如圖所示，粒子源S可以不斷地產(chǎn)生質(zhì)量為、電荷量為的粒子(重力不計)，粒子從孔漂進(初速不計)一個水平方向的加速電場，再經(jīng)小孔進入相互正交的勻強電場和勻強磁場區(qū)域，電場強度大小為，磁感應強度大小為，方向如圖．虛線PQ、MN之間存在著水平向右的勻強磁場，磁感應強度大小為(圖中未畫出)．有一塊折成直角的硬質(zhì)塑料板abc(不帶電，寬度很窄，厚度不計)放置在PQ、MN之間(截面圖如圖)，、兩點恰在分別位于PQ、MN上，，，現(xiàn)使粒子能沿圖中虛線進入PQ、MN之間的區(qū)域，求：
（1）求加速電壓；
（2）假設粒子與硬質(zhì)塑料板相碰后，速度大小不變，方向變化遵守光的反射定律，粒子在PQ、MN之間的區(qū)域中運動的時間和路程分別是多少？

（16分）如圖所示，相距的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場的場強方向豎直向下，PT下方的電場的場強方向豎直向上，在電場左邊界AB上寬為的PQ區(qū)域內(nèi)，連續(xù)分布著電量為、質(zhì)量為的粒子。從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子，依次以相同的初速度沿水平方向垂直射入勻強電場中，若從Q點射入的粒子，通過PT上的某點R進入勻強電場后從CD邊上的M點水平射出，其軌跡如圖，若MT兩點的距離為。不計粒子的重力及它們間的相互作用。試求：
（1）電場強度與；
（2）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD邊水平射出，這些入射點到P點的距離有什么規(guī)律？
（3）有一邊長為、由光滑絕緣壁圍成的正方形容器，在其邊界正中央開有一小孔S，將其置于CD右側，若從Q點射入的粒子經(jīng)AB、CD間的電場從S孔水平射入容器中。欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失)，并返回Q點，在容器中現(xiàn)加上一個如圖所示的勻強磁場，粒子運動的半徑小于，磁感應強度的大小還應滿足什么條件？

如圖所示，空間分布著有理想邊界的勻強電場和勻強磁場，左側勻強電場的場強大小為、方向水平向右，其寬度為；中間區(qū)域勻強磁場的磁感強度大小為、方向垂直紙面向外；右側勻強磁場的磁感強度大小也為、方向垂直紙面向里.一個帶正電的粒子(質(zhì)量，電量，不計重力)從電場左邊緣點由靜止開始運動，穿過中間磁場區(qū)域進入右側磁場區(qū)域后，又回到了點，然后重復上述運動過程.求：
（1）中間磁場區(qū)域的寬度；
（2）帶電粒子從點開始運動到第一次回到點時所用的時間？

如圖所示，在直角坐標系的第一、二象限內(nèi)有垂直于紙面的勻強磁場，第三象限有沿軸負方向的勻強電場；第四象限無電場和磁場。現(xiàn)有一質(zhì)量為、電荷量為的粒子以速度從軸上的點沿軸負方向進入電場，不計粒子的重力，粒子經(jīng)軸上的點和點最后又回到點，設,,求：
（1）帶電粒子的電性，電場強度的大小；
（2）帶電粒子到達點時的速度大小和方向；
（3）勻強磁場的磁感應強度的大小和方向；
（4）粒子從點進入電場，經(jīng)、點最后又回到點所用的時間?

如圖所示：在真空中,半徑為的圓形區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場,磁場方向垂直紙面向里，在磁場右側有一對平行金屬板和，兩板間距離為，板長為，板的中心線與磁場的圓心在同一直線上，有一電荷量為、質(zhì)量為的帶電的粒子,以速度從圓周上的點沿垂直于半徑并指向圓心的方向進入磁場平面,當從圓周上的點水平飛出磁場時，給、板加上如下圖所示電壓，最后粒子剛好以平行于板的速度，從板的邊緣飛出(不計粒子重力)，求
（1）磁場的磁感應強度；
（2）求交變電壓的周期和電壓的值；
（3）若時,該粒子從、板右側沿板的中心線仍以速率向左射入、之間，求粒子從磁場中射出的點到點的距離？

如圖，ABCD是邊長為的正方形。質(zhì)量為、電荷量為的電子以大小為的初速度沿紙面垂直于BC邊射入正方形區(qū)域。在正方形內(nèi)適當區(qū)域中有勻強磁場。電子從BC邊上的任意點入射，都只能從A點射出磁場。不計重力，求：

（1）次勻強磁場區(qū)域中磁感應強度的方向和大��；
（2）此勻強磁場區(qū)域的最小面積。

如題25圖，離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U₀的加速電場加速后勻速通過準直管，垂直射入勻強偏轉電場，偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場，經(jīng)過一段勻速直線運動，垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO＝d，HS＝2d，＝90°。（忽略粒子所受重力）
（1）求偏轉電場場強E₀的大小以及HM與MN的夾角φ；
（2）求質(zhì)量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑；
（3）若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點S₁處，質(zhì)量為16m的離子打在S₂處。求S₁和S₂之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

如圖10-22所示。在x軸上有垂直于xy平面向里的勻強磁場，磁感應強度為B；在x軸下方有沿y鈾負方向的勻強電場，場強為E。一質(zhì)最為m，電荷量為q的粒子從坐標原點。沿著y軸正方向射出。射出之后，第3次到達X軸時，它與點O的距離為L，求此粒子射出時的速度v和運動的總路程s，（重力不計）。

如圖所示，帶負電的小球靜止在水平放置的平行板電容  器兩板間，距下板0.8 cm，兩板間的電勢差為300 V.如果兩板間電勢差減小到60 V，則帶電小球運動到極板上需多長時間?

如圖1，圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應強度為B，現(xiàn)有一電荷量為q，質(zhì)量為m的正離子從a點沿圓形區(qū)域的直徑入射，設正離子射出磁場區(qū)域方向與入射方向的夾角為，求此離子在磁場區(qū)域內(nèi)飛行的時間。