如圖(甲),MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ=30°角固定,M、P之間接電阻箱R,電阻箱的阻值范圍為0~4Ω,導軌所在空間存在勻強磁場,磁場方向垂直于軌道平面向上,磁感應強度為B=0.5T.質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r.現(xiàn)從靜止釋放桿a b,測得最大速度為vm.改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖(乙)所示.已知軌距為L=2m,重力加速度g=l0m/s2,軌道足夠長且電阻不計.

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(1)當R=0時,求桿a b勻速下滑過程中產(chǎn)生感生電動勢E的大小及桿中的電流方向;
(2)求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
(3)求金屬桿勻速下滑時電阻箱消耗電功率的最大值Pm;
(4)當R=4Ω時,求隨著桿a b下滑回路瞬時電功率每增大1W的過程中合外力對桿做的功W.
(1)由圖可知,當R=0時,桿最終以v=2m/s勻速運動,產(chǎn)生電動勢
   E=BLv=0.5×2×2V=2V                     
由右手定則判斷可知桿中電流方向從b→a
(2)設(shè)桿運動的最大速度為v,桿切割磁感線產(chǎn)生的感應電動勢 E=BLv
由閉合電路的歐姆定律得:I=
E
R+r

桿達到最大速度時滿足 mgsinθ-BIL=0
聯(lián)立解得:v=
mgsinθ
B2L2
R+
mgsinθ
B2L2
r

由圖象可知:斜率為k=
4-2
2
m/(s?Ω)=1m/(s?Ω)
,縱截距為v0=2m/s,
得到:
mgsinθ
B2L2
r
=v0
mgsinθ
B2L2
=k
解得:m=0.2kg,r=2Ω    
(3)金屬桿勻速下滑時電流恒定,則有  mgsinθ-BIL=0
I=
mgsinθ
BL
=1A

電阻箱消耗電功率的最大值Pm=I2Rm=4W
(4)由題意:E=BLv,P=
E2
R+r

得  P=
B2L2v2
R+r

瞬時電功率增大量△P=
B2L2
v22
R+r
-
B2L2
v21
R+r

由動能定理得
 W=
1
2
m
v22
-
1
2
m
v21

比較上兩式得 W=
m(R+r)
2B2L2
△P

代入解得 W=0.6J  
答:(1)當R=0時,求桿a b勻速下滑過程中產(chǎn)生感生電動勢E的大小2V,桿中電流方向從b→a.
(2)金屬桿的質(zhì)量m為0.2kg,阻值r是2Ω;
(3)金屬桿勻速下滑時電阻箱消耗電功率的最大值Pm是4W.
(4)當R=4Ω時,隨著桿a b下滑回路瞬時電功率每增大1W的過程中合外力對桿做的功W是0.6J.
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中物理 來源: 題型:

物理--選修3-4
(1)如圖1所示為某時刻從O點同時發(fā)出的兩列簡諧橫波在同一介質(zhì)中沿相同方向傳播的波形圖,P點在甲波最大位移處,Q點在乙波最大位移處,下列說法中正確的是
CD
CD

A.兩列波傳播相同距離時,乙波所用的時間比甲波的短
B.P點比Q點先回到平衡位置
C.在P質(zhì)點完成20次全振動的時間內(nèi)Q質(zhì)點可完成30次全振動
D.甲波和乙波在空間相遇處不會產(chǎn)生穩(wěn)定的干涉圖樣
(2)如圖2所示,MN是一條通過透明球體球心的直線.在真空中波長為λ0=564nm的單色細光束AB平行于MN射向球體,B為入射點,若出射光線CD與MN的交點P到球心O的距離是球半徑的
2
倍,且與MN所成的角α=30°.
(3)將光路補充完整,標明相應的入射角i和折射角r;
(4)求透明體的折射率.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?虹口區(qū)二模)如圖(甲)所示,光滑的平行水平金屬導軌MN、PQ相距l(xiāng),在M點和P點間連接一個阻值為R的電阻,一質(zhì)量為m、電阻為r、長度也剛好為l的導體棒垂直擱在導軌上a、b兩點間,在a點右側(cè)導軌間加一有界勻強磁場,磁場方向垂直于導軌平面,寬度為d0,磁感應強度為B,設(shè)磁場左邊界到ab距離為d.現(xiàn)用一個水平向右的力F拉導體棒,使它從a、b處靜止開始運動,棒離開磁場前已做勻速直線運動,與導軌始終保持良好接觸,導軌電阻不計,水平力F-x的變化情況如圖(乙)所示,F(xiàn)0已知.求:
(1)棒ab離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)域的過程中整個回路所消耗的電能E;
(3)d滿足什么條件時,棒ab進入磁場后一直做勻速運動;
(4)若改變d的數(shù)值,定性畫出棒ab從靜止運動到d+d0的過程中v2-x的可能圖線(棒離開磁場前已做勻速直線運動).

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?徐匯區(qū)二模)如圖(甲),MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ=30°角固定,M、P之間接電阻箱R,電阻箱的阻值范圍為0~4Ω,導軌所在空間存在勻強磁場,磁場方向垂直于軌道平面向上,磁感應強度為B=0.5T.質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r.現(xiàn)從靜止釋放桿a b,測得最大速度為vm.改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖(乙)所示.已知軌距為L=2m,重力加速度g=l0m/s2,軌道足夠長且電阻不計.

(1)當R=0時,求桿a b勻速下滑過程中產(chǎn)生感生電動勢E的大小及桿中的電流方向;
(2)求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
(3)求金屬桿勻速下滑時電阻箱消耗電功率的最大值Pm;
(4)當R=4Ω時,求隨著桿a b下滑回路瞬時電功率每增大1W的過程中合外力對桿做的功W.

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科目:高中物理 來源:2013年上海市徐匯區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:解答題

如圖(甲),MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ=30°角固定,M、P之間接電阻箱R,電阻箱的阻值范圍為0~4Ω,導軌所在空間存在勻強磁場,磁場方向垂直于軌道平面向上,磁感應強度為B=0.5T.質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r.現(xiàn)從靜止釋放桿a b,測得最大速度為vm.改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖(乙)所示.已知軌距為L=2m,重力加速度g=l0m/s2,軌道足夠長且電阻不計.

(1)當R=0時,求桿a b勻速下滑過程中產(chǎn)生感生電動勢E的大小及桿中的電流方向;
(2)求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
(3)求金屬桿勻速下滑時電阻箱消耗電功率的最大值Pm;
(4)當R=4Ω時,求隨著桿a b下滑回路瞬時電功率每增大1W的過程中合外力對桿做的功W.

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