在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓.
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明:UH=K
IB
d
,K為與材料有關(guān)的常量.
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?
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(1)根據(jù)左手定則,電子向N端偏轉(zhuǎn),則M點(diǎn)電勢高                         ①
(2)設(shè)前后兩個表面相距為L,電子所受的電場力等于洛侖茲力
e
UH
L
=evB
                      ②
設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個數(shù)為n,材料截面積為s
I=nesv                       ③
s=dL               、
由②③④得:
UH=
BI
ned
                     ⑤

k=
1
ne
,則   UH=k
BI
d
       ⑥

(3)增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度    
答:(1)M點(diǎn)電勢高.
(2)證明如上所示.
(3)增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就形成了一個霍爾元件,如圖所示,在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,則薄片中的自由電荷就在洛倫茲力的作用下向著與電流和磁場都垂直的方向漂移,使M、N間出現(xiàn)了電壓.設(shè)薄片中的自由電荷為正電荷.下列說法正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?鹽城模擬)在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓.
(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?
(2)試證明:UH=K
IBd
,K為與材料有關(guān)的常量.
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來源: 題型:

在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?

(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來源: 題型:

(19分)在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極EF、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在EF間通人恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在MN間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,MN兩端中哪端電勢較高?

(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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科目:高中物理 來源:福建省寧德三縣市2010屆高三第二次聯(lián)考(理綜)物理部分 題型:計算題

(19分)在一個很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個電極E、F、M、N,它就成了一個霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢較高?

(2)試證明: K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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