A、若t=0時(shí)刻釋放該電荷,電荷在前半個(gè)周期內(nèi)受到的電場(chǎng)力向左,向A板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);后半個(gè)周期內(nèi)電場(chǎng)力向右,向A板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),接下去周而復(fù)始重復(fù),電荷一定能打到A板上,不能打B板上.故A錯(cuò)誤.
B、如果板間距離足夠大.若
t=時(shí)刻釋放該電荷,電荷在
-
時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向左,粒子向A板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);
-
T時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向右,粒子向A板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零;
T-T向B板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);T-
T向B板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零.所以
t=時(shí)刻釋放該電荷,該電荷不一定能打到A板上.故B錯(cuò)誤.
C、若
t=時(shí)刻釋放該電荷,
-
時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向左,粒子向A板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);
-
T時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向右,粒子向A板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零.
T-T時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向右,粒子向B板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);T-
T時(shí)間內(nèi),粒子向B板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零.在
-
T時(shí)間內(nèi)的位移大于,
T-
T時(shí)間內(nèi)的位移,所以在一個(gè)周期內(nèi)粒子向A板靠近.接下去重復(fù),所以電荷一定能打到A板上.故C正確.
D、若
t=時(shí)刻釋放該電荷,在
T-
時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向左,粒子向A板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);
-
T時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向右,粒子向A板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零;
T-T時(shí)間內(nèi),電場(chǎng)力向右,粒子向B板做勻加速直線運(yùn)動(dòng);T-
T時(shí)間內(nèi),粒子向B板做勻減速直線運(yùn)動(dòng),
T時(shí)刻速度為零.由于
T-
T時(shí)間的位移小于
T-
T時(shí)間內(nèi)的位移,在一個(gè)周期內(nèi)粒子向B板靠近,接下去重復(fù),所以電荷一定能打到B板上.故D正確.
故選CD