由粗細均勻的電阻絲圍成的正方形線框置于有界的勻強磁場中，磁場方向垂直于線框平面，其邊界與正方形線框各邊平行，如圖所示．現(xiàn)使線框以同樣大小的速率沿四個不同方向在磁場中平移，如圖所示，設(shè)b點的電勢為零，則在移動過程中線框上a點電勢最高的是（　�。�
分析：在內(nèi)電路中，沿著電流的方向電勢升高，根據(jù)切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢公式和閉合電路歐姆定律進行判斷．
解答：解：在A圖中，在a點電勢比b點電勢高，兩點間的電勢差U=BLv，因為b點的電勢為零，則a點的電勢為BLv．在B圖中，a點的電勢比b點高，兩點間的電勢差U=BLvsinθ，則a點的電勢為BLvsinθ．在C圖中，a點的電勢比b點的電勢低，則a點的電勢為負值．在D圖中，a點的電勢比b點電勢低，則a點的電勢為負值．故a點電勢最高的是A圖．
故選A．
點評：解決本題的關(guān)鍵掌握切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢公式，并會運用右手定則判斷電勢的高低．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2009?河?xùn)|區(qū)一模）如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω．現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ．
（1）求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大�。�
（2）求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．
（3）在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大�。�

2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線．

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年度江蘇省啟東中學(xué)高三上學(xué)期第二次月考物理卷 題型：計算題

如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

【小題1】求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大小．
【小題2】求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．
【小題3】在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線．

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科目：高中物理 來源：2012屆度江蘇省高三上學(xué)期第二次月考物理卷 題型：計算題

如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大�。�

2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線．

 

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