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【題目】如圖所示,間距的平行導軌MNSPQT處于磁感應強度大小均為的兩個勻強磁場中,水平導軌處的磁場方向豎直向上,光滑傾斜導軌處的磁場方向垂直于導軌平面斜向下。長度均為L、質量均為、電阻均為的導體排ab、cd分別垂直放置于水平和傾斜導軌上,并與導軌接觸良好,導軌電阻不計,導體棒ab通過兩根跨過光滑定滑輪的絕緣細線分別與質量的物體C和導體棒cd相連,細線沿導軌中心線且在導軌平面內,細線及滑輪的質量不計,已知傾斜導軌與水平面的夾角,水平導軌與導體棒ab間的動摩擦因數,重力加速度g,,兩導軌足夠長,導體棒cd運動中始終不離開傾斜導軌。將物體C由靜止釋放,當它達到最大速度時下落的高度,在這一運動過程中,求:

物體C的最大速度;

導體棒ab產生的焦耳熱。

【答案】

【解析】

C達到的最大速度為,由法拉第電磁感應定律,回路的感應電動勢為:

由歐姆定律得回路中的電流強度為:

金屬導體棒ab、cd受到的安培力為:

設連接金屬導體棒abcd的細線中張力為,連接金屬導體棒ab與物體C的細線中張力為,導體棒ab、cd及物體C的受力如圖:

由平衡條件得:

可解得:。

系統在該過程中產生的內能為,由能的轉化和守恒定律得:

運動過程中由于摩擦產生的內能為:

則這一過程電流產生的內能為:

又因為ab棒、cd棒的電阻相等,則由可得,電流通過ab棒產生的焦耳熱為:。

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖(甲)所示,地面上有一長為l=1m,高為h=0.8m,質量M=2kg的木板,木板的右側放置一個質量為m=1kg的木塊(可視為質點),已知木板與木塊之間的動摩擦因數為μ1=0.4,木板與地面之間的動摩擦因數為μ2=0.6,初始時兩者均靜止。現對木板施加一水平向右的拉力F,拉力F隨時間的變化如圖(乙)所示,取g10 m/s2。求:

1)前2s木板的加速度;

2)木塊落地時距離木板左側的水平距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】容器A中裝有大量質量不同、電荷量均為q的帶正電的粒子,粒子從容器下方的小孔不斷飄入加速電場初速度可視為零做直線運動通過小孔后,從兩平行板中央垂直電場方向射入偏轉電場。粒子通過平行板后垂直磁場方向進入磁感應強度為B、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,最后打在感光片上,如圖所示。已知加速場間的加速電壓為U,偏轉電場極板長為L,兩板間距也為L,板間勻強電場強度,方向水平向左忽略板間外的電場。平行板f的下端與磁場邊界ab相交為P,在邊界PQ上固定放置感光片。測得從容器A中逸出的所有粒子均打在感光片P、Q之間,且QP的長度為3L,不考慮粒子所受重力與粒子間的相互作用,求:

粒子射入磁場時,其速度方向與邊界ab間的夾角;

射到感光片Q處的粒子的質量;

粒子在磁場中運動的最長時間。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,勻強磁場的方向垂直紙面向里,一帶電微粒從磁場邊界d點垂直于磁場方向射入,沿曲線dpa打到屏MN上的a點,通過pa段用時為t.若該微粒經過P點時,與一個靜止的不帶電微粒碰撞并結合為一個新微粒,最終打到屏MN上。若兩個微粒所受重力均忽略,則新微粒運動的 ( )

A. 軌跡為pb,至屏幕的時間將小于t

B. 軌跡為pc,至屏幕的時間將大于t

C. 軌跡為pa,至屏幕的時間將大于t

D. 軌跡為pb,至屏幕的時間將等于t

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,實線表示在豎直平面內的電場線,電場線與水平方向成,水平方向的勻強磁場與電場正交,有一帶電液滴沿斜向上的虛線L做直線運動,L與水平方向成,則下列說法中正確的是

A. 液滴一定做勻速直線運動

B. 液滴一定帶正電

C. 電場線方向一定斜向上

D. 液滴有可能做勻變速直線運動

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【題目】如圖所示,半徑為a的圓內有一固定的邊長為1.5a的等邊三角形框架ABC,框架中心與圓心重合,S為位于BC邊中點處的狹縫.三角形框架內有一水平放置帶電的平行金屬板,框架與圓之間存在磁感應強度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強磁場.一束質量為m、電量為q,不計重力的帶正電的粒子,從P點由靜止經兩板間電場加速后通過狹縫S,垂直BC邊向下進入磁場并發(fā)生偏轉.忽略粒子與框架碰撞時能量與電量損失.求:

(1)要使粒子進入磁場后第一次打在SB的中點,則加速電場的電壓為多大?

(2)要使粒子最終仍能回到狹縫S,則加速電場電壓滿足什么條件?

(3)回到狹縫S的粒子在磁場中運動的最短時間是多少?

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,一帶電粒子(電荷量為q)以速度vA點垂直射入磁感應強度為B,寬度為d的有界勻強磁場中,在C點穿出磁場時的速度方向與帶電粒子原來的入射方向成30°夾角,則該帶電粒子的質量與穿過磁場所用的時間的大小為(

A. 帶電粒子的質量為

B. 帶電粒子的質量為

C. 帶電粒子穿過磁場所用時間為

D. 帶電粒子穿過磁場所用時間為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】為測定量程3V的電壓表內阻(幾千歐姆),某同學設計如圖所示的電路。實驗室提供如下器材:

滑動變阻器0~5Ω,額定電流3A

滑動變阻器0~1kΩ,額定電流0.5A

直流電源E(電動勢4.5V,內阻不計)

開關1個,導線若干。

實驗步驟如下:

①調節(jié)電阻箱R阻值為0,將滑動變阻器的滑片移到最左端位置a,閉合開關S;

②調節(jié)滑動變阻器滑片P,使電壓表示數

③保持滑動變阻器滑片P的位置不變,多次調節(jié)電阻箱,記下電壓表的示數U和電阻箱相應的阻值R;

④以為縱坐標,R為橫坐標,作圖線;

⑤通過圖像的相關數據計算出電壓表的內阻。

回答下列問題:

1)實驗中應選擇滑動變阻器_________(填)。

2)在調節(jié)電阻箱過程中,滑動變阻器上aP兩點間的電壓基本不變,則R的關系式為______(用題中給出的字母表示)

3)實驗得到的部分數據如表所示:

R/kΩ

0

1

2

3

4

5

6

U/V

2.00

1.49

1.18

1.00

0.82

0.72

0.67

0.50

0.67

0.84

1.00

1.22

1.39

1.49

根據表格數據在坐標紙上描點如圖,請在圖中畫出的圖像。由圖像計算出電壓表內阻=__________。(結果保留兩位小數)

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】下列說法正確的是

A. 一個中子和一個質子結合生成氘核時,會發(fā)生質量虧損

B. 一個處于n=4能級的氫原子向低能級躍遷,可能產生6種不同頻率的光子

C. (Rn)衰變的半衰期為38天,升高溫度后其半衰期將小于3.8

D. 核反應H+H→He+n是輕核的聚變

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