（8分）已知電子質(zhì)量為m、電量為e，當(dāng)氫原子核外電子繞核旋轉(zhuǎn)時(shí)的軌道半徑為r時(shí)，求電子繞核運(yùn)動(dòng)的速率、頻率、動(dòng)能和等效電流強(qiáng)度（已知靜電力常量k）。

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2010?南通二模）如圖所示，有界勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向里，MN為其左邊界，磁場中放置一半徑為R的圓柱形金屬圓筒，圓心O到MN的距離OO1=2R，圓筒軸線與磁場平行．圓筒用導(dǎo)線通過一個(gè)電阻r0接地，最初金屬圓筒不帶電．現(xiàn)有范圍足夠大的平行電子束以速度v0從很遠(yuǎn)處沿垂直于左邊界MN向右射入磁場區(qū)，已知電子質(zhì)量為m，電量為e．
（1）若電子初速度滿足v0=
3eBRm
，則在最初圓筒上沒有帶電時(shí)，能夠打到圓筒上的電子對應(yīng)MN邊界上O1兩側(cè)的范圍是多大？
（2）當(dāng)圓筒上電量達(dá)到相對穩(wěn)定時(shí)，測量得到通過電阻r0的電流恒為I，忽略運(yùn)動(dòng)電子間的相互作用，求此時(shí)金屬圓筒的電勢φ和電子到達(dá)圓筒時(shí)速度v（取無窮遠(yuǎn)處或大地電勢為零）．
（3）在（2）的情況下，求金屬圓筒的發(fā)熱功率．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2005?南通一模）利用金屬晶格（大小約10-10m）作為障礙物觀察電于的衍射圖樣，方法是讓電子通過電場加速，然后讓電子束照射到金屬晶格上，從而得到電子的衍射圖樣．已知電子質(zhì)量為m，電量為e，初速度為0，加速電壓為U，普朗克常量為h，則下述說法中正確的是．（　　）

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2010?安丘市模擬）如圖所示，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向里，MN為其左邊界．磁場中有一半徑為R、軸線與磁場平行的金屬圓筒，圓筒的圓心O到MN的距離OO1=3R，O1O所在直線與圓筒右側(cè)壁交于A點(diǎn)．圓筒通過導(dǎo)線和電阻r0接地．現(xiàn)有范圍足夠大的平行電子束以相同的速度從很遠(yuǎn)處垂直于MN向右射入磁場區(qū)．當(dāng)金屬圓筒最初不帶電時(shí)，圓筒上以A點(diǎn)和C點(diǎn)為界，在ADC弧上各點(diǎn)都能接收到電子，而AEC弧上各點(diǎn)均不能接收到電子；當(dāng)圓筒上電荷量達(dá)到相對穩(wěn)定后，通過電阻r0的電流恒為I．已知電子質(zhì)量為m，電荷量為e，忽略運(yùn)動(dòng)電子間的相互作用和圓筒的電阻，取大地為零電勢點(diǎn)．求：
（1）電子射入磁場時(shí)的初速度v0；
（2）電阻r0的電流恒定時(shí)金屬圓筒的電勢φ；
（3）電阻r0的電流恒定時(shí)電子到達(dá)圓筒時(shí)速度v和金屬圓筒的發(fā)熱功率P．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示在A上的放射源C，可向各個(gè)方向射出速率為v的電子流，B為金屬網(wǎng)，A、B連接在電路上，電源電動(dòng)勢為E，內(nèi)阻為r，滑動(dòng)變阻器的總阻值為R。圖中滑動(dòng)變阻器滑片置于中點(diǎn)，AB間的間距為d，M為足夠大的熒光屏，M緊挨著金屬網(wǎng)外側(cè)。已知電子質(zhì)量為m，電量為e。不計(jì)電子所形成的電流對電路的影響，求：

   （1）閉合開關(guān)S后，AB間場強(qiáng)的大小是多少？

   （2）電子到達(dá)金屬網(wǎng)B的最長時(shí)間是多少?

 

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科目：高中物理 來源：2011屆河北省高二單元過關(guān)檢測物理試題 題型：計(jì)算題

如圖所示在A上的放射源C，可向各個(gè)方向射出速率為v的電子流，B為金屬網(wǎng)，A、B連接在電路上，電源電動(dòng)勢為E，內(nèi)阻為r，滑動(dòng)變阻器的總阻值為R。圖中滑動(dòng)變阻器滑片置于中點(diǎn)，AB間的間距為d，M為足夠大的熒光屏，M緊挨著金屬網(wǎng)外側(cè)。已知電子質(zhì)量為m，電量為e。不計(jì)電子所形成的電流對電路的影響，求：
（1）閉合開關(guān)S后，AB間場強(qiáng)的大小是多少？
（2）電子到達(dá)金屬網(wǎng)B的最長時(shí)間是多少?

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