dǎo)線框各邊的電阻大小均為R。在導(dǎo)線框從圖示位置開始以恒定速度V沿對角線方向進(jìn)入磁場,到整個(gè)導(dǎo)線框離開磁場區(qū)域的過程中,下列說法正確的是( )
A.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場區(qū)域的過程中有向里收縮的趨勢
B.導(dǎo)線框中有感應(yīng)電流的時(shí)間為
C.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),整個(gè)導(dǎo)線框所受安培力大小為
D.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),導(dǎo)線框兩點(diǎn)間的電壓為
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,邊長為2的正方形虛線框內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。一個(gè)由某種材料做成的邊長為、粗細(xì)均勻的正方形導(dǎo)線框abcd所在平面與磁場方向垂直;導(dǎo)線框、虛線框的對角線重合,導(dǎo)線框各邊的電阻大小均為R。在導(dǎo)線框從圖示位置開始以恒定速度V沿對角線方向進(jìn)入磁場,到整個(gè)導(dǎo)線框離開磁場區(qū)域的過程中,下列說法正確的是( )
A.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場區(qū)域的過程中有向里收縮的趨勢
B.導(dǎo)線框中有感應(yīng)電流的時(shí)間為
C.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),整個(gè)導(dǎo)線框所受安培力大小為
D.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),導(dǎo)線框兩點(diǎn)間的電壓為
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年山東省淄博市高三教學(xué)質(zhì)量檢測(四)理科綜合物理試題(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,邊長為2的正方形虛線框內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。一個(gè)由某種材料做成的邊長為、粗細(xì)均勻的正方形導(dǎo)線框abcd所在平面與磁場方向垂直;導(dǎo)線框、虛線框的對角線重合,導(dǎo)線框各邊的電阻大小均為R。在導(dǎo)線框從圖示位置開始以恒定速度V沿對角線方向進(jìn)入磁場,到整個(gè)導(dǎo)線框離開磁場區(qū)域的過程中,下列說法正確的是( )
A.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場區(qū)域的過程中有向里收縮的趨勢
B.導(dǎo)線框中有感應(yīng)電流的時(shí)間為
C.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),整個(gè)導(dǎo)線框所受安培力大小為
D.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),導(dǎo)線框兩點(diǎn)間的電壓為
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科目:高中物理 來源:2012屆山東省淄博市第一中學(xué)高三教學(xué)質(zhì)量檢測(四)理科綜合物理試題(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,邊長為2的正方形虛線框內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。一個(gè)由某種材料做成的邊長為、粗細(xì)均勻的正方形導(dǎo)線框abcd所在平面與磁場方向垂直;導(dǎo)線框、虛線框的對角線重合,導(dǎo)線框各邊的電阻大小均為R。在導(dǎo)線框從圖示位置開始以恒定速度V沿對角線方向進(jìn)入磁場,到整個(gè)導(dǎo)線框離開磁場區(qū)域的過程中,下列說法正確的是( )
A.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場區(qū)域的過程中有向里收縮的趨勢
B.導(dǎo)線框中有感應(yīng)電流的時(shí)間為
C.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),整個(gè)導(dǎo)線框所受安培力大小為
D.導(dǎo)線框的對角線有一半進(jìn)入磁場時(shí),導(dǎo)線框兩點(diǎn)間的電壓為
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