如圖所示,高速運(yùn)動(dòng)的α粒子被位于O點(diǎn)的重原子核散射,實(shí)線(xiàn)表示α粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,M、N和Q為軌跡上的三點(diǎn),N點(diǎn)離核最近,Q點(diǎn)比M點(diǎn)離核更遠(yuǎn),則(  )
A.α粒子在M點(diǎn)的速率比在Q點(diǎn)的大
B.三點(diǎn)中,α粒子在N點(diǎn)的電勢(shì)能最大
C.在重核產(chǎn)生的電場(chǎng)中,M點(diǎn)的電勢(shì)比Q點(diǎn)的低
D.α粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電場(chǎng)力對(duì)它做的總功為負(fù)功
B

解法一(從等勢(shì)線(xiàn)分布入手):重核帶正電荷,在其周?chē)纬傻碾妶?chǎng)中,離重核越近電勢(shì)越高,所以φN>φM>φQ,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;電勢(shì)越高,正電荷的電勢(shì)能越大,所以帶正電的α粒子在三點(diǎn)處的電勢(shì)能大小關(guān)系是ENEMEQ,即N點(diǎn)的電勢(shì)能最大,Q點(diǎn)的電勢(shì)能最小,B正確;α粒子僅受電場(chǎng)力的作用,其電勢(shì)能和動(dòng)能相互轉(zhuǎn)化,但電勢(shì)能和動(dòng)能之和保持不變,根據(jù)ENEMEQ可知,EkNEkMEkQ,α粒子在M點(diǎn)的動(dòng)能比在Q點(diǎn)的小,所以α粒子在M點(diǎn)的速率比在Q點(diǎn)的小,選項(xiàng)A錯(cuò)誤;由EMEQ可知,α粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電勢(shì)能減小,電場(chǎng)力對(duì)它做的總功肯定為正功(電場(chǎng)力做正功,電勢(shì)能減小,動(dòng)能增大),選項(xiàng)D錯(cuò)誤。
解法二(從電場(chǎng)力做功入手) α粒子受到的電場(chǎng)力始終是斥力,在α粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)的過(guò)程中,電場(chǎng)力做負(fù)功,再?gòu)?i>N點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn)時(shí),電場(chǎng)力做正功,已知Q點(diǎn)比M點(diǎn)離核更遠(yuǎn)可知,正功大于負(fù)功,所以整個(gè)過(guò)程,電場(chǎng)力對(duì)它做的總功為正功,D錯(cuò)誤;已知從M運(yùn)動(dòng)到N,電場(chǎng)力做的總功為正功,可知α粒子的動(dòng)能變大,速度變大,所以α粒子在M點(diǎn)的速率比在Q點(diǎn)的小,A錯(cuò)誤;距離帶正電荷的重核越近,電勢(shì)越高,α粒子的電勢(shì)能越大,結(jié)合三點(diǎn)的位置關(guān)系可知,電勢(shì)關(guān)系φN>φM>φQ,電勢(shì)能關(guān)系ENEMEQ,B正確,C錯(cuò)誤。
考點(diǎn)定位:點(diǎn)電荷周?chē)膱?chǎng)強(qiáng)、等勢(shì)線(xiàn)分布,電勢(shì)和電勢(shì)能的關(guān)系,電場(chǎng)力做功與電勢(shì)能和動(dòng)能之間轉(zhuǎn)化的關(guān)系等。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖所示,AB為真空中相距為d的一對(duì)平行金屬板,兩板間的電壓為U,一帶電粒子從A板的小孔進(jìn)入電場(chǎng),粒子的初速度可視為零,經(jīng)電場(chǎng)加速后從B板小孔射出。已知帶電粒子的質(zhì)量為m,所帶電荷量為q。帶電粒子所受重力不計(jì)。求:
(1)帶電粒子從B板射出時(shí)的速度大。
(2)帶電粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:計(jì)算題

(18分)如圖所示,兩平行金屬板A、B長(zhǎng)l=8cm,兩板間距離d=8cm,B板比A板電勢(shì)高300V,即UBA=300V.一帶正電的粒子電量q=10-10­C,質(zhì)量m=10-20­kg,從R點(diǎn)沿電場(chǎng)中心線(xiàn)垂直電場(chǎng)線(xiàn)飛入電場(chǎng),初速度v0=2×106m/s,粒子飛出平行板電場(chǎng)后經(jīng)過(guò)無(wú)場(chǎng)區(qū)域后,進(jìn)入界面為MN、PQ間勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,從磁場(chǎng)的PQ邊界出來(lái)后剛好打在中心線(xiàn)上離PQ邊界4L/3處的S點(diǎn)上.已知MN邊界與平行板的右端相距為L(zhǎng),兩界面MN、PQ相距為L(zhǎng),且L=12cm.求(粒子重力不計(jì))

(1)粒子射出平行板時(shí)的速度大小v;
(2)粒子進(jìn)入界面MN時(shí)偏離中心線(xiàn)RO的距離多遠(yuǎn)?
(3)畫(huà)出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,并求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖所示,MN是一正點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中的一條電場(chǎng)線(xiàn)。一個(gè)帶負(fù)電的粒子(不計(jì)重力)從a到b穿越這條電場(chǎng)線(xiàn)的軌跡如圖中虛線(xiàn)所示。下列結(jié)論正確的是(  )
A.點(diǎn)電荷一定位于M點(diǎn)的左側(cè)
B.帶電粒子從a到b的過(guò)程中動(dòng)能逐漸減小
C.帶電粒子在a點(diǎn)的加速度小于在b點(diǎn)的加速度
D.帶電粒子在a點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

某同學(xué)設(shè)計(jì)了一種靜電除塵裝置,如圖1所示,其中有一長(zhǎng)為L(zhǎng)、寬為b、高為d的矩形通道,其前、后面板為絕緣材料,上、下面板為金屬材料。圖2是裝置的截面圖,上、下兩板與電壓恒定為U的高壓直流電源相連。帶負(fù)電的塵埃被吸入矩形通道的水平速度為v0,當(dāng)碰到下板后其所帶電荷被中和,同時(shí)被收集。將被收集塵埃的數(shù)量與進(jìn)入矩形通道塵埃的數(shù)量的比值,稱(chēng)為除塵率。不計(jì)塵埃的重力及塵埃之間的相互作用。要增大除塵率,則下列措施可行的是
A.只增大電壓UB.只增大長(zhǎng)度L
C.只增大高度dD.只增大塵埃被吸入水平速度v0

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖所示,虛線(xiàn)a、b、c代表電場(chǎng)中的三個(gè)等勢(shì)面,相鄰兩等勢(shì)面之間的電勢(shì)差相等,即以Uab=Ubc.實(shí)線(xiàn)為一帶正電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場(chǎng)力作用下通過(guò)該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡,P、Q是這條軌跡上的兩個(gè)點(diǎn).據(jù)此可知正確的是(   )
A.三個(gè)等勢(shì)面中,c的電勢(shì)最高
B.帶電質(zhì)點(diǎn)通過(guò)P點(diǎn)時(shí)的加速度比通過(guò)Q點(diǎn)時(shí)大
C.帶電質(zhì)點(diǎn)通過(guò)P點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能比通過(guò)Q點(diǎn)時(shí)大
D.帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)具有的電勢(shì)能比在Q點(diǎn)具有的電勢(shì)能大

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

圖中虛線(xiàn)為勻強(qiáng)電場(chǎng)中與場(chǎng)強(qiáng)方向垂直的等間距平行直線(xiàn),兩粒子M、N質(zhì)量相等,所帶電荷的絕對(duì)值也相等.現(xiàn)將M、N從虛線(xiàn)上的O點(diǎn)以相同速率射出,兩粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡分別如圖中兩條實(shí)線(xiàn)所示.點(diǎn)a、b、c為實(shí)線(xiàn)與虛線(xiàn)的交點(diǎn),已知O點(diǎn)電勢(shì)高于c點(diǎn).若不計(jì)重力,則下面說(shuō)法正確的是( 。
A.M帶正電荷,N帶負(fù)電荷
B.N在a點(diǎn)的速度與M在c點(diǎn)的速度大小相同
C.N在從O點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至a點(diǎn)的過(guò)程中電場(chǎng)力做負(fù)功
D.M在從O點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至b點(diǎn)的過(guò)程中,電場(chǎng)力對(duì)它做的功等于零

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖所示,帶有等量異種電荷的兩塊等大的平行金屬板M、N水平正對(duì)放置.兩板間有一帶電微粒以速度v0沿直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),當(dāng)微粒運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)時(shí),將M板迅速向上平移一小段距離,則此后微粒的運(yùn)動(dòng)軌跡是(  )
A.沿軌跡④運(yùn)動(dòng)     B.沿軌跡①運(yùn)動(dòng)
C.沿軌跡②運(yùn)動(dòng)D.沿軌跡③運(yùn)動(dòng)

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖所示,帶電量之比qA:qB=1:3的帶電粒子A和B,先后以相同的速度從同一點(diǎn)射入平行板電容器中,不計(jì)重力,帶電粒子偏轉(zhuǎn)后打在同一極板上,飛行水平距離之比為xA:xB=2:1.則帶電粒子的質(zhì)量之比mA:mB以及在電場(chǎng)中飛行時(shí)間之比tA:tB分別為(     )
A.1:1,2:3B.2:1,3:2
C.1:1,3:4D.4:3,2:1

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