受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi).現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題:如圖所示的是一個截面為內(nèi)徑R1=0.6m、外徑R2=1.2m的環(huán)狀區(qū)域,區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強磁場.已知氦核的荷質(zhì)比
q
m
=4.8×107c/hg
,磁場的磁感應(yīng)強度B=0.4T,不計帶電粒子重力.
(1)把氫核聚變反應(yīng)簡化為4個氫核(
 11
H)聚變成氦核(
 42
He
),同時放出2個正電子(
 01
e
)和2個中微子(v0),請寫出該氫核聚變反應(yīng)的方程,并給出一次核反應(yīng)所釋放能量的表達式.(氫核、氦核及電子的質(zhì)量分別為mp、mα、me,光速為c)
(2)實踐證明,氦核在磁場區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場方向運動速度v的大小與它在磁場中運動的軌道半徑r有關(guān),試導(dǎo)出v與r的關(guān)系式;
(3)若氦核沿磁場區(qū)域的半徑方向平行于截面從A點射入磁場,畫出氦核在磁場中運動而不穿出外邊界的最大圓軌道示意圖;
(4)若氦核在平行于截面從A點沿各個方向射入磁場都不能穿出磁場外邊界,求氦核的最大速度.
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(l)根據(jù)質(zhì)量數(shù)、電荷數(shù)守恒可知,氫核聚變反應(yīng)的方程為:4
 11
H
 42
He
+2
 01
e
+2v0 
質(zhì)量虧損為:△m=4mp-mα-2me  
所以:△E=△mc2=(4mp-mα-2me)c2 
(2)設(shè)氦核質(zhì)量為m,電量為q,以速率v在磁感強度為B的勻強磁場中做半徑為r的勻速圓周運動,
由洛侖茲力公式和牛頓定律得:
Bqv=m
v2
r
 
解得:v=
Bqr
m

(3)所求軌跡示意圖如圖1所示(要與外圓相切) 
(4)當(dāng)氦核以vm的速度沿與內(nèi)圓相切方向射入磁場且軌道與外圓相切時,則以vm速度沿各方向射人磁場區(qū)的氦核都不能穿出磁場外邊界,如圖2所示,由圖可知:r′=
R2-R1
2

由①式可得:r=
mv
Bq

在速度為vm時不穿越磁場外界應(yīng)滿足的條件是:
mvm
Bq
≤r′
代入數(shù)據(jù)可得:vm≤5.76×104m/s
答:(1)氫核聚變反應(yīng)的方程為:4
 11
H
 42
He
+2
 01
e
+2v0,一次核反應(yīng)所釋放能量的表達式為(4mp-mα-2me)c2
(2)v與r的關(guān)系式為v=
Bqr
m
;
(3)如圖所示;
(4)氦核的最大速度為5.76×104m/s;
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)據(jù)有關(guān)資料介紹,受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi).現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題:如圖所示是一個截面為內(nèi)徑R1=0.6m、外徑R2=1.2m的環(huán)狀區(qū)域,區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強磁場.已知氦核的荷質(zhì)比
qm
=4.8×107C/kg,磁場的磁感應(yīng)強度B=0.4T,不計帶電粒子重力.
(1)實踐證明,氦核在磁場區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場方向運動,速度v的大小與它在磁場中運動的軌道半徑r有關(guān),試導(dǎo)出v與r的關(guān)系式.
(2)若氦核沿磁場區(qū)域的半徑方向,平行于截面從A點射入磁場,畫出氦核在磁場中運動而不穿出外邊界的最大圓軌道示意圖.
(3)若氦核平行于截面從A點沿各個方向射入磁場都不能穿出磁場外邊界,求氦核的最大速度.

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(2007?肇慶二模)受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi).現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題:如圖所示的是一個截面為內(nèi)徑R1=0.6m、外徑R2=1.2m的環(huán)狀區(qū)域,區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強磁場.已知氦核的荷質(zhì)比
q
m
=4.8×107c/hg
,磁場的磁感應(yīng)強度B=0.4T,不計帶電粒子重力.
(1)把氫核聚變反應(yīng)簡化為4個氫核(
 
1
1
H)聚變成氦核(
 
4
2
He
),同時放出2個正電子(
 
0
1
e
)和2個中微子(v0),請寫出該氫核聚變反應(yīng)的方程,并給出一次核反應(yīng)所釋放能量的表達式.(氫核、氦核及電子的質(zhì)量分別為mp、mα、me,光速為c)
(2)實踐證明,氦核在磁場區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場方向運動速度v的大小與它在磁場中運動的軌道半徑r有關(guān),試導(dǎo)出v與r的關(guān)系式;
(3)若氦核沿磁場區(qū)域的半徑方向平行于截面從A點射入磁場,畫出氦核在磁場中運動而不穿出外邊界的最大圓軌道示意圖;
(4)若氦核在平行于截面從A點沿各個方向射入磁場都不能穿出磁場外邊界,求氦核的最大速度.

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精英家教網(wǎng)據(jù)有關(guān)資料介紹,受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子(核聚變的原料)將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場來約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi),右圖是它的截面圖,在外徑為R2=1.2m、內(nèi)徑R1=0.6m的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強磁場,磁感強度B=0.4T,若氦核(其比荷q/m=4.8×107c/kg)在平行于截面的平面內(nèi)從內(nèi)圓上A點沿各個方向射入磁場都不能穿出磁場的外邊界,求氦核的最大速度.(不計帶電粒子的重力)

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精英家教網(wǎng)據(jù)有關(guān)資料介紹,受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi)(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi),設(shè)環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感應(yīng)強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的比荷為
qm
=4×107C/kg
,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度,試計算
(1)實踐證明,粒子在磁場區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場方向運動的速度v與它在磁場中運動的軌道半徑r有關(guān).試導(dǎo)出v與r的關(guān)系式.
(2)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
(3)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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(15分)據(jù)有關(guān)資料介紹,受控核聚變裝置中有極高的溫度,因而帶電粒子將沒有通常意義上的“容器”可裝,而是由磁場約束帶電粒子運動使之束縛在某個區(qū)域內(nèi).現(xiàn)按下面的簡化條件來討論這個問題:如圖所示是一個截面為內(nèi)徑R=0.6 m、外徑R2=1.2 m的環(huán)狀區(qū)域,區(qū)域內(nèi)有垂直于截面向里的勻強磁場.已知氦核的荷質(zhì)比=4.8×107 C/kg,磁場的磁感應(yīng)強度B=0.4 T,不計帶電粒子重力。

(1)實踐證明,氦核在磁場區(qū)域內(nèi)沿垂直于磁場方向運動速度v的大小與它在磁場中運動的軌道半徑r有關(guān),試導(dǎo)出vr的關(guān)系式;

(2)若氦核在平行于截面從A點沿各個方向射入磁場都不能穿出磁場的外邊界,求氦核的最大速度。

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