分析 根據(jù)幾何知識(shí)分析得到B、C、D三點(diǎn)在以O(shè)為圓心的同一圓周上,三點(diǎn)的電勢(shì)相等,電荷q從D到C過程中只有重力做功,根據(jù)動(dòng)能定理求出質(zhì)點(diǎn)滑到斜邊底端C點(diǎn)時(shí)的速度.分析質(zhì)點(diǎn)q在C點(diǎn)的受力情況,根據(jù)牛頓第二定律和庫(kù)侖定律求出質(zhì)點(diǎn)滑到斜邊底端C點(diǎn)時(shí)加速度.
解答 解:
(1)點(diǎn)電荷Q在C處產(chǎn)生的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)E=$k\frac{Q}{{L}^{2}}$,
(2、3)由題,BD⊥AC,O點(diǎn)是BC的中點(diǎn),根據(jù)幾何知識(shí)得到B、C、D三點(diǎn)在以O(shè)為圓心的同一圓周上,三點(diǎn)在點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場(chǎng)中是等勢(shì)點(diǎn),所以,q由D到C的過程中電場(chǎng)中電場(chǎng)力作功為零.
由動(dòng)能定理得:mgh=$\frac{1}{2}m{{v}_{C}}^{2}-\frac{1}{2}m{v}^{2}$
而h=$BDsin60°=\frac{\sqrt{3}L}{2}$
解得:${v}_{C}=\sqrt{{v}^{2}+\sqrt{3}gL}$.
質(zhì)點(diǎn)在D點(diǎn)受三個(gè)力的作用;電場(chǎng)F,方向由O指向D點(diǎn);重力mg,方向豎直向下;支持力N,方向垂直于斜面向上.由牛頓第二定律,有
mgsin30°-Fcos30°=ma…①
質(zhì)點(diǎn)在C受三個(gè)力的作用;電場(chǎng)F,方向由O指向C點(diǎn);重力mg,方向豎直向下;支持力N,方向垂直于斜面向上.由牛頓第二定律,有
mgsin30°+Fcos30°=maC…②
由①②得,aC=g-a
答:(1)點(diǎn)電荷Q在C處產(chǎn)生的電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)為$k\frac{Q}{{L}^{2}}$;
(2)該質(zhì)點(diǎn)滑到斜面底端C點(diǎn)時(shí)的加速度為g-a;
(3)該質(zhì)點(diǎn)滑到斜面底端C點(diǎn)時(shí)的速度$\sqrt{{v}^{2}+\sqrt{3}gL}$.
點(diǎn)評(píng) 本題難點(diǎn)在于分析D與C兩點(diǎn)電勢(shì)相等,根據(jù)動(dòng)能定理求速度、由牛頓第二定律求加速度都常規(guī)思路.
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 氣體密度變大 | |
B. | 氣體壓強(qiáng)保持不變 | |
C. | 氣體對(duì)外界做功,氣體分子的平均動(dòng)能減少 | |
D. | 外界對(duì)氣體做功,氣體分子的平均動(dòng)能增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 只受一個(gè)重力 | B. | 受到重力、彈力、摩擦力各一個(gè) | ||
C. | 受到重力、摩擦力各一個(gè) | D. | 受到重力、摩擦力各一個(gè),彈力兩個(gè) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體在4s時(shí)就是指物體在4s初時(shí),指的是時(shí)刻 | |
B. | 物體在4s時(shí)就是指物體在4s末時(shí),指的是時(shí)刻 | |
C. | 物體在4s內(nèi)就是指物體在3s末到4s末的這1s時(shí)間 | |
D. | 物體在第5s內(nèi)就是指物體在4s末到5s末的這1s的時(shí)間 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0 | B. | mgH | C. | mg(H+h) | D. | mg(H-h) |
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