一定質(zhì)量的理想氣體，從某一狀態(tài)開(kāi)始，分別經(jīng)過(guò)以下兩個(gè)過(guò)程使體積膨脹為原來(lái)的兩倍：過(guò)程一，等溫膨脹；過(guò)程二，等壓膨脹。則

A．過(guò)程一中，氣體的壓強(qiáng)增大

B．過(guò)程二中，單位體積氣體的分子數(shù)減少，氣體分子的平均動(dòng)能增加

C．過(guò)程一中，氣體對(duì)外做功，內(nèi)能減少

D．過(guò)程二中，氣體吸收熱量，內(nèi)能增加

 

BD

解析:等溫膨脹中由可知?dú)怏w的壓強(qiáng)減小，等壓膨脹中溫度增大，溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)志，所以分子的平均動(dòng)能增加，過(guò)程一中，氣體體積增大，對(duì)外做功，但溫度不變內(nèi)能不變；過(guò)程二中，體積膨脹，氣體對(duì)外做功，溫度升高，內(nèi)能增大，所以氣體從外界吸熱

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

一定質(zhì)量的理想氣體，從初始狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B、C、D再回到狀態(tài)A，其體積V與溫度T的關(guān)系如圖所示．圖中TA、VA和TD為已知量．
①?gòu)臓顟B(tài)A到B，氣體經(jīng)歷的是
等容
等容
過(guò)程（填“等溫”“等容”或“等壓”）；
②從B到C的過(guò)程中，氣體的內(nèi)能
不變
不變
（填“增大”“減小”或“不變”）；
③從C到D的過(guò)程中，氣體對(duì)外
做負(fù)功
做負(fù)功
（填“做正功”“做負(fù)功”或“不做功”），同時(shí)
放熱
放熱
（填“吸熱”或“放熱”）；
④氣體在狀態(tài)D時(shí)的體積VD=
TD
TA
VA
TD
TA
VA
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【物理--選修3-3】
（1）對(duì)一定質(zhì)量的理想氣體，下列說(shuō)法正確的是
BCE
BCE
．
A．氣體的體積是所有氣體分子的體積之和
B．氣體溫度越高，氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)就越劇烈
C．氣體對(duì)容器的壓強(qiáng)是由大量氣體分子對(duì)容器不斷碰撞而產(chǎn)生的
D．當(dāng)氣體膨脹時(shí)，氣體的內(nèi)能一定減少
E．在壓強(qiáng)不變而體積增大時(shí)，單位時(shí)間碰撞容器壁單位面積的分子數(shù)一定減少
（2）一定質(zhì)量理想氣體的p-V圖象如圖所示，其中a→b為等容過(guò)程，b→c為等壓過(guò)程，c→a為等溫過(guò)程，已知?dú)怏w在狀態(tài)a時(shí)的溫度Ta=300K，在狀態(tài)b時(shí)的體積Vb=22.4L求：
①氣體在狀態(tài)c時(shí)的體積Vc；
②試比較氣體由狀態(tài)b到狀態(tài)c過(guò)程從外界吸收的熱量Q與對(duì)外做功W的大小關(guān)系，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理由．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（選修3-3模塊）一定質(zhì)量的理想氣體初始狀態(tài)為（P0，V0），分別經(jīng)過(guò)三個(gè)不同的過(guò)程變到末狀態(tài)（P0，2V0）．
①等溫膨脹變?yōu)?V0，再等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量為Q1；
②等壓膨脹到（P0，2V0），吸收的熱量為Q2；
③先等容降壓到0.5P0，再等壓膨脹到2V0，最后等容升壓到（P0，2V0），總共吸收熱量Q3；
則Q1、Q2、Q3的大小關(guān)系是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模）一定質(zhì)量的理想氣體在等容變化過(guò)程中測(cè)得，氣體在0℃時(shí)的壓強(qiáng)為p0，10℃時(shí)的壓強(qiáng)為p10，氣體在15℃時(shí)的壓強(qiáng)為p，則在下列各表達(dá)式正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

下列說(shuō)法中不正確的是（　�。�
A、布朗運(yùn)動(dòng)是由液體分子從各個(gè)方向?qū)腋×Ｗ幼矒糇饔玫牟黄胶庖鸬?/span>B、對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體，若單位體積內(nèi)分子個(gè)數(shù)不變，當(dāng)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇時(shí)，壓強(qiáng)一定變大C、當(dāng)兩個(gè)分子間的距離為r0（平衡位置）時(shí)，分子勢(shì)能最小且一定為零D、單晶體和多晶體均存在固定的熔點(diǎn)

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