A. | A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)小于B點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | B. | A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)方向指向x軸負(fù)方向 | ||
C. | A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于B點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng) | D. | A點(diǎn)電勢(shì)高于B點(diǎn)電勢(shì) |
分析 電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直.電場(chǎng)線密的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度大,等勢(shì)面密,電場(chǎng)線疏的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度小,等勢(shì)面疏;沿電場(chǎng)線的方向,電勢(shì)降低.沿著等勢(shì)面移動(dòng)點(diǎn)電荷,電場(chǎng)力不做功.電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直.
解答 解:A、C、等差等勢(shì)面的疏密程度表示電場(chǎng)強(qiáng)度的大小,由于0.4V與0.1V兩個(gè)等勢(shì)面間電勢(shì)差大于0.6V與0.4V兩個(gè)等勢(shì)面間電勢(shì)差,U=$\overline{E}•d$,B點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度較大,故A正確,C錯(cuò)誤;
B、電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直,并且由電勢(shì)高的等勢(shì)面指向電勢(shì)低的等勢(shì)面,故A點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)方向指向x軸正方向,故B錯(cuò)誤;
D、電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直,并且由電勢(shì)高的等勢(shì)面指向電勢(shì)低的等勢(shì)面,故電場(chǎng)線沿著x軸正方向;沿著電場(chǎng)線電勢(shì)逐漸降低,故A點(diǎn)電勢(shì)高于B點(diǎn)電勢(shì);故D正確;
故選:AD.
點(diǎn)評(píng) 加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),掌握住電場(chǎng)線和等勢(shì)面的特點(diǎn),及沿著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低,即可解決本題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度的方向一定由a指向b | B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度的方向一定由b指向a | ||
C. | 電子的電勢(shì)能減少了5eV | D. | a、b兩點(diǎn)電勢(shì)差Uab=5V |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 半衰期越短,衰變?cè)铰?/td> | |
B. | 核聚變和核裂變過(guò)程都有質(zhì)量虧損 | |
C. | ${\;}_{90}^{234}$Th經(jīng)過(guò)一次α衰變后變成${\;}_{91}^{234}$Pb | |
D. | 原子核的半衰期與環(huán)境的溫度、壓強(qiáng)無(wú)關(guān) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)兩分子間距為r1在10-10m時(shí),由于分子引力和斥力都為零,故分子力為零 | |
B. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時(shí),分子引力在增大 | |
C. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時(shí),分子力在增大 | |
D. | 當(dāng)兩分子間距從r1變化到r2時(shí),分子斥力在減小 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 圖中磁鐵N極接近A環(huán)時(shí),A環(huán)的磁通量增加,A環(huán)被排斥 | |
B. | 圖中磁鐵s極遠(yuǎn)離A環(huán)時(shí),A環(huán)的磁通量減少,A環(huán)被排斥 | |
C. | 圖中磁鐵N極接近B環(huán)時(shí),B環(huán)的磁通量增加,B環(huán)被吸引 | |
D. | 圖中磁鐵s極遠(yuǎn)離B環(huán)時(shí),B環(huán)的磁通量減少,B環(huán)被吸引 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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